[发明专利]有机银络合物、其制造方法及其形成薄层的方法有效
申请号: | 201210147379.X | 申请日: | 2006-02-07 |
公开(公告)号: | CN102702237A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 郑光春;赵显南;孔明宣;韩利燮;朴正滨;南东宪;严圣镕;徐永官 | 申请(专利权)人: | 印可得株式会社 |
主分类号: | C07F1/10 | 分类号: | C07F1/10;C23C14/14;C23C14/34;C23C16/18;C23C18/08;C23C18/31 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 络合物 制造 方法 及其 形成 薄层 | ||
本申请是分案申请,其原申请的申请号为200680001222.9,申请日为2006年2月7日,发明名称为“有机银络合物、其制造方法及其形成薄层的方法”。
技术领域
本发明涉及一种新颖的有机银络合物及其制备方法,所述有机银络合物通过使银化合物与氨基甲酸铵化合物或碳酸铵化合物发生反应而制备。
背景技术
跟据乌尔曼化学工业百科全书(Ullmann’s Encyclopedia of Ind.Chem.)第A24卷,107页(1993年),银是具有抗氧化能力的贵金属,并具有优异的导电性和导热性以及催化活性和抗菌活性。因此,银和银化合物广泛用于合金、镀覆、药物、摄影、电学和电子装置、纤维、清洁剂、家用电器等等。
银化合物可以用作有机化合物及聚合物合成时的催化剂。特别是由于近来调整了铅在电学及电子电路中的用途,因此银在低电阻金属线路、印刷电路板(PCB)、柔性印刷电路板(FPC)、用于射频识别(RFID)标签的天线、等离子体显示板(PDP)、液晶显示器(TFT-LCD)、有机发光二极管(OLED)、柔性显示器和作为金属图案或电极的有机薄膜晶体管(OTFT)中的应用正在不断增长。
银主要以包含银粉、粘合剂和溶剂的糊状物的形式使用。或者,诸如硝酸银等银化合物与另一种化合物在水性溶液或有机溶剂中反应以获得包含纳米颗粒的多种银化合物或有机银化合物。这些有机银化合物通过化学气相沉积(CVD)、等离子体气相沉积、溅射、电镀、光刻、电子束技术、激光技术等用于形成金属图形。
对于有机银络合物来说最常用的配位物是羧酸(Prog.Inorg.Chem.,10,第233页(1968年))。然而,因为含有银的金属羧酸盐络合物通常对光敏感、难以溶解在有机溶剂中(J.Chem.Soc.,(A).,第514页(1971年),美国专利5,534,312(1996年7月9日))并具有较高的分解温度,因此尽管其易于制备但它们的应用仍受到限制。为解决此问题,已经在下列文献中提出了若干方法:J.Inorg.Nucl.Chem.,第40期,第1599页(1978年)、Ang.Chem.,Int.Ed.Engl.,第31期,第770页(1992年)、Eur.J.Solid State Inorg.Chem.,第32期,第25页(1995年)、J.Chem.Cryst.,第26期,第99页(1996年)、Chem.Vapor Deposition,第7期,第111页(2001年)、Chem.Mater.,第16期,第2021页(2004年)、美国专利5,705,661(1998年1月6日)和韩国专利2003-0085357(2003年11月5日)。上述方法均是使用具有长烷基链的羧酸化合物或包含胺化合物或膦化合物的方法。然而,迄今为止已知的银衍生物有限并且具有的稳定性或溶解性不足。此外,对于形成图案而言所述银衍生物的分解温度较高且分解缓慢。
1948年公开的英国专利609,807中披露了如下的方法:使碳酸铵或氨基甲酸铵与过渡金属盐发生反应从而在生成二氧化碳时获得由氨配位的过渡金属盐。该专利提到由氨配位的银络合物可通过上述方法制备。然而,本发明人意外地发现当将碳酸铵或氨基甲酸铵添加至诸如氧化银等银化合物中时,可以获得稳定的银络合物而不会生成二氧化碳。本发明人还证实了银络合物可离析为固体并易于制成薄膜。
本发明的银络合物的特征在于,由于它们可以在各种反应条件下制备、具有优异的稳定性和溶解性、易于制成薄膜,因此能够容易地形成金属图案,并在低温下分解,从而易于制成薄膜或粉末。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种新颖的有机银络合物及其制备方法,所述有机银络合物通过使银化合物与氨基甲酸铵化合物或碳酸铵化合物发生反应而制备。
本发明的另一个目的是提供一种新颖的有机银络合物及其制备方法,所述有机银络合物具有优异的稳定性和溶解性并易于制成薄膜。
本发明的又一目的是提供一种新颖的有机银络合物及其制备方法,由于所述有机银络合物可在低温下分解因此其能够形成高浓度的金属膜。
附图说明
图1是实施例1的银络合物的1H核磁共振(NMR)谱。
图2是实施例1的银络合物的13C核磁共振谱。
图3是实施例1的银络合物的红外(IR)光谱。
图4是实施例1的银络合物的热重分析(TGA)热谱图。
图5是实施例1的银络合物的差示扫描量热法(DSC)热谱图。
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