[发明专利]金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物有效
申请号: | 201210452842.1 | 申请日: | 2006-06-07 |
公开(公告)号: | CN102981377A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 梅利莎·K·拉斯;大卫·D·伯恩哈德;大卫·W·明赛克;托马斯·H·鲍姆 | 申请(专利权)人: | 高级技术材料公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨海荣;穆德骏 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 电介质 相容 牺牲 反射 涂层 清洗 去除 组合 | ||
1.一种液体去除组合物,其包含至少一种含氟化合物、至少一种有机溶剂、任选的水和任选的至少一种螯合剂,其中所述液体去除组合物适用于从其上具有牺牲性抗反射涂层(SARC)材料和蚀刻后残留物的微电子器件上去除这些材料和残留物。
2.权利要求1的液体去除组合物,其中所述至少一种含氟化合物包含选自如下的物质:氟化氢,氟化铵,三乙醇胺氢氟酸盐,氟化氢铵((NH4)HF2),具有式(R)4NHF2的四烷基氟化氢铵其中R为甲基、乙基、丙基、丁基、苯基、苄基或氟化的C1-C4烷基。
3.权利要求1的液体去除组合物,其中所述至少一种含氟化合物包含氟化氢。
4.权利要求1的液体去除组合物,其中所述至少一种有机溶剂包含至少一种醇和至少一种二醇醚,其中所述至少一种醇包括甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、叔丁醇、1-戊醇及其组合,其中基于所述组合物的总重,所述至少一种含氟化合物的量为0.01~25重量%,所述至少一种醇的含量为0.01~99重量%,所述至少一种二醇醚的含量为0.01~99重量%,且水的含量为0.01~10重量%。
5.权利要求1的液体去除组合物,其中所述至少一种有机溶剂包含四氢噻吩砜和至少一种二醇,其中基于所述组合物的总重,所述至少一种含氟化合物的量为0.01~25重量%,所述四氢噻吩砜的含量为0.01~99重量%,所述至少一种二醇的含量为0.01~99重量%,且水的含量为0.01~10重量%。
6.权利要求1的液体去除组合物,其中所述至少一种有机溶剂包含四氢噻吩砜、至少一种二醇和至少一种二醇醚,其中基于所述组合物的总重,所述至少一种含氟化合物的量为0.01~25重量%,所述四氢噻吩砜的含量为0.01~99重量%,所述至少一种二醇的含量为0.01~99重量%,且所述至少一种二醇醚的含量为0.01~99重量%。
7.权利要求4~6中任一项的液体去除组合物,其中所述至少一种二醇包含选自如下的物质:乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇及其组合,且
其中所述至少一种二醇醚包含选自如下的物质:二乙二醇单甲醚、三乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、三乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单丁醚、三乙二醇单丁醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚及其组合。
8.权利要求1的液体去除组合物,其包含至少一种选自如下的螯合剂:苯并三唑、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑、1-氨基-1,2,4-三唑、羟基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、1-氨基-1,2,3-三唑、1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑、3-异丙基-1,2,4-三唑、5-苯硫基-苯并三唑、卤代苯并三唑、萘并三唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巯基噻唑啉、5-氨基四唑、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,5-五亚甲基四唑、1-苯基-5-巯基四唑、二氨甲基三嗪、巯基苯并噻唑、咪唑啉硫酮、巯基苯并咪唑、4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、苯并异二唑、鸟嘌呤、腺嘌呤、甘油、硫代甘油、次氮基三乙酸、水杨酰胺、亚氨基二乙酸、苯并胍胺、三聚氰胺、硫氰尿酸、邻氨基苯甲酸、没食子酸、抗坏血酸、水杨酸、8-羟基喹啉、5-羧酸-苯并三唑、3-巯基丙醇、硼酸、亚氨基二乙酸及其组合。
9.权利要求1的液体去除组合物,其中所述组合物的pH处于1至5的范围内。
10.一种从其上具有SARC材料和/或蚀刻后残留物的微电子器件上去除所述材料和残留物的方法,所述方法包括使所述微电子器件与权利要求1~9中任一项的液体去除组合物接触足够的时间,从而至少部分地从所述微电子器件上去除所述材料和残留物。
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