[发明专利]半导体装置及其加速抹除验证程序的方法有效

专利信息
申请号: 201210006126.0 申请日: 2012-01-10
公开(公告)号: CN103198853A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 陈敦仁 申请(专利权)人: 宜扬科技股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/12
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 任默闻
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 加速 验证 程序 方法
【权利要求书】:

1.一种可加速抹除验证程序的半导体装置,包含一页缓冲器及内含多条位线的一存储单元阵列,所述多条位线接收一抹除验证指令,其特征在于,更包含:

一抹除验证修正单元,连接于所述位线与所述页缓冲器之间,所述抹除验证修正单元具有对应地连接所述位线的多个接地开关,所述接地开关被设定为在接收所述抹除验证指令时使所述位线中已毁损的位线连接至接地电压。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述接地开关被设定为在接收该抹除验证指令时,其余未毁损的位线亦连接至所述接地电压。

3.一种加速半导体装置的抹除验证程序的方法,其特征在于,所述半导体装置包含一页缓冲器及内含多条位线的一存储单元阵列,所述方法包含:

取得所述存储单元阵列中已毁损的位线的地址;

将一抹除验证修正单元连接于所述位线与所述页缓冲器之间,并使所述抹除验证修正单元中的多个接地开关对应地连接所述位线;及

根据所述地址,设定所述接地开关,以在所述抹除验证修正单元接收到一抹除验证指令时,使连接至已毁损的位线的接地开关连接至接地电压。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,在所述抹除验证修正单元接收到所述抹除验证指令时,使连接至其余位线的接地开关亦连接至接地电压。

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