[发明专利]太阳电池无死层发射极的制作方法

权利要求书

1.一种太阳电池无死层发射极的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）将制绒后的硅片，放入扩散炉，进行扩散制备结深为150—500nm的发射极，方阻为20—80ohm/sq;

（2）将已完成扩散的硅片，印刷腐蚀性浆料；

（3）将印刷有腐蚀性浆料的硅片放入烧结炉中烘干并腐蚀硅片； 

（4）将硅片放入浓度为5%—10%的HF酸溶液中，超声波清洗1—60min，得到无死层发射极。

2.根据权利要求1所述的太阳电池无死层发射极的制作方法，其特征在于，步骤（2）中腐蚀性浆料为Merck浆料 。

3.根据权利要求1所述的太阳电池无死层发射极的制作方法，其特征在于，步骤（2）中腐蚀性浆料单片印重为0.02—1.5g。

4.根据权利要求1所述的太阳电池无死层发射极的制作方法，其特征在于，步骤（3）中，烧结炉温度为150—500℃，时间为1—30min。