[发明专利]非易失性半导体存储装置

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置，具备：

支撑基板；

埋入式绝缘层，形成在上述支撑基板上；

半导体层，形成在上述埋入式绝缘层上；

一对杂质扩散区，作为形成在上述半导体层表面上的源极/漏极；

浮动栅电极层，隔着栅极绝缘层形成在由上述一对杂质扩散区所包夹的上述半导体层上；

控制栅用杂质扩散区，以隔着栅极间绝缘层与上述浮动栅电极层相向的方式，形成在上述半导体层的表面上；以及

第1分离绝缘层，从上述半导体层的表面起延伸到上述埋入式绝缘层，并同时包围上述控制栅用杂质扩散区的周围，从而将形成有上述一对杂质扩散区的区域与上述控制栅用杂质扩散区分隔开。

2.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，还具备第2分离绝缘层，该第2分离绝缘层从上述半导体层的表面起延伸到上述埋入式绝缘层，并同时包围上述一对杂质扩散区的周围，从而将形成有上述一对杂质扩散区的区域与其他元件形成区域分隔开。

3.如权利要求2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，上述第1分离绝缘层与上述第2分离绝缘层共用一部分绝缘层部分。

4.如权利要求2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，上述第1分离绝缘层与上述第2分离绝缘层之间，存在由上述半导体层的一部分构成的分离区域。

5.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，上述半导体层具有从上述半导体层的表面起延伸到上述埋入式绝缘层的沟，上述沟内由上述第1分离绝缘层填充。

6.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，上述半导体层具有从上述半导体层的表面起延伸到上述埋入式绝缘层的沟，上述沟内由覆盖着上述沟的侧壁的上述第1分离绝缘层和埋入上述沟内的填充层填充。

7.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，上述控制栅用杂质扩散区具有一对控制用杂质扩散区，该一对控制用杂质扩散区导电类型互逆，以包夹着上述浮动栅电极层下的上述半导体层的表面的方式形成在上述半导体层的表面上。