[发明专利]改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法

权利要求书

1.一种改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法，其特征在于包括：

叠层形成步骤，用于在衬底上依次形成栅极氧化物层、浮栅多晶硅层和氮化硅层；

氮化硅光刻步骤，用于在氮化硅层上布置光刻胶并对光刻胶进行光刻；

氮化硅刻蚀步骤，用于利用光刻后的光刻胶对氮化硅层进行刻蚀，从而露出浮栅多晶硅层的分栅存储器的浮栅尖端形成区域及其中间区域；

注入步骤，用于以氮化硅层为掩膜对分栅存储器的浮栅尖端形成区域进行倾斜离子注入，从而使浮栅尖端形成区域的多晶硅刻蚀速率大于中间区域的多晶硅；

浮栅多晶硅坡度刻蚀步骤，用于对浮栅多晶硅进行各向同性的刻蚀。

2.根据权利要求1所述的改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法，其特征在于还包括：

浮栅侧墙淀积步骤，用于沉积浮栅侧墙层；

浮栅侧墙刻蚀步骤，用于对浮栅侧墙层进行刻蚀，从而在凹槽的侧壁上形成浮栅侧壁；

浮栅侧墙湿法蚀刻步骤，用于对浮栅侧墙进行湿法蚀刻；

浮栅多晶硅蚀刻步骤，用于浮栅多晶硅层的凹槽区域进行进一步刻蚀，从而刻蚀掉中间区域的浮栅多晶硅。

3.根据权利要求1或2所述的改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法，其特征在于，所述倾斜离子注入包括分别形成第一注入区和第二注入区的第一倾斜离子注入和第二倾斜离子注入，并且第一倾斜离子注入和第二倾斜离子注入相对于竖直方向对称布置，由此使得分栅存储器的浮栅尖端形成区域中形成的第一注入区和第二注入区对称布置。

4.根据权利要求1或2所述的改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法，其特征在于，第一倾斜离子注入和第二倾斜离子注入均与竖直方向成合适的角度。

5.根据权利要求1或2所述的改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法，其特征在于，第一倾斜离子注入和第二倾斜离子注入均与竖直方向成45°。

6.根据权利要求1或2所述的改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法，其特征在于，第一倾斜离子注入和第二倾斜离子注入的注入离子和注入能量相同。

7.根据权利要求1或2所述的改进分栅存储器的擦除及编程性能的方法，其特征在于，第一倾斜离子注入和第二倾斜离子注入的注入离子为能加快刻蚀速率的离子。