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[发明专利]一种锡基复合钎料及其制备方法-CN202210703389.0有效
发明人：刘平;钟海锋;冯斌;顾小龙;金叶挺 -专利权人：浙江亚通新材料股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种锡基复合钎料，该锡基复合钎料由三层组成，上、下两层均为Sn‑P‑Ni三元合金；中间层为Sn‑Ag‑Ti三元合金；Sn‑P‑Ni三元合金按重量百分比包括：P 0.01‑0.15％、Ni为0.02‑2.5％，余量为Sn；Sn‑Ag‑Ti三元合金按重量百分比包括：Ag 2.0‑4.5％、Ti 3.0‑5.0％，余量为Sn。所述锡基复合钎料是按Sn‑P‑Ni三元合金带材/Sn‑Ag‑Ti三元合金带材/Sn‑P‑Ni三元合金带材顺序叠合得到三明治结构，经轧制复合，扩散退火，精轧，得到。相较于现有的Sn‑Ag‑Ti三元合金具有更优异的抗氧化性、润湿性、铺展性。
一种复合料及制备方法

[发明专利]根据轻水核反应堆的使用应力优化的燃料组件的设计方法以及由此得到的燃料组件-CN200780050925.5有效
发明人： P·巴伯里斯;V·瑞贝洛丽;J-J·威尔默尤 -专利权人：阿海珐核能公司
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： G21C3/07 文献下载
摘要：本发明涉及包括锆合金结构部件的核反应堆的燃料组件的设计方法：-计算在燃料组件的寿命内所述部件将要经受的平均单轴拉伸或压缩应力；-并根据以下标准选择用于制造所述部件的锆合金：*经受-10至-20MPa的轴向或横向压缩应力的部件用以下合金制造：该合金的Sn含量为Sn＝(-0.025.σ-0.25)％至Sn＝-0.05.σ％；*经受0至-10MPa的这种应力的部件用以下合金制造：该合金的Sn含量为Sn＝痕量至Sn＝(0.05.σ+1)％；*经受0至+10MPa的这种应力的部件用以下合金制造：该合金的Sn含量为Sn＝0.05.σ％至Sn＝(0.07.σ+1)％；*经受+10至+20MPa的这种应力的部件用以下合金制造：该合金的Sn含量为0.50％至1.70％。
根据轻水核反应堆使用应力优化燃料组件设计方法以及由此得到

[发明专利]氧化亚锡的制造方法、氧化亚锡、Sn电镀液的制造方法及Sn电镀液的杂质去除方法-CN201580003059.9有效
发明人：片瀬琢磨;平野广隆 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明具备含Sn离子的酸液形成工序(S01)，获得含Sn离子的酸液；第一中和工序(S02)，对所述含Sn离子的酸液添加选自碳酸铵、碳酸氢铵和氨水中的任意一种以上的碱性溶液，使pH保持在3～6，由此获得Sn沉淀物；Sn沉淀物分离工序(S03)，将Sn沉淀物进行分离；Sn沉淀物分散工序(S04)，使分离的Sn沉淀物分散于溶剂液；及第二中和工序(S06)，对Sn沉淀物的分散液添加碱性溶液并进行加热，而获得SnO，在第一中和工序(S02)中，使Na、K、Pb、Fe、Ni、Cu、Zn、Al、Mg、Ca、Cr、Mn、Co、In、Cd残留于含Sn离子的酸液中。
氧化制造方法 sn 电镀杂质去除

[发明专利]用于抑制晶须的表面处理方法-CN200680036970.0有效
发明人：辻本雅宣;梁田勇;菅沼克昭;金槿铢 -专利权人：上村工业株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2006-10-02 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： C25D5/10 文献下载
摘要：用选自Mn、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Ga、In、Tl、Ge、Pb、Sb和Bi的一种或多种金属连续地或不连续地包覆Sn涂层或Sn合金涂层的表面处理方法，包覆的方式使得Sn涂层或Sn合金涂层部分暴露，该方法使有可能抑制在Sn涂层或Sn合金涂层上产生晶须，所述Sn涂层或Sn合金涂层形成在其它部件压焊到其上的基体表面上或者形成在待焊接的接合表面上。用所规定金属以使涂层部分暴露的方式连续地或不连续地包覆Sn涂层或Sn合金涂层，抑制了在压焊中由接触压力导致产生晶须，并且还抑制晶须产生而不削弱涂层的焊料润湿性，甚至在包覆之后未接着进行热处理或重熔时。
用于抑制表面处理方法

