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[发明专利]SPIN1促进非小细胞肺癌肿瘤的生长-CN201810161985.4有效
发明人：冀全博;宋琪;徐亚梦;徐小洁;郑宇轩 -专利权人：中国人民解放军总医院
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C12Q1/6886 文献下载
摘要：本发明公开了SPIN1促进非小细胞肺癌肿瘤的生长。本发明提供了SPIN1蛋白及用于促进其表达的物质在如下任一中的应用：制备用于促进非小细胞肺癌细胞迁移和/或增殖的产品；或者制备用于促进非小细胞肺癌肿瘤生长的产品。实验证明，SPIN1与非小细胞肺癌患者的整体生存率和预后密切相关。SPIN1能够明显促进非小细胞肺癌细胞系的迁移和增殖，并能够促进非小细胞肺癌肿瘤的生长。因此，SPIN1有可能成为治疗非小细胞肺癌患者预后的新的生物标志物和靶标。
spin1 促进细胞肺癌肿瘤生长

[发明专利]基板处理装置的排程制作方法以及存储介质-CN201680064974.3有效
发明人：山本真弘 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：控制部51在对某基板W配置使用处理部SPIN1～SPIN12的资源的处理时，在处理部SPIN1～SPIN12的维护处理达到寿命的情况下，基于由用户预先设定的优先设定，在优先设定为基板处理优先的情况下，配置基板
处理装置制作方法以及存储介质

[发明专利]SPiN二极管可重构等离子套筒偶极子天线-CN201611168357.6在审
发明人：舒圣杰;王起 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01Q5/321 文献下载
摘要：本发明涉及一种SPiN二极管可重构等离子套筒偶极子天线。该天线包括半导体基片1、SPiN二极管天线臂2、第一、第二SPiN二极管套筒3、4、同轴馈线5、直流偏置线9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19，其中，SPiN二极管天线臂2包括串行连接的SPiN二极管串w1、w2、w3，第一SPiN二极管套筒3、第二SPiN二极管套筒4分别包括串行连接的SPiN二极管串w4、w5、w6及SPiN二极管串w7、w8、w9，每个SPiN二极管串通过对应的直流偏置线连接至直流偏置通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通时形成的等离子天线臂及套筒长度实现天线工作频率的可重构。本发明的天线具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。
spin 二极管可重构等离子套筒偶极子天线

[实用新型]SPiN二极管可重构等离子套筒偶极子天线-CN201621390405.1有效
发明人：王颖 -专利权人：陕西学前师范学院
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01Q5/321 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种SPiN二极管可重构等离子套筒偶极子天线。该天线包括半导体基片1、SPiN二极管天线臂2、第一、第二SPiN二极管套筒3、4、同轴馈线5、直流偏置线9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19，其中，SPiN二极管天线臂2包括串行连接的SPiN二极管串w1、w2、w3，第一SPiN二极管套筒3、第二SPiN二极管套筒4分别包括串行连接的SPiN二极管串w4、w5、w6及SPiN二极管串w7、w8、w9，每个SPiN二极管串通过对应的直流偏置线连接至直流偏置通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通时形成的等离子天线臂及套筒长度实现天线工作频率的可重构。本实用新型的天线具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。
spin 二极管可重构等离子套筒偶极子天线

[发明专利]Ge基频率可重构套筒偶极子天线的制备方法-CN201611184738.3在审
发明人：左瑜;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：该方法包括选取GeOI衬底；在所述GeOI衬底上制作多个相同的横向SPiN二极管；光刻PAD以形成多个所述横向SPiN二极管的串行连接；制作直流偏置线以连接所述横向SPiN二极管与直流偏置电源，并将多个所述横向SPiN二极管分割形成多个SPiN二极管串；划分所述SPiN二极管串形成所述SPiN二极管天线臂、所述第一SPiN二极管套筒及所述第二SPiN二极管套筒；制作所述同轴馈线以连接所述SPiN二极管天线臂、所述第一SPiN二极管套筒及所述第二SPiN二极管套筒，最终形成所述套筒偶极子天线。
ge 基频率可重构套筒偶极子天线制备方法

