[发明专利]金属熔丝结构及其制造方法有效
申请号: | 201110346468.2 | 申请日: | 2011-11-04 |
公开(公告)号: | CN103094248A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 李亮 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525;H01L21/768 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种金属熔丝结构,其特征是,在次顶层金属之上为一U形金属层,该U形金属层的底面与所述次顶层金属相接触;该U形金属层的底面之上为钝化层;所述次顶层金属与U形金属层的底面一起构成金属熔丝结构,所述U形金属层底面之上的钝化层为所述金属熔丝结构的保护层。
2.根据权利要求1所述的金属熔丝结构,其特征是,所述U形金属层之上的钝化层也呈U形,与所述U形金属层的底面和两侧面相接触。
3.如权利要求1所述的金属熔丝结构的制造方法,其特征是,包括如下步骤:
第1步,定义次顶层金属,至少在熔丝区和焊盘区保留次顶层金属,并在整个硅片淀积一层介质材料作为层间介质;
第2步,在焊盘区的层间介质中刻蚀出通孔,同时在熔丝区的层间介质中刻蚀出通孔;
第3步,在整个硅片淀积一层金属,至少将焊盘区的通孔填充满,同时在熔丝区的通孔的底部和侧壁形成一层金属层;
第4步,将所淀积的金属层平坦化,直至研磨到层间介质的上表面;
此时在焊盘区的通孔中就形成了接触孔电极,同时在熔丝区的通孔中就形成了U形金属层,该U形金属层的底部与熔丝区的次顶层金属相接触,该U形金属层的两侧与熔丝区的通孔的两侧壁相接触;熔丝区的次顶层金属和U形金属层的底面就构成了金属熔丝结构;
第5步,定义顶层金属,至少保留焊盘区的顶层金属作为焊盘;
第6步,在整个硅片淀积一层钝化层,熔丝区中的钝化层形成在所述U形金属层的底面之上和两侧壁之内侧;
此时,所述U形金属层的底面之上的钝化层就构成了金属熔丝结构的保护层;
第7步,将焊盘区内的钝化层去除,使焊盘暴露出来。
4.所述的金属熔丝结构的制造方法,其特征是,所述方法第2步中,焊盘区中的通孔底部为次顶层金属,熔丝区中的通孔底部也为次顶层金属。
5.所述的金属熔丝结构的制造方法,其特征是,所述方法第2步中,熔丝区中的通孔宽度在5μm以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110346468.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种五陷波超宽带天线
- 下一篇:一种汽车尾气净化器检测设备的远程控制系统