[发明专利]具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件有效
| 申请号： | 201210041323.6 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102820324B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 宋俔在;赵炳珍;徐顺爱;申宇哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 多层 栅极 绝缘 石墨 电子器件 | ||
1.一种石墨烯电子器件，包括：
导电基板，用作栅极电极；
栅极绝缘层，形成在所述导电基板上；
石墨烯沟道层，形成在所述栅极绝缘层上；以及
源极电极和漏极电极，分别形成在所述石墨烯沟道层的两端上，
其中所述栅极绝缘层包括无机绝缘层和有机绝缘层。
2.如权利要求1所述的石墨烯电子器件，其中所述有机绝缘层设置在所述无机绝缘层与所述石墨烯沟道层之间。
3.如权利要求1所述的石墨烯电子器件，其中所述有机绝缘层包括氟基聚合物。
4.如权利要求3所述的石墨烯电子器件，其中所述有机绝缘层由从聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚全氟丁烯乙烯基醚、聚四氟乙烯(PTFE)以及非晶含氟聚合物构成的组中选出的一种材料形成。
5.如权利要求1所述的石墨烯电子器件，其中所述有机绝缘层具有小于所述无机绝缘层的厚度。
6.如权利要求1所述的石墨烯电子器件，其中所述有机绝缘层具有在从1nm至20nm的范围内的厚度。
7.如权利要求1所述的石墨烯电子器件，其中所述无机绝缘层由从硅氧化物、铝氧化物和铪氧化物构成的组中选出的一种材料形成。
8.如权利要求1所述的石墨烯电子器件，其中所述石墨烯沟道层包括单层石墨烯或双层石墨烯。
9.如权利要求1所述的石墨烯电子器件，其中所述石墨烯沟道层是纳米带石墨烯，所述石墨烯电子器件是场效应晶体管。
10.如权利要求1所述的石墨烯电子器件，还包括覆盖所述石墨烯沟道层的钝化层。
11.一种石墨烯电子器件，包括：
基板；
石墨烯沟道层，形成在所述基板上；
源极电极和漏极电极，分别形成在所述石墨烯沟道层的两端上；
栅极绝缘层，形成为覆盖位于所述源极电极与所述漏极电极之间的所述石墨烯沟道层；以及
栅极电极，形成在所述源极电极与所述漏极电极之间的所述栅极绝缘层上，
其中所述栅极绝缘层包括有机绝缘层和形成在所述有机绝缘层上的无机绝缘层。
12.如权利要求11所述的石墨烯电子器件，其中所述有机绝缘层形成在所述无机绝缘层与所述石墨烯沟道层之间。
13.如权利要求11所述的石墨烯电子器件，其中所述有机绝缘层包括氟基聚合物。
14.如权利要求13所述的石墨烯电子器件，其中所述有机绝缘层由从聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚全氟丁烯乙烯基醚、聚四氟乙烯(PTFE)以及非晶含氟聚合物构成的组中选出的一种材料形成。
15.如权利要求11所述的石墨烯电子器件，其中所述有机绝缘层具有小于所述无机绝缘层的厚度。
16.如权利要求11所述的石墨烯电子器件，其中所述有机绝缘层具有在从1nm至20nm的范围内的厚度。
17.如权利要求11所述的石墨烯电子器件，其中所述无机绝缘层由从硅氧化物、铝氧化物和铪氧化物构成的组中选出的一种材料形成。
18.如权利要求11所述的石墨烯电子器件，其中所述石墨烯沟道层包括单层石墨烯或双层石墨烯。
19.如权利要求11所述的石墨烯电子器件，其中所述石墨烯沟道层是纳米带石墨烯，所述石墨烯电子器件是场效应晶体管。
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