[发明专利]一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：

在外延层上生成氧化层；

在所述氧化层的表面进行光刻，生成沟槽光刻图形；

利用所述沟槽光刻图形，刻蚀沟槽；

在所述沟槽内生成栅极结构；

去除所述氧化层，使得所述栅极结构的顶端高于所述外延层平面；

通过在所述外延层普注的方式生成体区；

通过在所述体区表层上普注的方式，生成初始源区；

利用所述栅极结构高出的侧壁，生成侧墙；

对生成侧墙后得到的器件的表面进行刻蚀，形成源区，对所述初始源区刻蚀的深度不小于所述初始源区的厚度；对所述侧墙刻蚀的深度小于所述侧墙的厚度；

在形成源区后得到的器件的表面进行自对准硅化物的制作；

制作连接所述栅极结构上覆盖的自对准硅化物的栅极金属连接线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，制作连接所述栅极结构上覆盖的自对准硅化物的栅极金属连接线，进一步包括：

制作连接用于短接所述源区和所述体区的自对准硅化物的源极金属连接线。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述侧墙的材料对所述初始源区的材料的刻蚀选择比大于1∶1，且所述侧墙材料对所述栅极结构的材料的刻蚀选择比大于1∶1。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过在所述外延层普注的方式生成体区，包括：

在生成氧化层之前，通过在所述外延层普注的方式生成体区；

或者，

在生成氧化层之后、生成沟槽光刻图形之前，通过在所述外延层普注的方式生成体区；

或者，

在生成栅极结构之后，去除氧化层之前，通过在所述外延层普注的方式生成体区；

或者，

在去除氧化层之后，生成侧墙之前，通过在所述外延层普注的方式生成体区。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，通过在所述体区表层上普注的方式，生成初始源区，包括：

在生成所述体区之后、生成所述侧墙之前的任意两道工序之间，通过在所述体区表面上普注的方式，生成初始源区。

6.一种沟槽型VDMOS器件，包括：外延层，制作在所述外延层的体区，制作在所述外延层、位于所述体区表层上的源区，制作在所述外延层的沟槽，制作在所述沟槽内的栅极结构，其特征在于，所述栅极结构的顶端高于所述外延层平面，所述沟槽型VDMOS器件还包括：

覆盖在所述栅极结构上的硅化物；

附在所述栅极结构高出所述外延层平面部分的侧壁的侧墙，所述源区在所述侧墙的覆盖下；

用于短接所述源区和所述体区的硅化物，所述硅化物采用自对准工艺制作；

连接所述覆盖在所述栅极结构上的硅化物的栅极金属连接线。

7.根据权利要求6所述的沟槽型VDMOS器件，其特征在于，所述VDMOS器件还包括：

连接所述用于短接所述源区和所述体区的硅化物的源极金属连接线。