[发明专利]氮化镓基板的制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓基板的制造方法，对氮化镓晶体实施机械加工来制造氮化镓基板，其特征在于，

在所述机械加工之前对所述氮化镓晶体实施湿蚀刻。

2.如权利要求1所述的氮化镓基板的制造方法，其特征在于，

所述氮化镓晶体是生成态晶体或对生成态晶体进行切割加工后的切割基板中的任一种。

3.如权利要求1或2所述的氮化镓基板的制造方法，其特征在于，

所述机械加工包括多个加工，所述湿蚀刻在各加工前每次都进行。

4.如权利要求1~3中任一项所述的氮化镓基板的制造方法，其特征在于，

对所述氮化镓晶体的C面以外的面进行湿蚀刻。

5.如权利要求1~4中任一项所述的氮化镓基板的制造方法，其特征在于，

将蚀刻量设置成从各蚀刻面沿着垂直方向为5μm以上。

6.如权利要求1~5中任一项所述的氮化镓基板的制造方法，其特征在于，

使用磷酸和硫酸的混合液进行湿蚀刻。

7.如权利要求6所述的氮化镓基板的制造方法，其特征在于，

将硫酸相对于磷酸的混合比设置成1/10以上10以下。

8.如权利要求6或7所述的氮化镓基板的制造方法，其特征在于，

将所述混合液的温度设置成200℃以上300℃以下。