[发明专利]重新形成光刻胶图形的方法

权利要求书

1.一种重新形成光刻胶图形的方法，其特征在于，该方法包括：

通过光刻胶层重做工序去除已形成的光刻胶图形；

在蚀刻机台中通过沉积工序在硬掩膜层上形成一个沉积层；

通过刻蚀工序去除所述沉积层，实现对所述硬掩膜层表面的粗糙化；

通过光刻胶层重新涂覆工序在粗糙化后的硬掩膜层上重新涂覆光刻胶层；

对所述光刻胶层依次执行曝光、显影、清洗工序，重新形成新的光刻胶图形。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述通过光刻胶层重做工序去除已形成的光刻胶图形之前，该方法还进一步包括：

在基底材料上依次分别形成介质层、底部抗反射涂层、硬掩膜层和光刻胶层；

对所述光刻胶层依次执行曝光、显影、清洗工序，形成光刻胶图形。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

在进行光刻胶层重做工序时，所使用的气体为含氧的刻蚀气体。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：

所述含氧的刻蚀气体为氧气、二氧化碳或一氧化碳。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在蚀刻机台中通过沉积工序在硬掩膜层上形成一个沉积层包括：

在蚀刻机台中使用预设成份的用于沉积的气体进行沉积，从而在所述硬掩膜层上形成一个具有粗糙表面的沉积层；

其中，所述预设成份的用于沉积的气体为碳氢含量高而氟含量低的气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述碳氢含量高而氟含量低的气体包括：CH₄、CH₃F、CH₂F₂和/或CHF₃。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

在进行所述沉积工序时所使用的气体包括：CH₂F₂和H₂；

其中，所述CH₂F₂的流量为70～100标准毫升/分钟；所述H₂的流量为50～70标准毫升/分钟；气压为50～70毫托；源功率为300～500瓦；所述沉积工序的持续时间为6～10秒。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述刻蚀工序中所使用的刻蚀气体是具有氧化性的非氟气体。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述具有氧化性的非氟气体包括：氧气、二氧化碳、一氧化碳、氮气或氨气。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

在进行所述刻蚀工序时所使用的气体包括：氧气；

其中，氧气的流量为900～1100标准毫升/分钟；气压为100～300毫托；源功率为200～400瓦；偏置功率为100～300瓦；所述刻蚀工序的持续时间为11～15秒。