“nipt15”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果690097个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种NiPt15合金的肖特基二极管及其制备方法-CN202110287682.9在审
发明人：何静博;尚春林;侯斌;齐易晨;胡长青 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种NiPt15合金的肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括在衬底上依次制备外延层、P+环，肖特基势垒层、铝合金层和正极导电层，在衬底的下表面上制备负极导电层，该制备方法使用LPCVD设备完成NiPt15合金，可获得较高真空度，使得合金过程气体压力可控，有效优化合金工艺过程。由于采用NiPt15合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层，生成的金属硅化物包括镍硅和铂硅成分可以形成良好的肖特基接触，铂金属的加入可以提高镍硅薄膜的热稳定性，大幅优化肖特基二极管的电参数特性
一种 nipt15 合金肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种硅化镍热处理工艺的检测方法-CN202011327546.X在审
发明人：王韡祺;谢威 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅化镍热处理工艺的检测方法，提供硅衬底，在硅衬底上生长氧化层；在氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层上沉积NiPt层；对NiPt层行退火处理，NiPt层的一部分与多晶硅层反应生成硅化镍层；去除剩余未反应的NiPt层；检测硅化镍层的电阻值。本发明通过在沉积NiPt前先生长氧化层,并沉积多晶硅，再进行NiPt沉积的方法，消除底层硅衬底的影响。在方块电阻量测前，增加去除NiPt的步骤，消除前层NiPt对量测结果的影响。
一种硅化镍热处理工艺检测方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201410198292.4在审
发明人：周真 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体结构及其形成方法，包括依次层叠的硅基底；覆盖所述硅基底的第一层NiPt薄膜，及覆盖所述第一层NiPt薄膜的第二层NiPt薄膜，所述第一层NiPt薄膜中Pt的含量高于第二层NiPt薄膜中本发明中利用与硅基底接触的第一层NiPt薄膜中Pt的含量较高，从而对NiSi的形成有利；而第二层NiPt薄膜中Pt的含量较低，在化学刻蚀比较容易去除，减少甚至避免了如在现有技术中容易形成的多种缺陷，这就提高了产品的质量
半导体结构及其形成方法

[发明专利]NIPT的Z值结果校正方法及装置、计算机可读存储介质-CN201711033703.4有效
发明人：王正肖;岳云霞;钱雨飞 -专利权人：成都凡迪医疗器械有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G16B30/00 文献下载
摘要：一种NIPT Z值结果校正方法及装置、计算机可读存储介质，所述方法包括：将计算得到的所检测染色体的多个NIPT Z值结果分别作为自变量，一一进行线性回归分析运算，得到每一个NIPT Z值结果对应的线性回归系数；根据所述每一个NIPT Z值结果对应的线性回归系数，拟合出所述所检测染色体对应的线性函数；根据所述线性函数，确定所检测染色体对应的新Z值。上述方案能够获取一致性的NIPT Z值结果，提高NIPT Z值结果的准确度。
nipt 结果校正方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]一种基于NiPt纳米探针筛选厌氧菌中药抑制剂的方法-CN201710100983.X在审
发明人：张锦胜;邹灯超;巫小丹;彭红;郑洪立;万益琴;赵茹 -专利权人：南昌大学
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：一种基于NiPt纳米探针筛选厌氧菌中药抑制剂的方法，属于中药开发应用技术领域。本发明依赖于建立基于制备NiPt纳米探针用于筛选抑制厌氧菌的中药配方的方法。采用抗体包被制备的顺磁NiPt纳米探针能对目标菌进行特异性结合的特点，利用NiPt的顺磁特性对核磁共振弛豫时间的影响，检测出样品中是否含有目标菌。顺磁NiPt纳米探针，在一定范围内核磁共振弛豫时间显示出线性关系，即纳米NiPt含量大，样品的核磁共振自旋‑晶格弛豫时间和自旋‑自旋弛豫时间值越小，在一定范围能够定量检测目标菌，从而间接评估中药配方的抑菌效果
一种基于 nipt 纳米探针筛选厌氧菌中药抑制剂方法

