[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，其特征在于：所述有机电致发光器件还包括层叠于所述阴极上的保护层及层叠于所述保护层上的阻挡层，所述保护层的材料选自酞菁铜、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁及硫化锌中的至少一种，所述阻挡层包括硅化物膜及层叠于所述硅化物膜表面的混合物膜，所述硅化物膜的材料为CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或NbSi₂，所述混合物膜的材料包括硅化物及混合在所述硅化物中的氟化物，所述硅化物选自CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂及NbSi₂中的至少一种，所述氟化物选自AlF₃、HfF₄、ZrF₄、LiF、CeF₂及YF₃中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述混合物膜中所述氟化物的质量百分含量为10%～30%。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述阻挡层的层数为3～5，多个所述阻挡层依次层叠。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述硅化物膜的厚度为100nm～150nm，所述混合物膜的厚度为100nm～150nm。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述发光层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及掺杂在所述1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的三（2-苯基吡啶）合铱，所述三（2-苯基吡啶）合铱的质量百分浓度为5%；所述空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺及掺杂在N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺中的氧化钼，所述氧化钼的质量百分含量为25%；所述空穴传输层的材料为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；所述电子注入层的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲罗啉及掺杂在4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中的叠氮铯，所述叠氮铯的质量百分含量为25%。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在阳极基底的阳极层表面依次真空蒸镀层叠形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；

在所述阴极上真空蒸镀形成保护层，所述保护层的材料选自酞菁铜、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁及硫化锌中的至少一种；及

在所述保护层上形成阻挡层，所述阻挡层包括硅化物膜及层叠于所述硅化物膜表面的混合物膜，所述硅化物膜的材料为CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或NbSi₂，所述混合物膜的材料包括硅化物及混合在所述硅化物中的氟化物，所述硅化物选自CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂及NbSi₂中的至少一种，所述氟化物选自AlF₃、HfF₄、ZrF₄、LiF、CeF₂及YF₃中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述阻挡层的层数为3～5，多个所述阻挡层依次层叠。