[发明专利]遮挡框及其制作方法有效
申请号: | 201010003114.3 | 申请日: | 2010-01-05 |
公开(公告)号: | CN102117759A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 朴炳俊;苏金种;刘芳钰 | 申请(专利权)人: | 世界中心科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/00 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾台中县梧*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 遮挡 及其 制作方法 | ||
1.一种遮挡框,用于在光电半导体工艺中将玻璃基板固定,其中所述玻璃基板放置于加热板上,所述遮挡框与所述加热板相嵌合而将所述玻璃基板固定,其特征在于,所述遮挡框包含有:
框形本体,其材质为铝;以及
接触件,其设置于所述框形本体的框架,且所述接触件穿透所述框形本体的正反面与所述框形本体固着,所述遮挡框透过所述接触件与所述加热板相嵌合;
其中,所述接触件包含有陶瓷块及铝材片,所述铝材片与所述陶瓷块固定在一起,且所述铝材片与铝质的所述框形本体焊接在一起,使得所述接触件与所述框形本体固着,而且所述陶瓷块上设有槽孔,所述遮挡框透过所述槽孔提供的陶瓷接触面与所述加热板相嵌合。
2.根据权利要求1所述的遮挡框,其特征在于,所述铝材片透过螺丝与所述陶瓷块锁固在一起。
3.根据权利要求2所述的遮挡框,其特征在于,所述螺丝之材质为铝。
4.根据权利要求1所述的遮挡框,其特征在于,进一步包含形成于所述框形本体上的氧化铝层。
5.根据权利要求1所述的遮挡框,其特征在于,所述接触件进一步包含有楔形凸块,其突设于所述陶瓷块,所述楔形凸块用以与所述框形本体卡固。
6.根据权利要求1所述的遮挡框,其特征在于,所述框形本体具有环绕内框侧的凸缘。
7.根据权利要求1所述的遮挡框,其特征在于,所述接触件与所述框形本体相密合。
8.根据权利要求1所述的遮挡框,其特征在于,所述接触件与所述框形本体无高低台阶差。
9.根据权利要求1所述的遮挡框,其特征在于,所述接触件呈对称配置。
10.根据权利要求1所述的遮挡框,其特征在于,所述框形本体呈矩形。
11.一种制作遮挡框的方法,所述遮挡框用于在光电半导体工艺中将玻璃基板固定,其中所述玻璃基板放置于加热板上,所述遮挡框与所述加热板相嵌合而将所述玻璃基板固定,其特征在于,所述制作遮挡框的方法包含步骤:
提供框形本体,其材质为铝;
对所述框形本体裁切加工形成中空的车槽;
提供包含有陶瓷块及铝材片的接触件;
将所述陶瓷块与所述铝材片固定在一起;
将所述接触件嵌入所述车槽内;以及
将所述铝材片与铝质的所述框形本体焊接在一起,使得所述接触件与所述框形本体固着;
其中,所述陶瓷块上设有槽孔,所述遮挡框透过所述槽孔提供的陶瓷接触面与所述加热板相嵌合。
12.根据权利要求11所述的制作遮挡框的方法,其特征在于,在所述陶瓷块与所述铝材片相固定的步骤中,所述铝材片透过螺丝与所述陶瓷块锁固在一起。
13.根据权利要求12所述的制作遮挡框的方法,其特征在于,所述螺丝的材质为铝。
14.根据权利要求11所述的制作遮挡框的方法,其特征在于,在焊接所述铝材片与铝质的所述框形本体的步骤后,进一步包含在所述框形本体上形成氧化铝层的步骤。
15.根据权利要求14所述的制作遮挡框的方法,其特征在于,在形成所述氧化铝层的步骤中,所述氧化铝层透过阳极电镀而形成。
16.根据权利要求11所述的制作遮挡框的方法,其特征在于,在提供所述接触件的步骤中,所述接触件进一步包含有楔形凸块,其突设于所述陶瓷块,所述楔形凸块用以与所述框形本体卡固。
17.根据权利要求11所述的制作遮挡框的方法,其特征在于,在提供所述框形本体的步骤中,所述框形本体具有环绕内框侧的凸缘。
18.根据权利要求11所述的制作遮挡框的方法,其特征在于,在焊接所述铝材片与铝质的所述框形本体使所述接触件与所述框形本体固着的步骤中,所述接触件与所述框形本体相密合。
19.根据权利要求11所述的制作遮挡框的方法,其特征在于,在焊接所述铝材片与铝质的所述框形本体使所述接触件与所述框形本体固着的步骤中,所述接触件与所述框形本体无高低台阶差。
20.根据权利要求11所述的制作遮挡框的方法,其特征在于,在提供所述框形本体的步骤中,所述框形本体呈矩形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造