[发明专利]晶圆器件单元混合扫描方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，更具体地说，本发明涉及一种晶圆器件单元混合扫描方法。

背景技术

随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸不断缩小，工厂引入了更加先进、更加昂贵的缺陷检测设备以满足对在线工艺步骤的品质监控的要求。其中亮场缺陷检测机台就是应用最为广泛并且有着很高灵敏度的一类机台。

具体地说，由于生产过程中生产机台故障，生产环境污染等诸多因素的影响，晶圆缺陷问题也会随之而来，并且缺陷的大小形态直接影响晶圆产品的质量及可靠性，其中大范围缺陷问题对晶圆产品质量的影响尤为严重，由于目前器件尺寸越来越小，亮场缺陷扫描机台常用C2C扫描方式（C2C指cell to cell 即小范围器件单元比对方式）进行扫描，这种扫描方式对于小尺寸器件单元的缺陷敏感度很高，但对大范围的缺陷类型却无法正常判断，对扫描质量及产品性能造成很大的风险。

目前业界对于C2C扫描方式缺失大范围缺陷问题并没有实质性的解决方法，想要保证小尺寸器件扫描精度也要顾及大范围缺陷捕捉率就需要一种新颖的晶圆缺陷扫描中避免大范围缺陷缺失的扫描方法，设计这种全方位的扫描方法也是亮场半导体缺陷扫描机台的迫切需要。

由此，希望能够提供一种既可以保证小器件单元的缺陷扫描精度也可以避免大范围缺陷缺失，从而准确有效的对晶圆进行扫描，提高晶圆产品质量的晶圆器件单元混合扫描方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种既可以保证小器件单元的缺陷扫描精度也可以避免大范围缺陷缺失，从而准确有效的对晶圆进行扫描，提高晶圆产品质量的晶圆器件单元混合扫描方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种晶圆器件单元混合扫描方法，其包括：采用D2D模式的扫描步骤:在一个器件单元集合中，通过不同裸片之间的比对，计算差值，从而确定缺陷位置；采用C2C模式的扫描步骤:在所述器件单元集合中，在每一个裸片中，通过裸片中重复出现的器件单元之间的相互比对，计算差值，从而确定缺陷位置。

优选地，所述晶圆器件单元混合扫描方法还包括总体缺陷位置确定步骤：根据采用D2D模式的扫描步骤中确定的缺陷位置以及采用C2C模式的扫描步骤中确定的缺陷位置，确定所述器件单元集合中的所有缺陷位置。

优选地，在总体缺陷位置确定步骤中，当采用D2D模式的扫描步骤和采用C2C模式的扫描步骤都确定所述器件单元集合的同一区域存在缺陷时，保留采用C2C模式的扫描步骤中确定的所有缺陷位置；并且对采用D2D模式的扫描步骤中确定的缺陷位置进行分析，滤除小于单个器件单元面积的缺陷，而保留其它缺陷位置。

优选地，器件单元集合是一块SRAM区。

优选地，所述晶圆器件单元混合扫描方法用于铜金属研磨制程工艺。

根据本发明，通过器件单元混合扫描技术，在缺陷扫描过程中，同时运用C2C与D2D的扫描方式，通过精确对比和计算，全面的对晶圆进行扫描，既保留C2C模式下良好的扫描灵敏度也在加入D2D的扫描特点后避免了大面积缺陷缺失的问题。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了D2D模式的示意图。

图2示意性地示出了C2C模式的示意图。

图3示意性地示出了C2C模式中大面积缺陷缺失原因的示意图。

图4示意性地示出了根据本发明实施例的晶圆器件单元混合扫描方法的流程图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

为了解决C2C扫描方式缺失大范围缺陷问题，本发明设计了一种新型的扫描方式及方法来解决上述问题。在此方式方法的支持下既可以保证小器件单元的缺陷扫描精度也可以避免大范围缺陷缺失，从而准确有效的对晶圆进行扫描，提高晶圆产品质量。