[发明专利]母座、功率半导体模块以及具有多个功率半导体模块的半导体模块组装件在审
申请号: | 201210293867.1 | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN102956570A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | F.杜加尔 | 申请(专利权)人: | ABB技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/04;H01L25/07;H01L25/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 姜甜;李浩 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 母座 功率 半导体 模块 以及 具有 组装 | ||
1. 功率半导体模块(1),包括:
基板(2),
至少一个功率半导体器件(3),其设置在所述基板(2)上,以及
包含支脚和首部的至少一个第一母座(6),所述支脚和所述首部可沿所述母座的纵轴互相相对移动,所述支脚和所述首部电互连并且在所述支脚和所述首部之间设置弹簧元件以在所述支脚和所述首部上施加向外的力,由此提供所述至少一个第一母座(6)以通过所述支脚(8)的基底(12)接触至少一个接触元件(4a、4b),其中
为所述至少一个第一母座(6)提供具有管状主体的绝缘部件(13),用于使所述第一母座(6)的所述支脚(8)的外表面(14)电隔离。
2. 如以上权利要求1所述的功率半导体模块,
其中
所述绝缘部件(13)设置到所述支脚(8)周围。
3. 如以上权利要求中的任一项所述的功率半导体模块,
其中
所述管状主体的厚度为0.5 mm到2.0 mm。
4. 如以上权利要求中的任一项所述的功率半导体模块,
其中
所述绝缘部件(13)延伸于所述支脚(8)的整个高度。
5. 如以上权利要求中的任一项所述的功率半导体模块,
其中
所述绝缘部件(13)包含陶瓷基底材料。
6. 如以上权利要求5所述的功率半导体模块,
其特征在于
所述陶瓷基底材料为Al2O3。
7. 如以上权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(1),
其中
提供至少一个第二母座(7)以接触所述一个或多个功率半导体器件(3)的至少一个接触元件(4a、4b),其中所述第二母座(7)包括支脚和首部,所述支脚和所述首部可沿所述母座的纵轴互相相对移动,所述支脚和所述首部电互连并且在所述支脚和所述首部之间设置弹簧元件以在所述支脚和所述首部上施加向外的力。
8. 如以上权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(1),
其中
所述至少一个功率半导体器件(3)是绝缘栅双极晶体管、反向导电绝缘栅双极晶体管、双模绝缘栅晶体管或二极管。
9. 如以上权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(1),
其中
所述功率半导体模块(1)包含多个功率半导体器件(3),提供至少一个接触元件作为所述多个功率半导体器件(3)的公共控制触点(4b),以及
所述至少一个第一母座(6)与提供作为所述公共控制触点(4b)的所述至少一个接触元件接触。
10. 如权利要求9所述的功率半导体模块(1),
其中
所述公共控制触点(4b)在所述基板(2)上提供。
11. 如以上权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(1),
其中
所述功率半导体模块(1)包含壳体(15),由此
导电盖子形成所述壳体(15)的顶面并提供所述功率半导体模块(1)的第一触点,
基板(2)形成所述壳体(15)的基底并提供所述功率半导体模块(1)的第二触点,
所述至少一个功率半导体器件(3)的第一触点通过第一或第二母座(6、7)与所述盖子电接触,以及
所述至少一个功率半导体器件(3)的控制触点(4b)通过第一母座(6)与所述盖子接触。
12. 功率半导体模块组装件,包含多个如以上权利要求1到11中的任一项所述的功率半导体模块(1),由此
所述功率半导体模块(1)互相并排设置,且相邻功率半导体模块(1)之间电连接。
13. 如以上权利要求12所述的功率半导体模块组装件,
其特征在于
所述功率半导体模块(1)的所述基板(2)互相电连接。
14. 如以上权利要求12或13所述的功率半导体模块组装件,
其特征在于
所述功率半导体模块组装件包含壳体,由此
导电盖子形成所述壳体的顶面并提供所述功率半导体模块组装件的第一触点,所述第一触点与所述功率半导体模块(1)的第一触点接触,以及
所述功率半导体模块(1)的所述基板(2)贯穿所述壳体的基底。
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