[发明专利]片式膜衰减器厚膜制作方法有效

专利信息
申请号: 201210555502.1 申请日: 2012-12-19
公开(公告)号: CN103022629A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 罗彦军;李胜;刘剑林;罗向阳;谢强;韩玉成;郭娜;廖东;蒿旅罗;谢旺阳 申请(专利权)人: 中国振华集团云科电子有限公司
主分类号: H01P11/00 分类号: H01P11/00
代理公司: 云南派特律师事务所 53110 代理人: 岳亚苏
地址: 550018 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 片式膜 衰减器 制作方法
【权利要求书】:

1.一种片式膜衰减器厚膜制作方法,其特征在于,包括丝网制作、印刷表电极、印刷背电极、印刷电阻体、激光调阻、裂片、端涂、电镀,具体制作方法如下:

①按常规方法印刷丝网图形制作、印刷表电极,保证印刷厚度干燥后达到13~22微米,印刷厚度烧成后达到6~13微米;

②按常规方法印刷背电极,保证印刷厚度干燥后达到8~17微米;

③将印刷有表、背电极的基片在850℃下烧成;

④采用常规印刷方式分步印刷电阻体,使电阻膜层与表电极膜层之间的错位≤0.1毫米,并保证印刷膜厚干燥后达到14~22微米,印刷膜厚烧成后达到7~15微米;

⑤按常规方法印刷一次玻璃,保证印刷厚度干燥后达到12~26微米,在600℃下烧成;

⑥按常规方法印刷二次玻璃,印刷三层,将电阻体、一次玻璃及表电极W方向完全覆盖,保证印刷膜厚干燥后达到30~70微米,印刷标志玻璃,端涂,600℃烧成;

⑦使用探针卡通过不同方向上切割对三个电阻采用逐次逼近法进行调阻,印刷包封层;

⑧按常规方式依次进行一次裂片、二次裂片、端涂;电镀。

2.根据权利要求1所述的片式膜衰减器厚膜制作方法,其特征在于:所述步骤①、②、④中的表电极、背电极、电阻体的膜厚最大值与最小值之差值应小于等于4微米。

3.根据权利要求1所述的片式膜衰减器厚膜制作方法,其特征在于:所述步骤⑤中中的一次玻璃的膜厚最大值与最小值应小于等于6微米。

4.根据权利要求1所述的片式膜衰减器厚膜制作方法,其特征在于:所述电镀为镍电镀及锡-铅电镀,电镀后的产品经自然滴水50~100秒,再经脱水离心机脱水干燥5~10分钟;之后在100±5℃烘箱中烘15±2分钟;磁分选机分选;在70±5℃烘箱中烘5~10小时。

5.根据权利要求1所述的片式膜衰减器厚膜制作方法,其特征在于:将制作好的衰减器平铺设置,并采用磁板进行100%吸磁,直至没有吸不上磁板的产品为止,重复吸磁2~3次。

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