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[发明专利]掺铊碘化铯(CsI:T1)薄膜的一种制备方法-CN200910060112.5无效
发明人：刘爽;张佳宁;钟智勇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2009-07-27 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及功能薄膜材料制备技术，提供了掺铊碘化铯(CsI:Tl)薄膜的制备方法。提供了一种制备掺铊碘化铯(CsI:Tl)薄膜的方法，采用热蒸发方式实现对50～100μm掺铊碘化铯(CsI:Tl)薄膜的制备，在衬底上制备出均匀、致密、与衬底粘附良好、与CMOS工艺兼容、性能优良的掺铊碘化铯(CsI:Tl)薄膜，可被广泛应用于X射线探测器。
碘化 csi t1 薄膜一种制备方法

[发明专利]一种锆基非晶合金及其制备方法-CN200710136302.1有效
发明人：李梅;张法亮;宫清 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： C22C45/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种锆基非晶合金，其中，该非晶合金的组成为：Zr_aRE_bT_McBe_d，式中30≤a≤45，15≤b≤25，15≤c≤30，19≤d≤25，a、b、c、d为摩尔百分数，并且a+b+c+d＝100；RE选自稀土金属中的一种或几种；T_M选自第IB族金属、第IIB族金属、第IVB族非锆金属、本发明提供的非晶合金的液化温度(Tl)大幅度的降低，大大降低了非晶合金在铸造的过程中对铸造设备耐高温性能的要求，大幅度的降低了生产成本。另外，本发明提供的非晶合金的硬度、冲击韧性和抗弯曲强度也能够达到要求，说明本发明提供的非晶合金在降低液化温度(Tl)的同时，非晶合金的其它性能也能够达到要求。
一种锆基非晶合金及其制备方法

[发明专利]具有高色温的陶瓷气体放电金属卤化物灯-CN201080004450.8无效
发明人： A.杜纳夫斯基;J.帕尔默 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01J61/12 文献下载
摘要：(12)，PCA放电容器(12)包含有惰性气体、汞和金属卤化物盐混合物的填充物，该金属卤化物盐混合物为：至少约62％摩尔百分比的碘化钙(CaI2)；高至大约8％摩尔百分比的碘化铈(CeI3)；高至大约15％摩尔百分比的碘化铯(CsI)；以及高至大约15％摩尔百分比的选自下列卤化物中的其它卤化物：锂(Li)、钠(Na)、铟(In)、锰(Mn)、铅(Pb)、镨(Pr)、铕(Eu)、镓(Ga)和铊(Tl)的卤化物，且卤化钠(Na)的量小于大约5％的摩尔百分比，且卤化铊(Tl)的量小于大约5％的摩尔百分比。
具有色温陶瓷气体放电金属卤化物灯

[发明专利]基于多耦合线的三频带负群时延电路及实现方法-CN202010123006.3有效
发明人：万发雨;黄晓宇;李宁东;布莱斯 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多耦合线的三频带负群时延电路及实现方法，由在FR4基板上镀铜的耦合微带线CL和镀铜的开路微带线TL组成；所述耦合微带线CL包括耦合微带线CL1和耦合微带线CL2，所述开路微带线TL包括开路微带线TL1、开路微带线TL2和开路微带线TL3；所述耦合微带线CL与开路微带线TL1组成为I形状；所述开路微带线TL2和开路微带线TL3组成结构闭合、倒立U形状；所述电路的实现方法包括如下步骤：(1)求得整个电路的S参数模型；(2)通过群时延与相位之间的关系求得群时延
基于耦合频带群时延电路实现方法

[实用新型]一种高线性高效率功率放大器-CN201620545914.0有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高线性高效率功率放大器，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和负载调制网络，载波功率放大电路采用E3F类功率放大器，峰值功率放大电路采用C类功率放大器；载波输出匹配网络包括第一传输线TL1、第二传输线TL2、第三传输线TL3、第四传输线TL4、第五传输线TL5、第六传输线TL6、第七传输线TL7和第八传输线TL8。
一种线性高效率功率放大器

