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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种PbNb2-CN202310180379.8在审
发明人：刘浩天;刘成;赵学明;黄达;张岱南;李元勋;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域，提供一种PbNb2O6基压电陶瓷材料及其制备方法，用以解决PbNb<本发明压电陶瓷材料主体由PbNb2O6相构成，其分子式为：Pb0.97La<0.08)2O6的基础上，通过Sn4+离子掺杂改性，使得PbNb2O6基压电陶瓷材料具有致密性好、居里温度高、介电损耗低等特点，为压电元器件向耐高温化、转化效率高化发展提供了一种有效解决方案；同时，该PbNb
一种 pbnb base sub

[发明专利]改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料及制备方法-CN93112369.0无效
发明人：李承恩;卢永康;周家光;王志超;朱为民;赵梅瑜;倪焕尧 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 1993-03-16 - 公布日： 1996-04-10 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：其特点是在配方Pb1-xMexNb2O6+Yy中，x、y的量较小，而工艺性良好其压电性能优于纯的PbNb2O6陶瓷；居里温度为555-570℃，接近或等于纯PbNb2O6居里温度(570℃)；不需要用特殊的工艺与技术
改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种具有NPO特性的高压陶瓷电容器材料及其制备方法-CN201810683137.X有效
发明人：齐开丽 -专利权人：北京智罗盘智能电气有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：属于高压陶瓷材料技术领域，该陶瓷材料的化学成分为：BaNd2Ti5O14、PbNb本方法将具有负温度系数的BaNd2Ti5O14陶瓷相和具有正温度系数的钨青铜结构PbNb
一种具有 npo 特性高压陶瓷电容器材料及其制备方法

[发明专利]高居里温度压电陶瓷材料及其制备方法-CN201811577880.3在审
发明人：张静;潘平华;张元松;王兰花;李庆;戴昭波;陈键 -专利权人：贵州振华红云电子有限公司;贵州振华电子信息产业技术研究有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：该压电陶瓷化学式为：PbNb₂O₆+4wt％PbO+0.5wt％CaO+1wt％TiO₂+xwt％CeO₂，x＝0.01
压电陶瓷制备高居里温度压电陶瓷陶瓷坯体烘干过筛制备方法工艺二次球磨聚乙烯醇涂银电极压电性能烧结极化干压硅油料球排胶预烧造粒主料掺杂合成

[发明专利]一种具有声子散射调控层的半导体激光元件-CN202310213881.4在审
发明人：李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;张江勇;蔡鑫;马斯特;徐浩翔;陆恩;周进泽;牧立一;白怀铭;韩霖 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：:Ag、Bi2SeS2:Ag、CuBiSe2:Ag、PbNb
一种有声散射调控半导体激光元件

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