[发明专利]多层布线板、其制造方法以及半导体装置有效
申请号: | 201210167121.6 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN102821545B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 冈修一;柳川周作;足立研 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H05K1/16 | 分类号: | H05K1/16;H05K3/46;H01G4/33;H01G4/35;H01L23/13 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 褚海英,武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 布线 制造 方法 以及 半导体 装置 | ||
相关申请的交叉引用
本申请包括与2011年6月2日向日本专利局提交的日本专利申请JP2011-124604中公开的相关主题并要求其优先权,将其全部内容通过引用并入此处。
技术领域
本发明涉及一种诸如印刷线路板或内插基板(interposer substrate)的多层布线板、该多层布线板的制造方法以及包括所述多层布线板的半导体装置。
背景技术
在诸如印刷线路板或内插基板的多层布线板中,为了降低电源线对地的交流阻抗或者为滤除噪声成分以便不传输到后续电路中,安装有表面贴装片式电容器以作为去耦电容(旁路电容)。
然而,近年来,由于有源电路的电源电压的下降以及消耗电流的增加,强烈要求抑制电源电压的变化。从而,易于发生由于从电源线至去耦电容的引线布线中的寄生电阻或寄生电感而产生的影响,并且存在安装于印刷线路板的表面上的去耦电容不起作用的问题。
因此,出现了这样的趋势,即,通过在印刷线路板或内插基板中作为部件而嵌入去耦电容,从而显著抑制寄生阻抗。然而,在嵌入部件时,存在如下问题,即,当嵌入部件时基板变厚、由于安装部件所必需的场所而仍然存在寄生电感等等。
例如,在日本专利3816508号中说明了一种解决上述问题的方法。日本专利3816508号公开了一种技术,其中,在印刷线路板中嵌入了在上电极和下电极之间设有介电层的薄膜电容器。
发明内容
然而,在日本专利3816508号中,在基板中所嵌入的薄膜电容器中,由于诸如在制造工艺中的焊料回流、在产品使用中产生热等加热影响,故在电极和介电层之间的界面处发生剥离,并且存在产品寿命缩短的问题。
因此,期望提供一种能够抑制在薄膜电容器的电极和介电层之间的界面处的剥离的多层布线板、其制造方法以及包括所述多层布线板的半导体装置。
本发明的一个实施方式旨在提供一种多层布线板,该多层布线板包括:功能区,其包括在上电极和下电极之间具有介电层的薄膜电容器;和除功能区以外的周边区,其中,在周边区的至少一部分中设有层叠有介电层和导电层的系泊部(mooring portion),并且系泊部的导电层的与介电层接触的表面的粗糙度大于上电极或下电极的与介电层接触的表面的粗糙度。
在本发明的实施方式中,系泊部中的导电层的粗糙度大于功能区中的上电极或下电极的粗糙度。因此,导电层的与介电层接触的表面变得粗糙且表面积增大,并提高了导电层和介电层之间的粘合性。从而,抑制了功能区中的薄膜电容器的上电极或下电极与介电层之间的界面处的剥离。
本发明的另一实施方式旨在提供一种多层布线板的制造方法,该方法包括:(A)使金属箔的表面的一部分的粗糙度恶化;(B)在金属箔的表面上依次层叠介电层和导电材料层;(C)通过使金属箔成型,形成薄膜电容器的下电极,并且在粗糙度恶化的区域中形成层叠有介电层和下导电层的系泊部;并且(D)通过使导电材料层成型以形成薄膜电容器的上电极。
本发明的又一实施方式旨在提供一种多层布线板的制造方法,该方法包括:(A)在金属箔的表面上依次层叠介电层和导电材料层;(B)通过激光处理使金属箔或导电材料层的与介电层接触的表面的一部分的粗糙度恶化;(C)通过使金属箔成型,形成薄膜电容器的下电极,并且在粗糙度恶化的区域中形成层叠有介电层和下导电层的系泊部;并且(D)通过使导电材料层成型,形成薄膜电容器的上电极,并且在系泊部中形成上导电层。
本发明的再一实施方式旨在提供一种多层布线板的制造方法,该方法包括:(A)在金属箔的表面上依次层叠介电层和导电材料层;(B)通过使金属箔成型,形成薄膜电容器的下电极,并且形成层叠有介电层和下导电层的系泊部;(C)通过激光处理,使系泊部中的下导电层或导电材料层的与介电层接触的表面的粗糙度恶化;并且(D)通过使导电材料层成型以形成薄膜电容器的上电极。
本发明的还一实施方式旨在提供一种多层布线板的制造方法,该方法包括:(A)在金属箔的表面上依次层叠介电层和导电材料层;(B)通过使金属箔成型,形成薄膜电容器的下电极,并且形成层叠有介电层和下导电层的系泊部;(C)通过使导电材料层成型,形成薄膜电容器的上电极,并且在系泊部上形成上导电层;并且(D)通过激光处理,使系泊部中的上导电层或下导电层的与介电层接触的表面的粗糙度恶化。
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