[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201210367532.X | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103700777A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;黄辉;陈吉星 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域,特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展,利用超薄薄膜技术制备出高亮度、高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中,10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W,寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO),电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
在传统的发光器件中,空穴注入层的材质通常为金属氧化物(如氧化钼),但此时空穴注入层的材质选择范围窄,同时,金属氧化物在可见光范围内的吸光率较高,造成太阳光损失,且金属氧化物为无机物,与空穴传输层的有机材料性质差别较大,两者在接触的界面上相容性较差,在制备过程中易出现缺陷,造成空穴损失及器件发光效率减低。另一方面,现有的底发射有机电致发光器件一般包含带ITO功能层的玻璃基底,ITO的折射率为1.5,相邻的有机发光层材料折射率一般约为1.7,导致光从有机层出射至ITO层时发生全反射而无法从出光端发射,也导致有机电致发光器件的出光效率降低。
发明内容
为解决上述问题,本发明旨在提供一种有机电致发光器件。所述有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件,空穴注入层的材质为二氧化钛、聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)及聚苯乙烯磺酸(PSS),其中,二氧化钛使空穴注入层具有空穴传输的作用,而聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)的折射率约为1.5,光线在发射至玻璃基底表面时会发生全反射,金属阳极也会对光线进行反射,从而提高器件的出光效率。
本发明还提供上述有机电致发光器件的制备方法。
一方面,本发明提供一种有机电致发光器件,为顶发射有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述空穴注入层的材质包括二氧化钛、聚3,4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)及聚苯乙烯磺酸(PSS)。
优选地,所述二氧化钛的粒径为20nm~200nm。
优选地,所述的二氧化钛为锐钛型二氧化钛。锐钛型二氧化钛的比表面积大,利于提高空穴缓冲层的功函数及空穴传输性能。
优选地,所述空穴注入层的厚度为50~200nm。
所述的玻璃基底为市售普通玻璃。
优选地,所述阳极的材质为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au)。
更优选地,所述阳极的材质为银(Ag)。
优选地,所述阳极的厚度为80-250nm。更优选地,所述阳极的厚度为100nm。
优选地,所述发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-2-萘蒽(ADN)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3)。
更优选地,所述发光层的材质为8-羟基喹啉铝(Alq3)。
优选地,所述发光层的厚度为5~40nm。更优选地,所述发光层的厚度为15nm。
优选地,所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
更优选地,所述电子传输层的材质为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
优选地,所述电子传输层的厚度为40~100nm。更优选地,所述电子传输层的厚度为60nm。
优选地,所述电子注入层的材质为碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮化铯(CsN3)或者氟化锂(LiF)。
更优选地,所述电子注入层的材质为氟化锂(LiF)。
优选地,所述电子注入层的厚度为0.5~10nm。更优选地,所述电子注入层的厚度为1nm。
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