[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及对硅基板实施处理的基板处理方法以及基板处理装置。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，例如逐张（一张一张）地对硅半导体晶片（wafer，以下仅称为“晶片”）进行处理。具体来说，对晶片表面供给药液，从而利用药液对该晶片表面进行处理。然后，对晶片表面供给DIW（脱离子化后的水），利用该DIW来冲洗掉附着在晶片表面的药液（冲洗处理）。冲洗掉药液之后，使晶片高速旋转，甩掉晶片表面的DIW，使晶片干燥。

另外，已知这种技术：为了抑制产生水斑，对晶片表面供给比水沸点低的IPA（异丙醇），将附着在晶片表面的DIW置换为IPA。置换为IPA后，通过使晶片高速旋转，将附着在晶片表面的IPA从基板上除去，进而干燥晶片。

通过高速旋转来使晶片干燥的原因在于，与使DIW从晶片周缘飞散的效果相比，更主要的效果是DIW会从高速旋转的晶片表面蒸发。因此，在冲洗处理后的晶片表面上残留的DIW的液滴中含有异物的情况下，在晶片开始高速旋转后，如果在异物被从晶片上甩脱之前DIW在此处蒸发，则有可能仅是异物残留在晶片表面上。

另外，IPA等的有机溶剂价高，因此从降低运行成本的观点出发，希望不使用IPA来抑制产生水斑。

发明内容

因此，本发明的一个目的在于，提供一种能够防止在硅基板的表面上残留异物残留并且使硅基板干燥的基板处理方法以及基板处理装置。

另外，本发明的其它目的在于，提供一种不使用有机溶剂就能够抑制产生水斑的基板处理方法以及基板处理装置。

本发明的基板处理方法提供一种基板处理方法，包括：冲洗工序，对硅基板的表面供给第一温度的水，利用该水对所述硅基板的表面实施冲洗处理；第二温度水供给（涂敷）工序，在所述冲洗工序之后，对所述硅基板的表面供给比所述第一温度低的第二温度的水；干燥工序，在所述第二温度水供给工序之后，使所述硅基板旋转，从而将该硅基板的表面的水甩向硅基板的周围，使所述硅基板干燥。

通过本发明的方法，在使用第一温度的水进行冲洗处理之后，在干燥处理开始前，对硅基板的表面供给比第一温度低的第二温度的水。因此，在干燥处理开始时，在硅基板的表面附着温度比较低的第二温度的水。低温的第二温度的水比第一温度的水难以蒸发。

在硅基板的表面上附着低温的第二温度的水的状态下，即使通过使硅基板旋转而开始干燥处理，附着在硅基板表面的第二温度的水也不会在干燥处理开始后立即蒸发。因此，在第二温度的水中含有异物的情况下，在干燥处理开始后的短期间期间内，在异物的周围存在第二温度的水。然后，通过硅基板的高速旋转，水使每个异物都从硅基板的表面甩出。由此，能够防止硅基板的表面残留异物，同时能够使硅基板干燥。

另外，利用比第二温度高的第一温度的水，对硅基板的表面进行冲洗处理。利用比较高的温度的第一温度的水进行冲洗处理，比利用比较低的温度的第二温度的水进行冲洗处理的处理效率高。因此，能够对硅基板表面实施良好的冲洗处理。

另外，在硅基板的表面附着有水的情况下，与该水为第一温度时相比，该水为更低温的第二温度时，能够抑制从硅基板向该水溶出硅（Si）。

在硅基板的表面上附着有比较的低温的第二温度的水的状态下开始干燥处理，因此，在干燥处理开始时附着在硅基板表面的水几乎不含有成为水斑原因的硅。因此，在干燥处理后，在硅基板的表面不易产生水斑。由此，不使用IPA等的有机溶剂也能够抑制产生水斑。

第一温度可以是常温（约25℃）。另外，也可以是比常温高的温度（例如40℃～80℃）。第二温度只要是比常温低的温度（并且是比水的凝固点高的温度）即可。例如，可以是5～10℃的范围的温度。

本发明的一个实施方式的基板处理方法，还包括基板旋转工序，该基板旋转工序与所述冲洗工序以及所述第二温度水供给工序并行执行，用于使所述硅基板旋转。

通过该方法，与供给第二温度的水並行地使硅基板旋转，由此，能够使第二温度的水遍布硅基板的整个表面。由此，能够防止在硅基板的整个表面上异物残留，并且，能够在硅基板的整个表面上抑制产生水斑。

所述基板处理方法，还可以包括在执行所述冲洗工序之前执行的药液供给工序，在该药液供给工序中，对所述硅基板的表面供给药液，利用所述药液对该硅基板的表面实施处理。药液可以是对硅基板的表面进行清洗的清洗液，也可以是对硅基板的表面的膜进行蚀刻的蚀刻液。

所述基板处理方法，还可以包括在执行所述冲洗工序之前执行的氢氟酸供给工序，在该氢氟酸供给工序中，对所述硅基板的表面供给氢氟酸，利用所述氢氟酸对该硅基板的表面实施处理。