[发明专利]提高抗断裂性能的Nb₃Sn超导磁体的制备方法-CN200910024113.4有效
发明人：朱思华;高慧贤;李建峰;冯勇;刘向宏;张平祥 -专利权人：西部超导材料科技有限公司
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01F6/00 文献下载
摘要：本发明公开的提高抗断裂性能的Nb3Sn超导磁体的制备方法，在真空的气氛下先将Nb3Sn超导线圈全部浸没在环氧树脂中，然后再通过氮气加压，将环氧树脂充分浸渍到Nb3Sn超导线圈之中，最后再经过固化得到Nb3Sn采用本发明方法制得的Nb3Sn超导线圈励磁时，由于Nb3Sn超导线圈之间完全绝缘，所以Nb3Sn超导线圈不会发生断裂。
提高断裂性能 nb sub sn 超导磁体制备方法

[发明专利]无线链路控制层窗口确定方法和装置-CN201810011819.6有效
发明人：张艳霞;吴昱民 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H04W28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种无线链路控制层窗口确定方法和装置，所述方法包括：接收无线链路控制层协议数据单元RLC PDU，其中，所述RLC PDU中包括序列号SN；根据所述SN，判断是否发生SN翻转；若确定发生SN翻转，则确定发生SN翻转时落在无线链路控制层RLC对应的窗口中的SN取值范围。本发明能够在发生SN翻转时RLC能够维持固定大小的窗口，避免数据传输中出现重传、时延、丢包等问题。
无线控制窗口确定方法装置

[发明专利]电镀锡钢板-CN201880064242.3有效
发明人：后藤靖人;田岛雄太;小林亚畅 -专利权人：日本制铁株式会社
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C25D21/18 文献下载
摘要：一种电镀锡钢板，具备母材钢板和配置于母材钢板上且具有Sn层和合金层的Sn电镀层，所述Sn电镀层含有规定的成分。Sn电镀层整体的Pb含量为50质量ppm以下。在将Sn电镀层的厚度记为t、且将从Sn电镀层的表面起沿板厚方向直到(1/10)×t深度为止的区域记为表层区域时，表层区域的Pb含量为5质量ppm以上，并且，表层区域的Pb含量高于Sn电镀层整体的Pb含量
镀锡钢板

[发明专利]一种多制式双连接中的通信方法和通信装置-CN202110463511.7在审
发明人：彭文杰;李冠臣;熊新;戴明增 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H04W28/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种多制式双连接中的通信方法、装置和系统，在该方法中，通过当承载PDCP SN长度变化时，SN向MN发送PDCP SN长度变化指示，从而MN和SN可以为终端生成承载的释放和增加的配置信息，从而完成PDCP SN长度变化。
一种制式双连中的通信方法装置

[发明专利]一种多制式双连接中的通信方法和通信装置-CN201910899152.2有效
发明人：彭文杰;李冠臣;熊新;戴明增 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H04W28/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种多制式双连接中的通信方法、装置和系统，在该方法中，通过当承载PDCP SN长度变化时，SN向MN发送PDCP SN长度变化指示，从而MN和SN可以为终端生成承载的释放和增加的配置信息，从而完成PDCP SN长度变化。
一种制式双连中的通信方法装置

[发明专利]一种多制式双连接中的通信方法和通信装置-CN201811302962.7有效
发明人：彭文杰;李冠臣;熊新;戴明增 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H04W76/15 文献下载
摘要：本申请提供了一种多制式双连接中的通信方法、装置和系统，在该方法中，通过当承载PDCP SN长度变化时，SN向MN发送PDCP SN长度变化指示，从而MN和SN可以为终端生成承载的释放和增加的配置信息，从而完成PDCP SN长度变化。
一种制式双连中的通信方法装置

[发明专利]一种反应热处理后绕制磁体的Nb3-CN202210642856.3在审
发明人：郭强;柳祥;李轶媛;王瑞龙;张凯林;朱燕敏;李建峰;刘向宏;杜予晅;冯勇;张平祥 -专利权人：西部超导材料科技股份有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01B12/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种反应热处理后绕制磁体的Nb3Sn超导线材制备方法，包括如下步骤：选择Nb3Sn复合线和铜槽线；将Nb3Sn复合线进行表面镀铬，并浸入电镀液中进行电镀；将铜槽线和电镀后获得的Nb3Sn复合线浸入锡槽，获得Nb3Sn镶嵌线；将Nb3Sn镶嵌线浸入流动的硝酸基退锡液中，确保Nb3Sn镶嵌线表层焊锡去除干净，获得Nb3Sn退锡线；将Nb3Sn退锡线绕在钢轮上，并置于热处理炉中，炉体抽真空热处理，获得Nb3Sn超导线。
一种反应热处理后绕制磁体 nb base sub

