[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

冲洗工序，对硅基板的表面供给第一温度的水，利用该水对所述硅基板的表面实施冲洗处理，

第二温度水供给工序，在所述冲洗工序之后，对所述硅基板的表面供给比所述第一温度低的第二温度的水，

干燥工序，在所述第二温度水供给工序之后，使所述硅基板旋转，从而将该硅基板的表面的水甩向硅基板的周围，使所述硅基板干燥。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一温度是常温以上的温度，所述第二温度是比常温低并且比水的凝固点高的温度。

3.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

还包括基板旋转工序，该基板旋转工序与所述冲洗工序以及所述第二温度水供给工序并行执行，用于使所述硅基板旋转。

4.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

还包括在执行所述冲洗工序之前执行的药液供给工序，

在该药液供给工序中，对所述硅基板的表面供给药液，利用所述药液对该硅基板的表面实施处理。

5.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

还包括在执行所述冲洗工序之前执行的氢氟酸供给工序，

在该氢氟酸供给工序中，对所述硅基板的表面供给氢氟酸，利用所述氢氟酸对该硅基板的表面实施处理。

6.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

还包括与所述干燥工序并行执行的气体供给工序，

在该气体供给工序中，使具有对置面的对置构件与所述硅基板向相同方向旋转，同时对所述对置面与所述硅基板的表面之间供给气体，所述对置面与所述硅基板的表面相对置。

7.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

基板旋转单元，其保持硅基板进行旋转，

第一温度水供给单元，其用于对由所述基板旋转单元保持的所述硅基板的表面供给第一温度的水，

第二温度水供给单元，其用于对由所述基板旋转单元保持的所述硅基板的表面供给比所述第一温度低的第二温度的水，

控制单元，其对所述基板旋转单元、第一温度水供给单元以及第二温度水供给单元进行控制，来执行冲洗工序、第二温度水供给工序、干燥工序；

在所述冲洗工序中，对所述硅基板的表面供给第一温度的水，利用该水对所述硅基板的表面实施冲洗处理，

在所述第二温度水供给工序中，在所述冲洗工序之后，对所述硅基板的表面供给第二温度的水，

在干燥工序中，在所述第二温度水供给工序之后，使所述硅基板旋转，从而将该硅基板的表面的水甩向硅基板的周围，使所述硅基板干燥。

8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一温度是常温以上的温度，

所述第二温度水供给单元包括冷却单元，该冷却单元用于将水冷却到比常温低的温度。