专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种大豆抗冻蛋白的制备方法、应用-CN201610451059.1有效
  • 郑易之;刘国宝;陈丽伊;彭显明 - 深圳大学
  • 2016-06-21 - 2019-09-17 - C12N15/70
  • 提供了一种大豆抗冻蛋白的制备方法,包括以下步骤:将含有所述抗冻蛋白表达序列的质粒转化至表达大肠杆菌中,进行蛋白表达;用亲和层析法对蛋白进行纯化;纯化后用凝血酶切除His标签,获得抗冻蛋白;所述抗冻蛋白为PM1蛋白为PM1‑N短肽。本发明还提供了PM1蛋白或PM1‑N短肽在制备转基因抗冻或抗寒植物方面的应用;PM1蛋白或PM1‑N短肽用于制备生物类制品的冻存保护剂的应用。本发明提供的PM1蛋白及PM1‑N短肽的制备方法,制备过程简单,便于大批量生产。本发明还提供了的PM1蛋白或PM1‑N短肽的应用,不仅为PM1蛋白或PM1‑N短肽的应用拓展了新的空间,更加速了PM1蛋白或PM1‑N短肽相关研究的进展。
  • 一种大豆蛋白制备方法应用
  • [发明专利]一种高侧NMOS功率管预充电电路-CN202110601513.8有效
  • 闸钢 - 深圳能芯半导体有限公司
  • 2021-05-31 - 2022-07-12 - H02M1/36
  • 本发明公开了一种高侧NMOS功率管预充电电路,包括高侧NMOS功率管,所述高侧NMOS功率管的栅极连接有电荷泵和预充电电路;所述预充电电路包括PM0、PM1PM2、NM0和反相器IV,由信号CHG来控制预充电电路;其中NM0用于在预充电时将PM1的栅极与PM0的栅极短接在一起,使PM0和PM1同时导通;PM2用于预充电结束之后将PM1的栅极与源极短接在一起使PM1截止,切断高侧NMOS功率管的栅极与VCC之间的通路
  • 一种nmos功率管充电电路
  • [发明专利]半导体装置-CN03820556.4有效
  • 伊藤邦洋 - 富士通株式会社
  • 2003-02-27 - 2005-10-05 - H03K19/0185
  • 一种半导体装置,当把具有第1电源电压(VDD1)的振幅的输入信号(IN)输入到以比第1电源电压高的第2电源电压(VDD2)而动作的PMOS晶体管(PM51)的栅极端子时,在PMOS晶体管(PM1)至(PM4PMOS晶体管(PM1PM3)以及(PM2、PM4)的源极端子与第1电源电压和第2电源电压连接,PMOS晶体管(PM4)的栅极端子与PMOS晶体管(PM1PM2)的漏极端子连接。PMOS晶体管(PM2)的栅极端子与PMOS晶体管(PM3、PM4)的漏极端子连接。输入信号(IN)的反转信号和输入信号(IN)被输入到PMOS晶体管(PM1)和(PM2)的栅极端子。输入信号(IN)的基准电压(VSS)和第1电源电压(VDD1)之间的振幅被电平转换成第1和第2电源电压间的振幅,然后从PMOS晶体管(PM1PM2)输出,可对PMOS晶体管(PM51)进行导通控制。
  • 半导体装置
  • [发明专利]融合卫星与地基观测的PM1-CN202010817931.6有效
  • 臧琳;黄立;毛飞跃;潘增新;卢昕;龚威 - 武汉大学
  • 2020-08-14 - 2022-10-04 - G06N20/00
  • 本发明提供一种融合卫星与地基观测的PM1浓度反演方法及系统,进行数据采集与匹配,包括采集地基PM1数据、卫星AOD数据和相关气象地理参数,以卫星AOD数据空间分辨率为参照,对相关气象地理参数进行重采样;然后以PM1观测站为中心,采用预设空间半径和时间半径的时空窗口,计算时空窗口内的各输入特征的均值,并与相应观测站点实测的PM1浓度值相匹配,形成训练样本集;初始RF模型构建,根据模型的预测残差变化优化设定决策树的数量和构建二叉树时使用的变量个数;初始geo‑RF模型构建,包括定义空间邻近观测S‑PM1、前向时间邻近观测T‑PM1以及邻近空间距离约束,将时空邻近观测也作为解释变量输入至构建的初始RF模型中,得到geo‑RF模型;进行geo‑RF模型训练与PM1浓度估计。
  • 融合卫星地基观测pmbasesub
  • [发明专利]电力转换装置-CN201480076653.6在审
  • 贯刚司;原英则 - 株式会社安川电机
  • 2014-10-06 - 2016-10-26 - H02M7/04
  • 电力转换装置(1)包括:第一基板(30);立起设置在第一基板(30)上的第二基板(32、34);配置在第二基板(32、34)上的、构成电力转换电路(10)并在通电时发热的电源模块(PM1PM8);以及与电源模块(PM1PM8)相比配置在靠近第一基板(30)的位置、形成用于冷却电源模块(PM1PM8)的冷却流路(75)的一部分、并构成电力转换电路(10)的电容器(C1~C4)。
  • 电力转换装置
  • [发明专利]一种高带宽免电容LDO结构-CN201911180953.X有效
  • 吴汉明;陈国利 - 芯创智创新设计服务中心(宁波)有限公司
  • 2019-11-27 - 2023-07-07 - H03H11/46
  • 本发明提供一种高带宽免电容LDO结构,其包括输入电压Vin、运算放大器模块、低阻模块以及输出负载电容C1,输入电压Vin与所述运算放大器模块相连,所述低阻模块包括MOS管PM1PM2、NM1以及偏置电源,所述偏置电源与所述MOS管PM1相连,为其提供偏置电压,所述MOS管PM1的漏极与所述MOS管NM1的漏极相连,MOS管PM1的源极与所述MOS管PM2的源极相连,MOS管PM2的栅极与所述MOS管PM1和NM1的漏极相连,所述MOS管NM1的源极和MOS管PM2的漏极与输出端VOUT相连;本方案中的上述LDO结构其通过在保证电路稳定的同时,在内部增加一个较大的电容,其可以增强电路对滤噪声的能力,同时免除了传统地通过在片外增加旁路电容的缺陷
  • 一种宽免电容ldo结构
  • [实用新型]一种新型高速DDR发送电路-CN202120183550.7有效
  • 孔亮;陈捷;刘亚东;庄志青 - 灿芯半导体(上海)股份有限公司
  • 2021-01-23 - 2022-01-14 - H03K19/0175
  • 本实用新型提供了一种新型高速DDR发送电路,包括两个PMOS管PM1PM2和两个NMOS管NM1、NM2;PM1的源极接高电压VDDQ,漏极与PM2的源极相连,PM2的漏极与一电阻相连,电阻的另一端与输出垫片相连;PM1的栅极和控制线netp相连,netp通过反向器INV1与数据输入DIN相连,INV1与netp之间设有电容C;INV1的工作电压为低电压VDD,电容C和netp为PM1的栅极提供一个电压VDDL,以对PM1进行保护;NM1的源极接地,漏极与NM2的源极相连,NM2的漏极与电阻相连;NM1的栅极通过反向器INV2与数据输入DIN相连;采用速度较快的低压器件做主驱动电路及前驱动电路,同时利用时钟信号和开关电容在不额外大幅增加功耗的情况下制造一个电压来保证低压器件的安全性
  • 一种新型高速ddr发送电路

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