[发明专利]制备Ni-Tl-B镀层的化学镀液及施镀工艺-CN201010203784.X无效
发明人：宋丹路;杨玲玲;郑丽旋;师晓;彭家强 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2010-06-18 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： C23C18/50 文献下载
摘要：一种制备Ni-Tl-B镀层的化学镀液及施镀工艺，其特征在于该镀液中含有：化学镀液中含量为：氯化镍或硫酸镍15-35g/L，乙二胺60-110g/L，硼氢化钠0.4-1.2g/L，氢氧化钠30-50g/L工艺是：按计量分别用去离子水溶解各组分，按一定规则混合成溶液，镀件在75-95℃下浸镀60-180min，就获得具有减摩耐磨特性的优良Ni-Tl-B镀层。
制备 ni tl 镀层化学工艺

[实用新型]高压变频器用的双管反激高压DC/DC变换器-CN201020531122.0有效
发明人：董晓伟;曲文超;韩洪臣 -专利权人：哈尔滨九洲电气股份有限公司
申请日： 2010-09-16 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H02M3/28 文献下载
摘要：本实用新型的主要工作原理是高压直流输入到开关管与变压器后，经过降压整流稳压后输出多路低压直流电，TL3844控制电路从+5V输出取样作为电压采样反馈对电路进行控制，辅助电源+15V输出作为TL3844控制电路的电源
高压变频器用双管 dc 变换器

[发明专利]脆性衬底的分断方法-CN201580058145.X有效
发明人：曾山浩 -专利权人：三星钻石工业股份有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C03B33/037 文献下载
摘要：一边对刻划轮(51)施加荷重(F)一边使其滚动，由此在玻璃衬底(4)上形成沟槽线(TL)。刻划轮(51)朝与荷重(F)的面内分量(Fi)的方向相同的行进方向(DP)行进。形成沟槽线(TL)的步骤是为了获得无裂痕状态而进行。使玻璃衬底(4)在厚度方向(DT)上的裂痕沿沟槽线(TL)朝行进方向伸展，由此形成裂痕线(CL)。通过裂痕线(CL)断开沟槽线(TL)正下方的玻璃衬底(4)在与沟槽线(TL)交叉方向上的连续连接。沿裂痕线(CL)分断玻璃衬底(4)。
脆性衬底方法

[发明专利]复合晶体的包覆方法及复合晶体探测器-CN201710192605.9有效
发明人：张翼飞;刘聪展;路雪峰;李旭芳;李正伟;张硕;常治;高鹤;高冠华 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合晶体的包覆方法及复合晶体探测器，包覆方法包括：对NaI(Tl)晶体和CsI(Na)晶体的表面进行打磨、抛光，确保NaI(Tl)晶体和CsI(Na)晶体洁净透亮；将NaI(Tl)晶体、CsI(Na)晶体和石英玻璃自上至下位置对准、依次叠放，并通过透明的有机硅凝胶胶粘连接为一体；待胶固化后，在CsI(Na)晶体的侧面和底面通过透明的有机硅凝胶胶粘第一反射膜；对NaI(Tl)晶体顶面的边缘进行打磨处理，形成环形漫反射区域；在NaI(Tl)晶体的顶面覆盖第二反射膜，在第二反射膜的表面覆盖第三反射膜，将第三反射膜沿NaI(Tl)晶体顶面的边沿弯折至NaI(Tl)晶体的侧面并包覆连接CsI(Na)晶体侧面的第一反射膜
复合晶体方法探测器

[发明专利]计数装置以及计数方法-CN201210092264.5有效
发明人：上野达也 -专利权人：阿自倍尔株式会社
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H03K23/00 文献下载
摘要：分别对从信号的上升到下降为止的第1运转周期及从信号的下降到上升为止的第2运转周期，制作运转周期的频数分布，求出第1运转周期的代表值TH的0倍以上且不到1倍的长度的第1运转周期的数量的总和、第2运转周期的代表值TL的0倍以上且不到1倍的长度的第2运转周期的数量的总和、{TH+(n-0.5)×(TH+TL)}以上且不到{TH+(n+0.5)×(TH+TL)}的长度的第1运转周期的数量的总和、以及{TL+(n-0.5)×(TH+TL)}以上且不到{TL+(n+0.5)×(TH+TL)}的长度的第2运转周期的数量的总和，从而对计数结果进行校正。
计数装置以及方法

