[发明专利]数据读取方法、存储器储存装置及其存储器控制器

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于可复写式非挥发性存储器的数据读取方法，且特别是涉及一种能够重新调整门槛电压以正确地读取数据的方法及使用此方法的存储器控制器与存储器储存装置。

背景技术

数字相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对数字内容的储存需求也急速增加。由于闪存(Flash Memory)具有数据非挥发性、省电、体积小与无机械结构等的特性，适合使用者随身携带作为数字档案传递与交换的储存媒体。固态硬盘(Solid State Drive，SSD)就是以闪存作为储存媒体的一个例子，并且已广泛使用于电脑主机系统中作为主硬碟。

目前的闪存主要分为两种，分别为反或型闪存(NOR Flash)与反及型闪存(NAND Flash)。闪存亦可根据每一记忆胞可储存的数据位元数而区分为多阶记忆胞(Multi-Level Cell，MLC)闪存及单阶记忆胞(Single-LevelCell，SLC)闪存。SLC闪存的每个记忆胞仅能储存1个位元数据，而MLC闪存的每个记忆胞可储存至少2个以上的位元数据。例如，以4层记忆胞闪存为例，每一记忆胞可储存2个位元数据(即，″11″、″10″、″00″与″01″)。

在闪存中，记忆胞会由位元线(Bit Line)与字元线(Word Line)来串起而形成一记忆胞阵列(memory cell array)。当控制位元线与字元线的控制电路在读取或写入数据到记忆胞阵列的指定记忆胞时，其他非指定的记忆胞的浮动电压可能会受到干扰(disturb)，进而造成错误位元(即，控制电路从记忆胞中所读取的数据(亦称为读取数据)与原先所写入的数据(亦称为写入数据不同)。或者，当闪存亦可能因长期闲置、存储器漏电、或是多次擦除或写入等因素而造成磨耗(Wear)情况时，记忆胞中的浮动电压亦可能改变而造成错误位元。

一般来说，存储器储存装置会配置错误校正电路。在写入数据时，错误校正电路会为所写入的数据产生错误校正码，并且在读取数据时，错误校正电路会依据对应的错误校正码来为所读取的数据进行错误校正解码(亦称为错误检查与校正程序)，由此更正错误位元。然而，错误校正电路所能够校正的错误位元数是有限的，一旦所读取的数据的错误位元的个数超过错误校正电路所能校正的错误位元的个数时，所读取的数据将无法被校正。此时，主机系统将无法正确地从存储器储存装置中读取到正确的数据。由于工艺的演进或存储器本身的硬体架构的特性造成错误位元越来越多(如多阶记忆胞闪存的每一记忆胞可储存的位元数越多其可能产生的错误位元亦较SLC为多)，因此，如何确保所读取的数据的正确性，成为此领域技术人员所关注的议题。

发明内容

本发明提供一种数据读取方法、存储器控制器与存储器储存装置，其能够正确地读取数据。

本发明范例实施例提出一种数据读取方法，用于可复写式非挥发性存储器模块，其中此可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体页面。本数据读取方法包括将这些实体页面分组为多个实体页面群并且为这些实体页面群之中的第一实体页面群设定第一门槛电压组，其中此第一门槛电压组具有多个门槛电压。本数据读取方法也包括使用第一门槛电压组从第一实体页面中读取第一数据，其中此第一实体页面属于第一实体页面群。本数据读取方法还包括，当第一数据可藉由错误校正电路来校正而产生已校正数据并且对应此第一数据的错误位元数非小于错误位元数门槛值时，计算对应此第一实体页面群的门槛电压的多个补偿电压。本数据读取方法还包括使用这些补偿电压调整第一门槛电压组的门槛电压并且使用调整后的第一门槛电压组从属于第一实体页面群的实体页面中读取数据。

在本发明的一实施例中，上述的数据读取方法还包括：根据对应第一实体页面群的擦除次数动态地调整上述错误位元数门槛值。

在本发明的一实施例中，上述的数据读取方法害包括：在计算对应第一实体页面群的门槛电压的补偿电压之后，使用预设调整值调整上述错误位元数门槛值。

在本发明的一实施例中，上述的计算对应第一实体页面群的门槛电压的补偿电压的步骤包括：藉由比对上述第一数据与已校正数据来获得一错误位元信息以及依据此错误位元信息来计算上述补偿电压。

在本发明的一实施例中，上述的第一实体页面中是第一实体页面群的实体页面之中发生最多错误位元的实体页面。