[发明专利]基于SPiN二极管的频率可重构套筒偶极子天线制备方法-CN201611183890.X有效
发明人：左瑜;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SPiN二极管的频率可重构套筒偶极子天线制备方法。该方法包括：在半导体基片上按照天线的结构特征制作SPiN二极管；采用半导体工艺将多个SPiN二极管的P+接触区及N+接触区依次串接形成多个SPiN二极管串；制作连接SPiN二极管串与电源的直流偏置线；采用半导体工艺对SPiN二极管串进行制作形成SPiN二极管天线臂、第一SPiN二极管套筒及第二SPiN二极管套筒；制作同轴馈线以连接SPiN二极管天线臂、第一SPiN二极管套筒及第二SPiN二极管套筒最终形成天线。通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通时形成的等离子天线臂及套筒长度以实现天线工作频率的可重构。本发明的天线具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。
基于 spin 二极管频率可重构套筒偶极子天线制备方法

[外观设计]镂空扇（SPIN-1）-CN201830269574.8有效
发明人：石桦榕 -专利权人：台山市美金电机有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： 23-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：镂空扇（SPIN‑1）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于降温。3．本外观设计产品的设计要点：产品的整体形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1立体图。5．指定基本设计：设计1为基本设计。
外观设计镂空整体形状图片

[发明专利]SiGe基频率可重构套筒偶极子天线的制备方法-CN201611184362.6在审
发明人：张亮;左瑜 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：该方法包括选取SiGeOI衬底；在SiGeOI衬底上按照套筒偶极子天线的结构制作多个SPiN二极管串；制作直流偏置线以连接SPiN二极管串与直流偏置电源；制作SPiN二极管天线臂、第一SPiN二极管套筒及第二SPiN二极管套筒；制作同轴馈线以连接SPiN二极管天线臂、第一SPiN二极管套筒及第二SPiN二极管套筒，最终形成套筒偶极子天线。本发明实施例的套筒偶极子天线，通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通，形成等离子天线臂及套筒长度的可调，从而实现天线工作频率的可重构，具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。
sige 基频率可重构套筒偶极子天线制备方法

[发明专利]Ge异质SPiN二极管频率可重构套筒偶极子天线制备方法-CN201611183903.3在审
发明人：张亮;左瑜 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01Q23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ge异质SPiN二极管频率可重构套筒偶极子天线制备方法。该方法包括在GeOI衬底上按照套筒偶极子天线的结构制作多个横向SPiN二极管，且横向SPiN二极管的P区采用Si材料、i区采用Ge材料及N区采用Si材料以形成异质Ge基SPiN二极管；在多个横向SPiN二极管上光刻PAD实现多个横向SPiN二极管的串行连接以形成多个SPiN二极管串；制作直流偏置线以连接SPiN二极管串与直流偏置电源；利用多个SPiN二极管串制作天线臂和套筒；制作同轴馈线以连接天线臂及套筒本发明的套筒偶极子天线，通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通，形成等离子天线臂及套筒长度的可调，从而实现天线工作频率的可重构，具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。
ge 异质 spin 二极管频率可重构套筒偶极子天线制备方法

[发明专利]基于异质SiGeSPiN二极管的可重构偶极子天线的制备方法-CN201611184780.5在审
发明人：尹晓雪;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于异质SiGeSPiN二极管的可重构偶极子天线的制备方法，其中，所述可重构偶极子天线包括SiGeOI衬底、第一SPiN二极管天线臂、第二SPiN二极管天线臂、同轴馈线以及直流偏置线；所述天线制备方法包括选取某一晶向的SiGeOI衬底；在所述SiGeOI衬底上制作多个SPIN二极管依次首尾相连构成SPIN二极管串、制作所述SPiN二极管天线臂、制作直流偏置线；在SPIN二极管天线臂上制作同轴馈线；并连接所述第一SPiN二极管天线臂、第二SPiN二极管天线臂以形成所述可重构偶极子天线，本发明制备的可重构偶极子天线，通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通，形成等离子天线臂的长度可调，从而实现天线工作频率的可重构，具有易集成
基于 sigespin 二极管可重构偶极子天线制备方法