[发明专利]无创产前基因检测测序数据的分析方法、装置及存储介质-CN202210032341.1在审
发明人：李佳;周思;鞠佳;许雯秋;苏茜;赵立见 -专利权人：深圳华大基因股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G16B20/50 文献下载
摘要：本申请方法包括，从NIPT测序数据中获取出现两条或以上染色体非整倍体的样本的原始测序结果，将其与参考基因组比对，去除不匹配或重复reads；根据NIFTY算法计算除Y和19号染色体外的其他染色体的Z值，本申请首次利用NIPT检测中MCA样本的染色体Z值绝对值前五的平均值评估孕期肿瘤情况，本申请分析方法直接利用NIPT测序数据即可，简单方便，没有NIPT测序以外的额外成本，进一步扩展了NIPT在检测妊娠期隐匿性母体癌症中的使用
产前基因检测序数分析方法装置存储介质

[发明专利]超高纯NiPt合金和包括该合金的溅射靶-CN200710168027.1无效
发明人： J·惠;李辛华;D·朗;C·德林顿;B·孔克尔 -专利权人：贺利氏有限公司
申请日： 2007-11-02 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：制造具有至少大约4N5超高纯度并且适合用作溅射靶的NiPt合金的方法，包括步骤：在熔炉中高温加热预定量的较低纯度的Ni和Pt以形成NiPt合金熔体，该熔炉由在高温时对熔体惰性的材料构成；和将熔体转移到具有脱模剂涂敷表面的腔的铸模中形成的NiPt合金具有很低浓度的杂质元素并且将其进行横向热轧以减小厚度和颗粒大小。
高纯 nipt 合金包括溅射

[发明专利]一种碱性溶液析氢电催化剂V2-CN201910444423.5有效
发明人：周敏;龙安春;张秀云;刘红飞;曾祥华 -专利权人：扬州大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种碱性溶液析氢电催化剂V2O3‑NiPt，所述催化剂V2O3‑NiPt的主要成分为V2O3和NiPt合金，其中V元素的质量百分比含量为5‑20%本发明还公开了该碱性溶液析氢电催化剂V2O3‑NiPt的制备方法和应用。本发明的方法制备得到的V2O3‑NiPt异质结型碱性析氢催化剂作为电极材料，不仅具有较好的碱性析氢性能，而且具有较低的贵金属铂含量
一种碱性溶液析氢电催化剂 base sub

[发明专利]肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法-CN201811562125.8在审
发明人：刘维;孟鹤;王品东;时新越 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明实施例提供的肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法，涉及电子元器件技术领域。肖特基二极管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，覆盖在所述衬底上；NIPT95合金，NIPT95合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；导电层，覆盖在所述肖特基势垒层上。由于采用NIPT95合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；相较于现有技术通过金属钛、金属镍、金属钼等金属与表面态良好的第一导电类型的外延层接触形成肖特基势垒层，本发明实施例提供的方案可以使形成的肖特基势垒层的反向漏电流小且离散较小
第一导电类型肖特基二极管肖特基势垒层合金外延层衬底渗入电子元器件反向漏电流制造过程表面态导电层废片率金属镍金属钛金属钼覆盖制造金属

[发明专利]孕妇NIPT结果校正方法、装置及计算机可读存储介质、设备-CN201710883645.8有效
发明人：钱雨飞;岑忠 -专利权人：上海凡迪基因科技有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G16B30/00 文献下载
摘要：一种孕妇NIPT结果校正方法、装置及计算机可读存储介质、设备，所述校正方法包括：获取原始孕妇CNV结果，并判断在预设的染色体上是否存在CNV；当在所述预设的染色体上存在CNV时，计算孕妇CNV区间内的测序序列数目区间内的参考测序序列数目，对所述孕妇CNV区间的测序序列数目进行校正，使得校正后的孕妇CNV区间的测序序列数目与所述参考测序序列数目的差值处于预设范围之内；根据所述校正后的孕妇CNV区间测序序列数目，计算得到更新后的孕妇NIPTZ值结果以及更新后的孕妇CNV结果；当所述更新后的孕妇CNV结果在所述预设的染色体上不存在CNV时，输出所述更新后的孕妇NIPT Z值结果。上述方案能够提高NIPT结果的准确率。
孕妇 nipt 结果校正方法装置计算机可读存储介质设备

