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- [发明专利]一种全固态Tl离子选择电极及其制备方法-CN200610017277.0无效
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门洪;王建国
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东北电力大学
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2006-10-24
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2007-04-11
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G01N27/333
- 本发明涉及一种全固态Tl离子选择电极及制法,它是由树脂管、Tl离子小体柱敏感材料的树脂管底、树脂顶盖组成。用光谱纯Tl2S、Ag2S和AgI,按50∶25∶25摩尔比经充分混合研磨后,压制成小长方体,放进石英瓶中,在干燥氮气的条件下,加热至350℃,保持4小时;然后自然退火,再把小长方体研磨碎,制成高/宽比为0.25~4的小柱体,放进真空石英瓶中,加热至350℃,保持4小时,然后自然退火,取出抛光,制得Tl离子选择敏感柱形材料;用导电银浆在小柱体一侧焊接并引出一铜导线,将小柱体封装在树脂管底,管顶用树脂盖封死,制得全固态Tl离子选择电极,携带方便,快速准确检测水、水果和蔬菜等中的Tl离子。
- 一种固态tl离子选择电极及其制备方法
- [发明专利]用于监视和必要时控制数据传输链路的传输容量的方法及电路装置-CN00810809.9无效
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P·施奈德;S·盖尔
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西门子公司
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2000-07-25
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2002-08-14
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H04Q11/04
- 为了监视和必要时控制位于两个数据设备(PC,COC;POP)之间的数据传输链路(D,TL1,TL2)的传输容量,至少由所述一个数据设备(PC,COC)经所述数据传输链路(D,TL1,TL2)有规律或有目的地向所述的另一数据设备把位于发出检验信号与收到应答信号之间的时间间隔同一个预定的阈值时间进行比较,其中,从该比较结果中得出一个传输容量信号,尤其在所述的时间间隔超过阈值时间的情况下,所述的传输容量信号是一个指示所述数据传输链路(D,TL1,TL2)的过载状态的指示信号。
- 用于监视必要控制数据传输传输容量方法电路装置
- [发明专利]半导体集成电路器件的制造方法-CN201010557063.9有效
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金冈卓;米谷统多
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瑞萨电子株式会社
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2010-11-12
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2011-06-15
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H01L21/60
- 当在保证如无光泽性质和形状平坦度的通常需要的性质的同时通过电解电镀大规模生产相对硬的Au凸块电极时,将自行选择如低液体温度、高电流密度和作为辅助剂的添加Tl(铊)的低浓度的条件的组合。然而在这样的条件下,问题在于难以维持电镀溶液中的Tl浓度并且当Tl浓度减少时因异常沉积而生成Au凸块电极的缺陷外观。常规上仍没有直接监测微小Tl浓度的手段且已经通过定期分析电镀溶液控制Tl浓度。本申请的发明涉及在根据半导体集成电路器件的制造方法使用基于非氰的电镀溶液通过电解Au电镀来形成凸块电极时通过监测向电镀溶液施加的电压来检测电镀溶液中的Tl的添加数量。
- 半导体集成电路器件制造方法
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