[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备半导体芯片，该制造方法包括：

准备在第1主面形成有导通构件的半导体芯片的工序，

准备在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第1热固化型树脂层的支撑结构的工序，

以所述第1热固化型树脂层和所述半导体芯片的第1主面对置的方式在所述第1热固化型树脂层上配置多个半导体芯片的工序，

以覆盖所述多个半导体芯片的方式在所述第1热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层的工序，以及

从所述支撑体侧照射放射线而使所述放射线固化型粘合剂层固化，由此在所述放射线固化型粘合剂层和所述第1热固化型树脂层之间进行剥离的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第1热固化型树脂层在50℃～200℃下的最低熔融粘度为5×10²Pa·s以上且1×10⁴Pa·s以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第2热固化型树脂层为片状热固化型树脂层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第2热固化型树脂层由环氧树脂、酚醛树脂、填料及弹性体形成。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述多个半导体芯片配置到所述第1热固化型树脂层上时，所述导通构件露出至所述第1热固化型树脂层和所述放射线固化型粘合剂层的界面。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，在剥离所述放射线固化型粘合剂层后，还包括使所述导通构件从所述第1热固化型树脂层的与所述半导体芯片相反侧的表面露出的工序。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，在剥离所述放射线固化型粘合剂层后，还包括在所述第1热固化型树脂层上形成与所述露出了的导通构件连接的再布线的工序。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，在剥离所述放射线固化型粘合剂层后，还包括在所述第1热固化型树脂层上形成与所述露出了的导通构件连接的再布线的工序。