[发明专利]静电放电保护器件的布图设计方法及MOS器件有效
| 申请号： | 200710040263.5 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295676A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 廖金昌;张莉菲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/088;H01L29/78;H01L29/423;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 器件 设计 方法 mos | ||
【权利要求书】：
1.一种用于静电放电保护器件的MOS器件，包括半导体衬底，形成于半导体衬底中的深阱，位于半导体衬底上的栅极介质层、位于栅极介质层上的多晶硅层，以及半导体衬底内位于栅极介电层两侧的源极和漏极，其特征在于，所述多晶硅层和栅极介质层呈网格框状分布于半导体衬底上，所述源极和漏极位于网格内，每个网格构成一个源极区域或漏极区域。
2.如权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述的网格的大小应至少能容纳一个接触孔。
3.如权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述半导体衬底为p型衬底。
4.如权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述深阱为p型或n型深阱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
