[发明专利]像素以及使用该像素的有机发光显示器有效

专利信息
申请号: 201210303009.0 申请日: 2012-08-23
公开(公告)号: CN103247253A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 安定根;李王枣 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 罗正云;宋志强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 像素 以及 使用 有机 发光 显示器
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年2月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0011161的优先权和权益,通过引用将该申请的全部内容合并于此。

技术领域

实施例涉及一种像素以及使用该像素的有机发光显示器。

背景技术

近来,已经研发出能够降低重量和体积的各种平板显示器(FPD),而重量和体积正是阴极射线管(CRT)的缺点。FPD包括液晶显示器(LCD)、场致发射显示器(FED)、等离子体显示板(PDP)以及有机发光显示器。

在FPD当中,有机发光显示器可利用通过电子和空穴的复合而产生光的有机发光二极管(OLED)来显示图像。有机发光显示器可具有高响应速度,并且可以以低功耗被驱动。

根据驱动有机发光显示器中的OLED的方法,有机发光显示器可被划分为无源矩阵型(PMOLED)和有源矩阵型(AMOLED)。

发明内容

根据实施例,提供一种像素,包括:连接于第一电源和第一节点之间的第一晶体管,所述第一晶体管包括连接至第二节点的栅电极;连接于所述第一节点和第二电源之间的有机发光二极管(OLED);用于响应于扫描信号而向所述第二节点提供数据信号的第二晶体管;具有彼此电连接的源电极和漏电极的第三晶体管,所述第三晶体管连接至所述第一电源和所述第二节点;以及具有彼此电连接的另一源电极和另一漏电极的第四晶体管,所述第四晶体管连接于所述第二节点和所述第一节点之间。

所述数据信号可具有第一电压或第二电压,所述第二电压设为具有比所述第一电压大的值。

在具有所述第一电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时,所述第三晶体管可被配置为作为MOS电容器操作。在具有所述第二电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时,所述第四晶体管可被配置为作为MOS电容器操作。

在具有所述第一电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时,所述第三晶体管可被配置为以强反型模式被驱动。在具有所述第二电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时,所述第四晶体管被配置为以强反型模式被驱动。

所述第三晶体管和所述第四晶体管均可包括:位于基板上的半导体层;位于所述半导体层上的栅极绝缘层;位于所述栅极绝缘层上的栅电极;位于所述栅电极和所述栅极绝缘层上的中间绝缘层。所述第三晶体管的所述源电极和所述漏电极以及所述第四晶体管的所述另一源电极和所述另一漏电极可位于所述中间绝缘层上,并且可通过所述栅极绝缘层和所述中间绝缘层中的多个接触孔电连接至所述半导体层。

所述源电极、所述漏电极、所述另一源电极以及所述另一漏电极可采用位于所述栅电极上方的一个板的形式。所述多个接触孔可形成在所述板的边缘,使得所述第三晶体管的所述源电极和所述漏电极与所述半导体层之间的接触面积、以及所述第四晶体管的所述另一源电极和所述另一漏电极与所述半导体层之间的另一接触面积增大。

所述第一晶体管至所述第四晶体管可为PMOS晶体管或者为NMOS晶体管。

根据实施例,提供一种有机发光显示器,包括:像素单元,包括连接至扫描线、数据线、第一电源和第二电源的像素;用于通过所述扫描线向所述像素提供扫描信号的扫描驱动器;以及用于通过所述数据线向所述像素提供数据信号的数据驱动器,其中每个像素包括:连接于第一节点和所述第二电源之间的有机发光二极管(OLED);连接于所述第一电源和所述第一节点之间的第一晶体管,所述第一晶体管包括连接至第二节点的栅电极;用于响应于扫描信号而向所述第二节点提供数据信号的第二晶体管;具有彼此电连接的源电极和漏电极的第三晶体管,所述第三晶体管连接于所述第一电源和所述第二节点之间;以及具有彼此电连接的另一源电极和另一漏电极的第四晶体管,所述第四晶体管连接于所述第二节点和所述第一节点之间。

所述数据信号可具有第一电压或第二电压,所述第二电压具有比所述第一电压大的值。

在具有所述第一电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时,所述第三晶体管可被配置为作为MOS电容器操作。在具有所述第二电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时,所述第四晶体管可被配置为作为MOS电容器操作。

在具有所述第一电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时,所述第三晶体管可被配置为以强反型模式被驱动。在具有所述第二电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时,所述第四晶体管可被配置为以强反型模式被驱动。

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