[发明专利]显示装置、阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201310020447.0 | 申请日: | 2013-01-18 |
公开(公告)号: | CN103077944A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 崔贤植;李会;徐智强;严允晟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种阵列基板,包括:基板,设置于所述基板上的多条栅线以及与所述栅线交叉设置的数据线;其特征在于,所述阵列基板还包括:多条横向公共电极线和多个纵向公共电极线;所述纵向公共电极线位于所述数据线的下方,而且所述横向公共电极线和所述纵向公共电极线电连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述横向公共电极线和所述纵向公共电极线均与所述栅线同层设置;所述纵向公共电极线分段位于相邻栅线之间。
3.如权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,还包括覆盖在横向公共电极线和纵向公共电极线上的栅极绝缘层,所述栅极绝缘层上设有有源层、源漏电极层和树脂层,所述树脂层上设有第一过孔和第二过孔;
在所述树脂层上方形成有公共电极层,所述公共电极层通过所述第一过孔和第二过孔连接所述横向公共电极线和纵向公共电极线。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极层具有板状结构或狭缝状结构的公共电极。
5.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述公共电极层上的钝化层,以及位于钝化层上的像素电极层;
所述像素电极层具有狭缝状结构,且所述像素电极层与所述阵列基板上的薄膜晶体管的漏电极通过过孔电连接。
6.一种显示装置,包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。
7.一种制作权利要求1-5任一项所述的阵列基板的方法,其特征在于,包括:
步骤1、在基板上沉积栅金属膜,通过一次构图工艺同时形成包括栅电极、横向公共电极线和纵向公共电极线的图案;
步骤2、在完成步骤1的基板上形成包括栅极绝缘层,通过构图工艺形成栅极绝缘层的图案并形成过孔;
步骤3、在完成步骤2的基板上沉积半导体层,通过构图工艺形成有源层的图案;
步骤4、在完成步骤3的基板上形成源漏金属膜,通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极及数据线的图案;所述纵向公共电极线分段位于数据线的下方;
步骤5、在完成步骤4的基板上形成树脂膜,通过构图工艺形成包括树脂层的图案,并形成与所述栅极绝缘层上形成的过孔正对的第一过孔和第二过孔,所述第一过孔对应于横向公共电极线,所述第二过孔对应于纵向公共电极线的位置;
步骤6、在完成步骤5的基板上形成公共电极层,通过构图工艺形成公共电极层的图案,所述公共电极层通过第一过孔与横向公共电极线连接,所述公共电极层通过第二过孔与纵向公共电极线连接;
步骤7、在完成步骤6的基板上形成钝化层,通过构图工艺在钝化层形成过孔;
步骤8、在完成步骤7的基板上形成像素电极层,通过构图工艺形成像素电极的图案,所述像素电极层通过过孔与漏电极相连。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述步骤8中形成的像素电极具有狭缝状结构,所述狭缝状结构对应所述阵列基板的透光区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的