[发明专利]金属熔丝结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110346468.2 申请日: 2011-11-04
公开(公告)号: CN103094248A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 李亮 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525;H01L21/768
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 金属 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种金属熔丝结构,其特征是,在次顶层金属之上为一U形金属层,该U形金属层的底面与所述次顶层金属相接触;该U形金属层的底面之上为钝化层;所述次顶层金属与U形金属层的底面一起构成金属熔丝结构,所述U形金属层底面之上的钝化层为所述金属熔丝结构的保护层。

2.根据权利要求1所述的金属熔丝结构,其特征是,所述U形金属层之上的钝化层也呈U形,与所述U形金属层的底面和两侧面相接触。

3.如权利要求1所述的金属熔丝结构的制造方法,其特征是,包括如下步骤:

第1步,定义次顶层金属,至少在熔丝区和焊盘区保留次顶层金属,并在整个硅片淀积一层介质材料作为层间介质;

第2步,在焊盘区的层间介质中刻蚀出通孔,同时在熔丝区的层间介质中刻蚀出通孔;

第3步,在整个硅片淀积一层金属,至少将焊盘区的通孔填充满,同时在熔丝区的通孔的底部和侧壁形成一层金属层;

第4步,将所淀积的金属层平坦化,直至研磨到层间介质的上表面;

此时在焊盘区的通孔中就形成了接触孔电极,同时在熔丝区的通孔中就形成了U形金属层,该U形金属层的底部与熔丝区的次顶层金属相接触,该U形金属层的两侧与熔丝区的通孔的两侧壁相接触;熔丝区的次顶层金属和U形金属层的底面就构成了金属熔丝结构;

第5步,定义顶层金属,至少保留焊盘区的顶层金属作为焊盘;

第6步,在整个硅片淀积一层钝化层,熔丝区中的钝化层形成在所述U形金属层的底面之上和两侧壁之内侧;

此时,所述U形金属层的底面之上的钝化层就构成了金属熔丝结构的保护层;

第7步,将焊盘区内的钝化层去除,使焊盘暴露出来。

4.所述的金属熔丝结构的制造方法,其特征是,所述方法第2步中,焊盘区中的通孔底部为次顶层金属,熔丝区中的通孔底部也为次顶层金属。

5.所述的金属熔丝结构的制造方法,其特征是,所述方法第2步中,熔丝区中的通孔宽度在5μm以上。

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