[发明专利]光感测模组的制作方法有效
申请号: | 201110330129.5 | 申请日: | 2011-10-21 |
公开(公告)号: | CN103066080A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 陈振亨 | 申请(专利权)人: | 奇景光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/66;G02B7/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蔡胜利 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光感测 模组 制作方法 | ||
【技术领域】
本发明是有关于一种光学模组的制作方法,且特别是有关于一种光感测模组的制作方法。
【背景技术】
随着电子产品的模组微型化与低价化的趋势,晶圆级模组(wafer level module,WLM)技术的出现备受关注。晶圆级模组的技术可将电子产品利用晶圆级的制造技术,以将电子产品的体积微型化并降低成本。举例来说,将晶圆级模组的技术应用于制作镜头模组上,能使镜头模组的体积远小于传统的镜头模组的体积,进而便于应用在例如笔记本电脑、手机等电子装置的相机模组上。
常见的晶圆级光感测模组包括镜头模组与配置在镜头模组上的光感测器。一般而言,习知技艺者会先将完成的光感测模组固定于透镜架内,接着再对镜头模组进行有效焦距的量测,以确定镜头模组的有效焦距是否符合预定值。然而,由于此时镜头模组已制作完成且以固定于透镜架内,故光感测器常因无法调整而使得其所侦测到的影像是模糊不轻的。因此,一旦镜头模组的有效焦距与预定值不符时,光感测模组便会因此直接报废。由此可知,传统制作晶圆级光感测模组的方法容易有良率低落以及成本浪费的缺点。
【发明内容】
有鉴于此,本发明提供一种光感测模组的制作方法,其可有效提升产品良率,而能节省制作成本。
本发明提出一种光感测模组的制作方法,包括以下步骤。提供一透镜模组与一透镜架。然后,将透镜模组配置于透镜架内。继之,量测位于透镜架内的透镜模组的有效焦距,以得到一量测结果。最后,依据上述的量测结果决定一光感测器与透镜模组的相对位置,并将光感测器与透镜模组固定于透镜架上。
在本发明的一实施例中,上述的依据量测结果决定光感测器与透镜模组的相对位置包括:移动光感测器位于透镜架的位置。
在本发明的一实施例中,上述的透镜架具有一开孔。
在本发明的一实施例中,上述的透镜架的材质为塑胶或金属。
在本发明的一实施例中,上述的透镜架为一挡光杯。
在本发明的一实施例中,上述的透镜模组包括多个透镜层与一第一间隔层,且第一间隔层配置于这些透镜层之间。
在本发明的一实施例中,每一透镜层包括一透光基板与一光学元件。
在本发明的一实施例中,上述的第一间隔层具有一厚度,以使不同透镜层的光学元件彼此维持一间距。
在本发明的一实施例中,上述的透光基板与光学元件的形成方式为一体成型或各自成型。
在本发明的一实施例中,上述的透镜模组更包括一第二间隔层。第二间隔层配置于透镜层上相对第一间隔层的一侧。
在本发明的一实施例中,上述的透镜模组更包括一第三间隔层。第三间隔层配置于透镜层上相对第二间隔层的一侧。
在本发明的一实施例中,上述的第一间隔层、第二间隔层与第三间隔层分别具有一贯孔,以暴露上述的光学元件。
在本发明的一实施例中,上述的光感测器为互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)光感测器或电荷耦合元件(charge coupled devices,CCDs)。
基于上述,本发明的制作光感测模组的方法是于光感测器模组完成前先量测透镜模组位于透镜架内的有效焦距,再依据量测结果调整光感测器与透镜模组的相对位置,并将光感测器与透镜模组固定于透镜架上。因此,能确保光感测器位于透镜模组的有效焦距上,从而能侦测到清楚的影像。如此一来,将能提升光感测模组的良率与节省制作成本。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
【附图说明】
图1A至图1E为本发明一实施例的光感测模组的制作流程剖面示意图。
图2为图1A的透镜架的立体示意图。
图3为图1A的透镜模组未切割前的部份剖面示意图。
100:透镜模组
200:透镜架
300:光感测器
400:光感测模组
110:透镜层
112:透光基板
114、114a、114a’、114a”、114b:光学元件
120、130、140:间隔层
150:测试图
152:条纹
150’:测试图成像
152:条纹成像
210:透镜架的上缘
310:光感测层
320:基板
322:锡球
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的