[发明专利]发光元件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光元件及其制作方法，特别是指一种用在发光元件组体中，将绝缘层从透明导电层及反射层延伸至少到达N形氮化镓层，以确保点胶过程中，避免银胶连通P-N，减少短路的危机，并可通过发光元件组体中的N电极与P电极呈同侧排列，来简化发光元件在制作时相关部件的结合实施、及覆晶封装，并能确实提升发光元件的有效透光区域，及利用发光元件组体中的N型氮化镓层的非等向蚀刻来增加绝缘层的附着度，从而达到所需厚度，以防止短路的发生，使得发光二极管（Light Emitting Diode,LED）的合格率提高。

背景技术

现有形态的氮化镓（GaN）发光二极管（Light Emitting Diode,LED）的组成如图1所示，发光二极管60包括：一基板10上结合一N型氮化镓层（N-GaN）20，并在N型氮化镓层（N-GaN）20上结合有多层量子井（MQWS）30，再在最上层的量子井（MQWS）30上结合一P型氮化镓层（P-GaN）40，之后，在P型氮化镓层（P-GaN）40上结合一透明发光层50，而其中的N型氮化镓层（N-GaN）20与P型氮化镓层（P-GaN）40通过蚀刻取掉部分，以暴露部分的N型氮化镓层（N-GaN）20，在该暴露的N型氮化镓层（N-GaN）20上设置负电极201，另在P型氮化镓层（P-GaN）40及透明导电层50之间设置正电极401，正电极401和透明导电层50之间与N型氮化镓层（N-GaN）20和负电极201之间各结合一保护层402、202。

采用上述组成的发光二极管60的基板10是采用蓝宝石（Sapphire）制成，以致无法导电，因此正、负电极401、201必须设在发光二极管（Light Emitting Diode,LED）60的作用正面〔即正电极401设在P型氮化镓层（P-GaN）40的正面，负电极201设在N型氮化镓层（N-GaN）20的正面〕。这种组成形态，使得发光二极管（Light Emitting Diode,LED）60中的P型氮化镓层（P-GaN）40的表面是通过蚀刻至N型氮化镓层（N-GaN）20，且该蚀刻形成的沟槽必须要有足够的宽度，才能以打线方式在N型氮化镓层（N-GaN）20的表面设置负电极201。因此，造成其中的多层量子井（MQWS）30预设的发光区域部分被蚀刻掉，以致影响到发光二极管60的发光区域。另外，由于蓝宝石制成的基板10的导热性差，因此也降低发光二极管（Light Emitting Diode,LED）60的性能。

发明内容

针对上述问题，本发明的主要目的在于提供一种发光元件及其制作方法，其能确实提升发光元件的有效发光区域，并通过其中N型氮化镓层的非等向蚀刻来增加绝缘层的附着度，而达到所需厚度，以防止短路的发生，使得发光二极管（Light Emitting Diode,LED）的合格率提高。

为达到上述目的，本发明所提供的一种发光元件，其包括：一基板，所述基板上结合有两旁呈倾斜而上的U型氮化镓层（U-GaN）及N型氮化镓层（N-GaN），并在所述N型氮化镓层（N-GaN）的预设段落结合有多层量子井（MQWS），在所述多层量子井（MQWS）上方另结合一P型氮化镓层（P-GaN），在所述P型氮化镓层（P-GaN）上结合有透明导电层及反射层；其特征在于：一预设厚度的绝缘层覆设在所述透明导电层及反射层上，并延伸至N型氮化镓层（N-GaN）处；所述绝缘层将所述P型氮化镓层（P-GaN）及所述多层量子井（MQWS）作包覆，在所述绝缘层的两旁预设部位各形成多个透孔，在所述绝缘层的上方两旁则各结合有N电极和P电极，并将相应部位的多个所述透孔利用导电金属材料导通N电极和P电极，并通过所述透孔数量的多寡来调整电流；所述N电极经过相应的多个所述透孔和所述N型氮化镓层（N-GaN）形成一N接触电极，所述P电极经过相应的所述透孔和所述透明导电层及反射层、所述P型氮化镓层（P-GaN）形成一P接触电极。

上述本发明的技术方案中，所述发光元件中的N电极和P电极结合在所述绝缘层上方的两旁，能延伸至所述N型氮化镓层（N-GaN）或所述基板，其延伸面积越大越有利于固晶时的黏着度。