[实用新型]金属有机化学气相沉积设备

说明书

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，特别涉及一种衬底承载装置及应用所述衬底承载装置的金属有机化学气相沉积设备。 

自GaN基第三代半导体材料的兴起，蓝光LED研制成功，LED的发光强度和白光发光效率不断提高。LED被认为是下一代进入通用照明领域的新型固态光源，因此得到广泛关注；而金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备是生长LED外延片的重要设备。 

请参阅图1，图1是现有技术的一种MOCVD设备的剖面结构示意图。所述MOCVD设备1包括腔体11、设置于所述腔体11顶部的进气装置12、设置于所述腔体11底部的衬底承载装置13和加热器14；所述进气装置12优选的为喷淋头组件。所述进气装置12与所述衬底承载装置13相对设置。所述加热器14设置于所述衬底承载装置13背离所述进气装置12的一侧，所述加热器14用于加热所述衬底承载装置13，进而加热设置在所述衬底承载装置12上的待处理衬底15。 

所述衬底承载装置13包括面向所述进气装置12的支撑面131。请同时参阅图2，图2是图1所示衬底承载装置13的俯视结构示意图。所述支撑面131包括若干用于收容待处理衬底15的凹槽132。所述待处理衬底15在所述凹槽132被加热。 

请参阅图3，图3是图1所示凹槽132结构的放大示意图。所述凹槽132包括底面133和侧壁134。所述底面133平行所述支撑面131；所述侧壁134围绕所述底面133。所述待处理衬底15设置在所述凹槽132中时，所述待处理衬底15支撑在所述底面133上，所述侧壁134围绕在所述待处理衬底15的周围。 

在所述加热器14加热时，所述凹槽132的底面133和侧壁134将具有基本相同的温度。所述凹槽132的底面133将对所述待处理衬底15整体进行加热；而所述凹槽132的侧壁134由于围绕在所述待处理衬底15的周围，因此，所述凹槽132的侧壁134只对所述待处理衬底的15的边缘区域加热，使得衬底的15的边缘区域温度较高。造成所述衬底的温度分布不均匀。 

因此，有必要研发一种能够使得待处理衬底温度分布均匀的衬底承载装置和使用所述衬底承载装置的金属有机化学气相沉积设备。 

因此，有必要研发一种能够使得待处理衬底温度分布均匀的衬底承载装置和使用所述衬底承载装置的金属有机化学气相沉积设备。 

使用现有技术的衬底承载装置承载和加热衬底会使得待处理衬底温度分布不均匀，因此，本实用新型提供一种能解决上述问题的衬底承载装置。 

一种衬底承载装置，其包括承载板，所述承载板包括支撑面，待处理衬底设置于所述支撑面，所述承载装置进一步包括多个定位销，所述定位销设置于所述支撑面，所述定位销用于限定待处理衬底在所述支撑面上的位置。 

本实用新型同时提供一种使用上述衬底承载装置的金属有机化学气相沉积设备。 

一种金属有机化学气相沉积设备，其包括腔体，设置在所述腔体上部的进气装置、设置在所述腔体底部的衬底承载装置以及加热器，所述衬底承载装置与所述进气装置相对设置，所述加热器加热所述衬底承载装置，其中所述衬底承载装置为如上所述的衬底承载装置。 

与现有技术相比较，本实用新型的衬底承载装置中，待处理衬底直接放置在所述衬底承载装置的支撑面上，所述待处理衬底通过定位销在所述支撑面上定位，如此，所述衬底承载装置通过所述支撑面对所述待处理衬底整体进行加热，所述待处理衬底边缘区域的温度没有了围绕在其周围的侧壁的加热影响，因此，所述待处理衬底的温度分布均匀。本实用新型的金属有机化学气相沉积设备具有基本相同的技术效果。 

图1是现有技术的一种MOCVD装置设备的剖面结构示意图。 

图2是图1所示衬底承载装置的俯视结构示意图。 

图2是图1所示衬底承载装置的俯视结构示意图。 

图3是图1所示凹槽132结构的放大示意图。 

图4是本实用新型MOCVD设备第一实施方式的剖面结构示意图 

图5是图4所示衬底承载装置第一种衬底排布方式的俯视结构示意图。 

图6是图4所示衬底承载装置第二种衬底排布方式的俯视结构示意图。 

图7是图4所示衬底承载装置第三种衬底排布方式的俯视结构示意图。 

图8是图4所示衬底承载装置第四种衬底排布方式的俯视结构示意图。 

图9是图4所示衬底承载装置结构部分放大示意图。