[发明专利]智能轧钢智能活套起套控制方法-CN201910653061.0有效
发明人：房继昀 -专利权人：北京宇轩智能科技有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： B21B37/00 文献下载
摘要：包括步骤：当上游轧机咬钢，获取当前时刻T1，获取气缸启动预备时间TL1，获取气缸上升运行时间TL2，计算下游轧机的预起套速度补偿偏差，并将其修正到下游轧机的速度给定；预测活套下游轧机咬钢时间T2；当T1+TL1≥T2，PLC在T2‑TL1时刻发起套辊起套命令；经过TL1时间后，活套辊开始动作，进入起套过程控制，通过PLC在TL2结束前取消预起套速度补偿偏差，恢复下游轧机正常速度；经过气缸上升运行时间TL2
智能轧钢活套起套控制方法

[发明专利]一种渗透性化纤助剂-CN201710524386.X在审
发明人：马玉南 -专利权人：安徽信德化纤有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： D06M16/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种渗透性化纤助剂，按照重量份由以下原料组成高效除油剂15‑30份、退浆粉10‑20份、中温淀粉酶TL‑121 2‑5份、耐碱渗透剂2‑10份、螯合分散剂10‑15份、荧光增白剂15‑25份、抗静电剂5‑10份、精炼剂10‑15份、荧光增白剂5‑15份和丝光渗透剂2‑10份。
一种渗透性化纤助剂

[发明专利]基于耦合微带线的IC形低损耗负群时延电路及实现方法-CN202010123008.2在审
发明人：万发雨;杨蓉;李宁东;布莱斯 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于耦合微带线的IC形低损耗负群时延电路及实现方法，由在FR4基板上镀铜的耦合微带线CL和镀铜的开路微带线TL组成；所述开路微带线TL包括开路微带线TL1和开路微带线TL2；所述耦合微带线CL与开路微带线TL1组成的结构为C形状；耦合微带线CL与开路微带线TL<
基于耦合微带 ic 损耗群时延电路实现方法

[发明专利]高分辨率X射线转换屏荧光材料的填充方法-CN201510957787.5有效
发明人：雷耀虎;牛憨笨;李冀;郭金川;刘鑫 -专利权人：深圳大学
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G21K4/00 文献下载
摘要：将转换屏基底表面及深孔侧壁氧化得二氧化硅薄膜；浸润材料溶入挥发性溶剂得1％‑10％浸润溶液；抽真空在转换屏基底上覆盖浸润溶液并振荡、静置；或将浸润溶液滴在转换屏基底表面使浸润充分；转换屏基底加热至干燥，静置至常温取出；将填充材料CsI(Tl)均匀覆盖在转换屏基底表面，真空下熔化CsI(Tl)，将熔化的CsI(Tl)填充至转换屏基底的深孔阵列底部，保持CsI(Tl)熔化状态，待CsI(Tl)进入深孔后，将转换屏基底倾斜，其表面上残留的CsI(Tl)流出表面；降至常温后，在干燥环境下封装转换屏基底。
高分辨率射线转换荧光材料填充方法

[发明专利]具有优化噪声系数的混合光放大器-CN201310306676.9有效
发明人：汤莫尔·埃利亚胡;埃亚尔·萨里德;尤瑞·盖拉;大卫·梅纳什 -专利权人：菲尼萨公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H04B10/291 文献下载
摘要：的噪声系数的方法，所述可变增益混合放大器（HA）包括可变增益拉曼放大器和可变增益集中放大器，所述可变增益拉曼放大器具有可调节平均增益GR和增益斜率TR，所述可变增益集中放大器具有可调节平均增益GL和增益斜率TL在各种实施例中，所述方法包括作为输入接收所需的混合放大器平均增益GH值和所需的增益斜率TH值；获得一组GR、TR、GL和TL值，所述组GR、TR，GL、TL值产生最佳优化混合放大器NF和满足GR+GL=GH的条件，并且TR+TL在特定混合放大器的操作斜率范围之内。在一些实施例中，所述获得的TR值和TL值满足条件TR+TL=TH。
具有优化噪声系数混合放大器