[发明专利]用于可重构偶极子天线的异质Ge基SPiN二极管串的制备方法-CN201611184735.X在审
发明人：尹晓雪;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明公开一种用于可重构偶极子天线的异质Ge基SPiN二极管串的制备方法，其中，所述可重构偶极子天线包括第一天线臂和第二天线臂，所述第一天线臂和第二天线臂包括多个异质Ge基SPiN二极管串，所述异质Ge基SPIN二极管串的制造方法包括在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并形成P型有源区和N型有源区；在所述GeOI衬底上形成引线，形成异质Ge基SPIN二极管；在多个所述异质Ge基SPIN二极管上光刻PAD实现多个所述异质Ge基SPIN二极管的串行连接以形成多个所述SPiN二极管串，本发明提供的异质Ge基SPiN二极管串可用于高性能可重构偶极子天线的制备
用于可重构偶极子天线 ge spin 二极管制备方法

[发明专利]基于具备台状有源区SPiN二极管可重构全息天线的制备方法-CN201611184770.1在审
发明人：尹晓雪;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01Q23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于具备台状有源区SPiN二极管可重构全息天线的制备方法，其中，所述全息天线包括SOI衬底(1)、第一天线臂(2)、第二天线臂(3)、同轴馈线(4)及全息圆环(14)；所述制备方法包括在所述SOI衬底(1)上制作多个基于台状有源区的SPiN二极管；将多个所述基于台状有源区的SPiN二极管依次互连PAD以形成多个SPiN二极管串；由多个等长的SPiN二极管串形成所述第一天线臂(2)和第二天线臂
基于具备有源 spin 二极管可重构全息天线制备方法

[发明专利]用于可重构多层全息天线的Si基SPiN二极管制备方法-CN201611184784.3在审
发明人：尹晓雪;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明公开一种用于可重构多层全息天线的Si基SPiN二极管制备方法，可重构多层全息天线(1)包括半导体基片(11)、天线模块(13)、第一全息圆环(15)及第二全息圆环(17)；所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均包括依次串接的Si基SPiN二极管串，所述SPiN二极管制备方法包括选取SOI衬底；刻蚀SOI衬底形成隔离槽，填充隔离槽形成隔离区；刻蚀SOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；在SOI衬底上形成引线，采用本方法能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能SPiN二极管。
用于可重构多层全息天线 si spin 二极管制备方法

[发明专利]基于Ge基异质结材料的频率可重构全息天线制备方法-CN201611183887.8在审
发明人：尹晓雪;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：该方法包括在GeOI衬底上按照全息天线的结构制作多个横向SPiN二极管，且横向SPiN二极管的P区采用Si材料、i区采用Ge材料及N区采用Si材料以形成Ge基异质SPiN二极管；在多个横向SPiN二极管上依次互连PAD以形成多个SPiN二极管串；制作直流偏置线以连接SPiN二极管串与直流偏置电源；制作同轴馈线以连接第一天线臂及第二天线臂，最终形成全息天线。
基于 ge 基异质结材料频率可重构全息天线制备方法

[发明专利]基于SPiN二极管的SOI基可重构等离子全息天线-CN201611167449.2在审
发明人：舒圣杰;王起 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SPiN二极管的SOI基可重构等离子全息天线，包括包括Si基SOI半导体基片(1)；制作在所述Si基SOI半导体基片(1)上的第一天线臂(2)、第二天线臂(3)、同轴馈线(4)及全息圆环(14)；其中，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)包括分布在所述同轴馈线(4)两侧且等长的SPiN二极管串，所述全息圆环(14)包括多个SPiN二极管串(w7)。
基于 spin 二极管 soi 基可重构等离子全息天线

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