[发明专利]具有氟残留或氯残留的半导体结构的处理方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体制造领域，特别是涉及一种具有氟残留或氯残留的半导体结构的处理方法。

背景技术

在半导体刻蚀工艺中常常会利用一些含氟的刻蚀气体或含氯的刻蚀气体，含氟气体会电离出氟离子（F^-），含氯气体会电离出氯离子（Cl^-），氟离子及氯离子会与半导体结构中的相应层发生反应从而达到刻蚀的目的。刻蚀完成之后，半导体结构中会有氟残留或氯残留，所述氟残留或氯残留会给半导体结构带来诸多不利的影响：如腐蚀半导体结构、在半导体结构表面形成晶体缺陷（crystal defect）等等。

发明内容

本发明要解决的技术问题是对具有氟残留或氯残留的半导体结构进行处理，以消除氟残留或氯残留给半导体结构带来的不利影响。

为解决上述问题，本发明提供了一种具有氟残留或氯残留的半导体结构的处理方法，包括：

将半导体结构置于等离子体处理腔室内，向等离子体处理腔室中通入第一气体，所述第一气体包括轰击气体，使所述第一气体产生第一等离子体，利用所述第一等离子体对半导体结构进行脱氟处理或脱氯处理；

进行所述脱氟处理或脱氯处理之后，向等离子体处理腔室中通入第二气体，使所述第二气体产生第二等离子体，利用所述第二等离子体对半导体结构进行表面钝化处理。

可选地，所述轰击气体包括Ar。

可选地，所述脱氟处理或脱氯处理的工艺参数包括：Ar的流量为20sccm～500sccm，压强为5mTorr～200mTorr，功率为100W～1500W。

可选地，所述第一气体还包括反应气体，所述反应气体包括H₂。

可选地，所述脱氟处理或脱氯处理的工艺参数包括：Ar的流量为20sccm～500sccm，H₂的流量为20sccm～500sccm，压强为5mTorr～200mTorr，功率为100W～1500W。

可选地，所述第二气体包括CH₄及N₂。

可选地，所述表面钝化处理的工艺参数包括：CH₄的流量为20sccm～500sccm，N₂的流量为20sccm～500sccm，压强为5mTorr～200mTorr，功率为100W～1500W。

可选地，所述半导体结构包括暴露在所述第一等离子体及第二等离子体下的铝垫。

可选地，所述半导体结构包括暴露在所述第一等离子体及第二等离子体下的铝垫，利用CH₄及N₂进行所述表面钝化处理之前，向等离子体处理腔室中通入O₂，使O₂产生等离子体，利用由O₂产生的等离子体对半导体结构进行表面钝化处理。

可选地，利用由O₂产生的等离子体对半导体结构进行表面钝化处理的工艺参数包括：O₂的流量为20sccm～500sccm，压强为5mTorr～200mTorr，功率为100W～1500W。

可选地，所述半导体结构包括暴露在所述第一等离子体及第二等离子体下的图形化氮化钛层。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明所提供的具有氟残留或氯残留的半导体结构的处理方法包括：将半导体结构置于等离子体处理腔室内，向等离子体处理腔室中通入第一气体，第一气体包括轰击气体，使第一气体产生第一等离子体，利用第一等离子体对半导体结构进行脱氟处理或脱氯处理；然后，向等离子体处理腔室中通入第二气体，使第二气体产生第二等离子体，利用第二等离子体对半导体结构进行表面钝化处理。通过脱氟处理或脱氯处理，防止氟残留或氯残留与半导体结构中的相应层发生反应，阻止半导体结构受到腐蚀。考虑到进行脱氟处理或脱氯处理之后半导体结构中可能会存在少量氯残留或氟残留，可对半导体结构进行表面钝化处理以在半导体结构表面形成钝化层，防止具有氟残留或氯残留的半导体结构与水分接触，进而避免了在半导体结构中形成晶体缺陷。

附图说明

图1是本发明中对具有氟残留或氯残留的半导体结构进行处理的流程图；

图2是本发明的一个实施方式中一种半导体结构的剖视图；

图3是本发明的另一个实施方式中一种半导体结构的剖视图。

具体实施方式