[发明专利]发光半导体的互补电极结构及其制造方法

权利要求书

1、一种发光半导体的互补电极结构，包括发光材料层、位于发光材料层上 方出光面的第一电极和位于发光材料层下方、背向出光面的第二电极，发光材 料层包括与第一电极接触的第一掺杂层和与第二电极接触的第二掺杂层，所述 第二掺杂层包括与所述第二电极接触的表面层，其特征在于：所述表面层包括 相对表面层其它区域更高电阻的高阻层，该高阻层所在表面层上的区域为所述 第一电极在所述第二掺杂层表面上的投影区域。

2、根据权利要求1所述的发光半导体的互补电极结构，其特征在于：所述 高阻层经过等离子体钝化处理，其和所述第二电极接触，形成相对所述第二掺 杂层表面层的其它区域更高电阻。

3、根据权利要求1所述的发光半导体的互补电极结构，其特征在于：所述 第一电极为N电极，所述第一掺杂层为N型掺杂层；所述第二电极为P电极， 所述第二掺杂层为P型掺杂层。

4、根据权利要求1所述的发光半导体的互补电极结构，其特征在于：所述 发光半导体为垂直电极结构。

5、根据权利要求4所述的发光半导体的互补电极结构，其特征在于：所述 发光材料层在硅衬底上生长形成。

6、根据权利要求1所述的发光半导体的互补电极结构，其特征在于：所述 发光材料层的表面包裹有钝化层，在所述第二掺杂层底面有钝化环边，环边与 所述钝化层连成一体。

7、根据权利要求1至6中任一项所述的发光半导体的互补电极结构，其特 征在于：所述P电极的材质为铂、银、铂银合金、铂银锌合金和铂银镁合金中 的任一种。

8、一种发光半导体的互补电极结构的制造方法，包括以下步骤：

用掩膜覆盖与所述第一电极在所述第二掺杂层表面上的投影区域以外的互 补区域；

对暴露的所述投影区域进行等离子体处理，使该区域相对被覆盖的互补区域 具有更高电阻；

去除所述第二电极区域上面覆盖的掩膜；

再在第二掺杂层表面上形成第二电极，第二电极与等离子体处理的所述投影 区域形成高阻接触。

9、根据权利要求8所述的发光半导体的互补电极结构的制造方法，其特征 在于：

所述掩膜为光刻胶。

10、根据权利要求8所述的发光半导体的互补电极结构的制造方法，其特征 在于：所述等离子体为SF₆、氟利昂、C₄F₈、CF₄、O₂或A_r等离子体物质中至 少一种。

11、根据权利要求8所述的发光半导体的互补电极结构的制造方法，其特征 在于还包括：先在硅衬底上生长形成氮化镓发光材料层。