[发明专利]一种改良型青铜法Nb3-CN201911335850.6有效
发明人：潘熙锋;林鹤;赵勇 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01B12/04 文献下载
摘要：本发明属于超导材料制备技术领域，公开一种改良型青铜法Nb3Sn超导线材的制备方法，包括：制备由Sn或Sn合金箔和Cu箔缠绕在Nb棒上形成的组合体；将组合体装入第一无氧铜管中，随后加工成六方的Sn‑Cu‑Nb亚组元；将若干六方亚组元装入第二无氧铜管中，按密排六方组装得Nb3Sn坯料；对Nb3Sn坯料进行压延加工，制得Nb3Sn前驱体线材；对Nb3Sn前驱体线材进行青铜化和成相热处理，制得成品Nb3Sn超导线材。本发明改善了普通青铜法Nb3Sn超导线材的塑性加工性能，减少了退火次数，同时提高了青铜法Nb3Sn超导线材的临界电流密度性能
一种改良青铜 nb base sub

[发明专利]菌影载体PMAL-E-SN的构建及其在大肠杆菌中的应用-CN200810051489.X无效
发明人：雷连成;杜崇涛;韩文瑜;孙长江;冯新 -专利权人：吉林大学
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C12N15/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种菌影载体PMAL-E-SN的构建及其在大肠杆菌中的应用，以PhiX174噬菌体RFI质粒为模板进行PCR扩增，得到E基因；以金黄色葡萄球菌标准株ATCC25923基因组DNA为模板进行PCR扩增，得到SN基因；用十五个柔性氨基酸的Linker串连E基因和SN基因，得到E-SN基因；E-SN基因PCR扩增产物与pMD18-T载体连接，筛选阳性质粒pT-E-SN测序；用质粒载体PMAL-p2X和测序正确的重组质粒pT-E-SN构建菌影载体PMAL-E-SN。本发明的菌影载体PMAL-E-SN通过“tac”强启动子和malE翻译起始信号使E基因和SN基因获得高效表达，成功制备了大肠杆菌菌影，裂解效率可达99.99％；本发明引入次要杀伤基因SN，并联合E基因和SN基因连入高效表达载体PMAL-p2X，取得了良好的效果，可广泛应用于大肠杆菌菌影的制备。
载体 pmal sn 构建及其大肠杆菌中的应用

[发明专利]电子部件及其制造方法-CN201380006391.1有效
发明人：斋藤彰;小川诚;元木章博 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： C25D7/00 文献下载
摘要：所述电子部件的特征在于，其是具有形成有外部电极的电子部件元件、形成于所述外部电极上的Ni镀敷被膜和以覆盖所述Ni镀敷被膜的方式形成的Sn镀敷被膜的电子部件，在所述Sn镀敷被膜中形成有薄片状的Sn－Ni合金粒子，所述薄片状的Sn－Ni合金粒子存在于从所述Ni镀敷被膜侧的所述Sn镀敷被膜的面起的、所述Sn镀敷被膜厚度的50％以下的范围内，并且从所述Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留所述薄片状的Sn－Ni合金粒子、并俯视观察除去Sn而显现的具有所述薄片状的Sn－Ni合金粒子的面时，所述薄片状的Sn－Ni合金粒子所占的区域在被观察的面区域的15％～60％的范围内。
电子部件及其制造方法

[发明专利]用于有条件的辅小区组中主小区添加和改变的方法-CN202080102987.1在审
发明人：张梦洁;黄河;刘静;杨立 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H04W76/00 文献下载
摘要：主节点(MN)可以向目标辅节点(SN)发送SN添加请求消息，该SN添加请求消息具有目标SN可以配置的候选PSCell的最大数目的指示。响应于SN添加请求消息，MN可以从目标SN接收具有至少一个候选PSCell配置的SN添加请求确认消息。如果需要数据转发，则MN可以向源SN发送数据转发消息，该数据转发消息具有关于数据转发是针对基于CPAC的过程的指示。
用于有条件小区组中主添加改变方法