[发明专利]一种有机薄膜场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，包括：

将高分子聚合物与有机半导体分子溶解到有机溶剂中，制备高分子聚合物与有机半导体分子的混合溶液；以及，

通过电纺丝设备利用该混合溶液制备有机薄膜场效应晶体管的有源层，形成有机半导体纳米纤维膜。

2.如权利要求1所述的制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，所述场效应晶体管为底栅-顶接触、底栅-底接触、顶栅-顶接触、顶栅-顶接触的结构中的一种。

3.如权利要求2所述的制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，通过电纺丝设备制备有源层的方法包括：

将高分子聚合物与有机半导体分子的混合溶液放置到电纺丝设备的喷丝管中；

将待沉积有源层的表面作为接受板接地；

通过电纺丝设备给高分子聚合物与有机半导体分子的混合溶液加上10⁴～10⁵V电压制备有机半导体纳米纤维膜；

挥发有机溶剂，形成有源层。

4.如权利要求3所述的制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，有机半导体分子与高分子聚合物的摩尔比为0.1～10。

5.如权利要求3或4所述的制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，制备混合溶液的方法为将高分子聚合物与有机半导体分子的混合溶液在20～100℃的条件下搅拌1～48h，使其完全溶解混合，再冷却至室温。

6.如权利要求5所述的制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，采用红外灯加热技术挥发有机溶剂。

7.如权利要求6所述的制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，所述喷丝管的管头内径为0.5～5mm，喷丝管到接受板的距离为5～30cm。

8.如权利要求7所述的制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，所述高分子聚合物包括聚丙烯腈、聚丙烯酸、聚苯乙烯以及聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种。

9.如权利要求8所述的制备有机薄膜场效应场效应晶体管的方法，其特征在于，所述有机半导体分子包括有机小分子化合物或有机半导体聚合物中的至少一种。

10.如权利要求9所述的制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，所述有机小分子化合物为稠环芳香族有机半导体化合物，包括并苯类、金属酞菁类、苝、苝酰亚胺衍生物、苝酐类，四氟基对苯鲲二甲烷金属类、富勒烯及或其它的具有平面分子构成的有机半导体化合物中的至少一种。

11.如权利要求10所述的制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，所述有机半导体聚合物包括聚3基噻吩系列，聚噻吩系列中的至少一种。

12.如权利要求11所述的制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，在衬底上制备源、漏电极的方法是气溶胶印刷法、喷墨印刷法、磁控溅射、光刻、真空蒸镀沉积法之一。

13.如权利要求12所述的制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，所述衬底为玻璃、陶瓷、硅、塑料中的至少一种。

14.如权利要求13所述的制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，源、漏电极的材质是金、银、铜、PEDOT:PSS聚合物材料中之一。