[发明专利]发光二极管封装件及其制造方法无效
申请号: | 201210075890.3 | 申请日: | 2012-03-21 |
公开(公告)号: | CN102694111A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 朴宪勇;金智贤;俞在成;黄圣德;宋永僖 | 申请(专利权)人: | 三星LED株式会社 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L33/62 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:
基底;
发光二极管芯片,安装在基底上;
透镜单元,通过注射用于围绕并保护发光二极管芯片的包封剂来形成;以及
至少一个折射构件,设置在透镜单元中。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述至少一个折射构件折射或反射由发光二极管芯片发射的光。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述至少一个折射构件包括至少一个气泡或折射率与透镜单元的折射率不同的至少一个外来物质。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,透镜单元以球形形状或中心凹进的蝙蝠翼形状设置。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装件,所述发光二极管封装件还包括设置在基底的上表面上的高反射涂层。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,通过所述至少一个折射构件的尺寸或数量来调整用于折射或反射由发光二极管芯片发射的光的折射率。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,根据包封剂的粘度控制所述至少一个折射构件的位置。
8.一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:
封装件主体,包括腔和引线框架,引线框架在腔的底表面的一侧插入以暴露在腔的任一侧上;
发光二极管芯片,安装在腔的底表面上并与引线框架电连接;
成型单元,通过将成型树脂注射在其上安装有发光二极管芯片的腔中来形成;
透镜单元,通过将透明树脂注射在成型单元上来形成;以及
至少一个第一折射构件,设置在透镜单元中。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装件,所述发光二极管封装件还包括设置在成型单元中的至少一个第二折射构件。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装件,其中,所述至少一个第一折射构件或所述至少一个第二折射构件折射或反射由发光二极管芯片发射的光。
11.如权利要求9所述的发光二极管封装件,其中,所述至少一个第一折射构件或所述至少一个第二折射构件包括至少一个气泡或折射率与透镜单元的折射率不同的至少一个外来物质。
12.如权利要求8所述的发光二极管封装件,其中,透镜单元以球形形状或中心凹进的蝙蝠翼形状设置。
13.如权利要求8所述的发光二极管封装件,所述发光二极管封装件还包括设置在成型单元和透镜单元之间的光漫射层。
14.如权利要求8所述的发光二极管封装件,其中,通过所述至少一个第一折射构件的尺寸或数量来调整用于折射或反射由发光二极管芯片发射的光的折射率。
15.如权利要求8所述的发光二极管封装件,其中,根据透明树脂的粘度控制所述至少一个第一折射构件的位置。
16.如权利要求9所述的发光二极管封装件,其中,根据成型树脂的粘度控制所述至少一个第二折射构件的位置。
17.一种用于发光二极管封装件的制造方法,所述制造方法包括:
准备基底;
在基底上安装发光二极管芯片;
通过注射用于围绕并保护发光二极管芯片的包封剂形成透镜单元;以及
在透镜单元中形成至少一个折射构件。
18.如权利要求17所述的制造方法,其中,所述至少一个折射构件折射或反射由发光二极管芯片发射的光。
19.如权利要求17所述的制造方法,其中,所述至少一个折射构件包括至少一个气泡或折射率与透镜单元的折射率不同的至少一个外来物质。
20.如权利要求17所述的制造方法,所述制造方法还包括在基底的上表面上形成高反射涂层。
21.如权利要求19所述的制造方法,其中,所述形成至少一个反射构件的步骤包括:
通过使用注射器或微玻璃管将由微计量泵产生的气体注射到透镜单元中来形成至少一个气泡。
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