[发明专利]金属与N型硅肖特基接触势垒高度的调节方法-CN201410114231.5无效
发明人：刘彦涛;黄福成;田振兴;郝雪东;王斌 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明之方法其特征在于，金属与N型硅肖特基接触势垒的形成过程如下，通过金属淀积窗口，在N-外延层上淀积Ni膜、Pt膜；再使其中的Ni、Pt合金化，并通过控制Ni膜、Pt膜的厚度控制NiPt合金中Ni、Pt质量比，在合金化的同时，在N-外延层上表层形成Ni、Pt、Si金属硅化物势垒层，去除未参加金属硅化物反应的NiPt合金。NiPt合金与N型硅肖特基接触势垒高度则能够通过调整NiPt合金中Ni、Pt质量比，在0.75eV到0.84eV之间准确确定，由此获得所需的肖特基二极管电学性质。
金属型硅肖特基接触势垒高度调节方法

[发明专利]一种镍硅化物的优化方法-CN201510367108.9有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍硅化物的优化方法，将形成镍硅化物时的传统两次退火优化为三次退火工艺，通过在第一次退火时消耗掉部分厚度的NiPt层，并在第一、二次退火之间进行离子注入Pt，从而改变了Pt在NiPt中的分布及含量，使得NiPt中的Pt远离基底硅，可在第一、二次退火时都形成Ni2Si，避免了因传统的富硅环境而形成高电阻的NiSi2，增强了最终形成的NiSi的稳定性。
一种镍硅化物优化方法

[发明专利]一种制作镍硅化物的方法-CN201510367130.3有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作镍硅化物的方法，通过应用应力技术，在NMOS和PMOS上沉积具有相反应力的TiN作为NiPt的保护层，在后续的镍硅化物形成过程中，不同的应力经过反应以及相变被记忆下来，使形成的镍硅化物可对NMOS沟道施加拉应力，对PMOS沟道施加压应力，从而避免了在金属硅化物的形成过程中，引入应力层所带来的负面作用，改善了器件的性能；NMOS和PMOS覆盖的NiPt具有不同含量的Pt，可满足器件的不同要求；此外，在NMOS保留的SiN，可在去除其上的NiPt时，避免对S/D带来额外的损害。
一种制作镍硅化物方法

[发明专利]一种NIPT试剂盒阳性率校正方法、装置、计算机设备和介质-CN202110918021.1有效
发明人：李继锁;赵哲浩;义清文;曹贵强;谢中文 -专利权人：上海小海龟科技有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G16B20/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种NIPT试剂盒阳性率校正方法、装置、计算机设备和介质。确定分区方案中的子区域对应的子区域阳性率；基于分区方案中的各子区域阳性率，确定分区方案的阳性率差值率；响应于阳性率差值率与第一阈值的关系，确定与分区方案对应的生物芯片的阳性率；基于与各分区方案对应的生物芯片的阳性率校正NIPT采用本方法能够提高NIPT试剂盒阳性率的计算准确性。
一种 nipt 试剂盒阳性校正方法装置计算机设备介质

[发明专利]一种离心成型制备NiPt合金靶材的方法-CN201810157024.6有效
发明人：毕珺;闻明;沈月;宋修庆;熊庆丰 -专利权人：贵研铂业股份有限公司
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种离心成型制备NiPt合金靶材的方法，涉及使用离心成型浇铸工艺制备薄板件NiPt合金靶材，以避免对铸锭实施应力加工所带来的破坏性影响，简化生产工序，保证产品材料纯度，大大提高产品成品率。当NiPt合金成分配比进入40‑90wt.％Pt的区间时，体系会发生有序转变，所形成的有序结构会大大弱化合金的应力加工性能。
一种离心成型制备 nipt 合金方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条