[发明专利]一种超声波辅助剥离石墨烯的方法有效
申请号: | 201210593885.1 | 申请日: | 2012-12-31 |
公开(公告)号: | CN103065939A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 柴正;王东;宁静;韩砀;闫景东;张进成;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 710065 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超声波 辅助 剥离 石墨 方法 | ||
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域,尤其涉及一种超声波辅助剥离石墨烯的方法。
背景技术
石墨烯材料是一种碳基二维晶体,是目前已知最轻最薄的材料,单层仅原子厚度,它具有极其优异的物理化学性质,利用其极高的载流子迁移率(理论估计超过2×105cm2V-1s-1,是硅的数百倍),可以制成超高速电子器件;利用超强的机械性能(杨氏模量约103GPa),可以研制超轻超强度的复合材料;利用其极高的比表面积和极好的气敏特性,可以研制高灵敏度的气敏探测器;利用其极高的透明性和柔韧性,可以制备高柔韧性的透明电极;最奇特的是它具有半整数量子霍尔效应和室温量子霍尔效应,是绝佳的理论物理研究素材。因此,石墨烯无论在基础研究还是微电子、光电子、材料和生物等多个领域具有极大的应用潜力。
尽管石墨烯具有如此优异的性质,但是目前制备高质量石墨烯仍然存在很多亟待解决的关键问题,例如层数可控性不高、均匀性差、受衬底影响晶体尺寸不大、缺陷高等等,严重影响了石墨烯的各项性能指标。国际上最新报道,过渡族金属化学气相沉积(CVD)技术制备的石墨烯载流子迁移率仅有2000~8000cm2V-1s-1,碳化硅(SiC)衬底热解技术制备的石墨烯迁移率也只有20000cm2V-1s-1左右且均匀性很差,远远低于理论。因此,对于理论物理和基础研究甚至应用基础研究的学者来说,性能最优良的、最可靠的还是微机械剥离技术制备的石墨烯。
目前广泛采用的微机械剥离就是利用高定向热解石墨(HOPG)的层间作用力较小的特性,使用胶带反复撕裂,最终获得小片石墨烯的技术。一般采用这种方法获得的石墨烯基本保持完美晶格,在自支撑的情况下,实验测得其载流子迁移率接近105cm2V-1s-1。遗憾的是,这种方法获得的石墨烯面积往往不超过100μm2。而且,由于手工撕裂胶带施力不均,对所得石墨烯的面积大小无法进行有效控制,并且,由于使用胶带剥离,会不可避免地在石墨烯表面留下残胶,影响石墨烯材料的洁净度,增加后续工序的复杂性,降低石墨烯器件的可靠性。因此,必须研究高效制备高质量石墨烯的新技术,推动石墨烯的基础研究和应用研究。
发明内容
本发明提供了一种超声波辅助剥离石墨烯的方法,旨在解决目前广泛采用的获得小片石墨烯的微机械剥离方法,所获得的石墨烯面积往往不超过100μm2,由于手工撕裂胶带施力不均,对所得石墨烯的面积大小无法进行有效控制,并且由于使用胶带剥离,会不可避免地在石墨烯表面留下残胶,影响石墨烯材料的洁净度,增加后续工序复杂性,降低石墨烯器件可靠性的问题。
本发明的目的在于提供一种超声波辅助剥离石墨烯的方法,该方法将高定向热解石墨固定在上下两个基片之间,利用超声波对石墨烯进行横向振动,使石墨层间通过范德瓦尔斯力形成的键断裂,分离出石墨烯。
进一步,该方法通过调节超声波的功率、振动时间及温度提高石墨烯的剥离效率和产品质量。
进一步,该方法的具体实现步骤为:
步骤一,将高定向热解石墨(HOPG)用双面胶带固定在上下两个基片之间;
步骤二,将固定的高定向热解石墨(HOPG)放入超声波发生器,浸于去离子水中;
步骤三,启动超声波发生器,进行横向振动;
步骤四,将高定向热解石墨(HOPG)与上基片分离,并用双面胶带固定在新的上基片之下;
步骤五,重复以上过程5~10次,直至得到石墨烯;
步骤六,用分析纯的丙酮去除石墨烯表面残余胶带成分。
进一步,在步骤二中,将固定的高定向热解石墨(HOPG)放入超声波发生器,浸于去离子水中时,调节超声波的功率0.1~2×105J、时间1~50min、温度10~40℃。
进一步,该方法所获得的高定向热解石墨(HOPG)自下而上依次为下基片、双面胶带、HOPG、双面胶带、上基片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造