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[发明专利]一种带台阶结构的4H-SiC欧姆接触合金层处理方法-CN202310787239.7在审
发明人：何静博;胡长青;齐易晨;刘思成;鲁红玲;薛芫昕;尚春林 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种带台阶结构的4H‑SiC欧姆接触合金层处理方法，包括步骤1，对SiC欧姆接触孔表面进行金属腐蚀处理，仅去除未参与欧姆接触化学反应的多余金属层，保留高温合金后的欧姆接触的硅化物、金属化合物；步骤2，对SiC欧姆接触孔进行清洗，去除剩余的小面积未反应的金属残留物；步骤3，对欧姆接触表面进行表面处理，去除金属残渣；步骤4，对欧姆接触孔进行轻刻蚀处理，通过氧化以及离子轰击的方式去除颗粒型金属残渣；步骤5，腐蚀SiC欧姆接触表面上的自然氧化层，去除上述步骤形成的薄氧化层；步骤6，在获得高洁净度、高平整度的欧姆接触合金界面后，连续进行淀积电极金属工艺，完成4H‑SiC欧姆接触合金层处理。
一种台阶结构 sic 欧姆接触合金处理方法

[发明专利]一种晶圆背面金属化前的清洗方法-CN202310092602.3在审
发明人： 齐易晨;尚春林;何静博;张文鹏;胡长青;晏强 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆背面金属化前的清洗方法，具体步骤如下：S1、晶圆正面贴膜；S2、对S1得到的晶圆依次进行有机腐蚀液清洗、硅腐蚀液清洗、擦片、HF溶液清洗；S3、将S2得到的晶圆上的正面贴膜去除，得到清洗后的晶圆，本发明可以通过有机腐蚀液去除晶圆背面的有机沾污，通过硅腐蚀液和擦片工艺去除晶圆背面的减薄损伤层，通过HF溶液去除晶圆背面的自然氧化层，提高晶圆背面金属化成膜附着力。
一种背面金属化清洗方法

[发明专利]一种n型低电阻率的4H-SiC欧姆接触制造方法-CN202110656522.7有效
发明人：何静博;胡长青;尚春林;侯斌;齐易晨 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型低电阻率的4H‑SiC欧姆接触制造方法，包括以下步骤：步骤1，将n型4H重掺杂SiC衬底进行清洗；步骤2，在n型4H重掺杂SiC衬底的背表面上淀积金属镍层；步骤3，使用LPCVD设备加热金属镍层，使得金属镍层渗入到n型4H重掺杂SiC衬底中，金属镍层中的镍金属和SiC发生化合反应，形成NixSiy和碳团簇层，完成欧姆接触。使用LPCVD设备形成SiC材料的欧姆接触，在退火过程中使得Ar气流量和腔室内真空压力值稳定可控，硅化镍/SiC系统能够在循序渐进的升温过程中从肖特基接触平稳过渡到欧姆接触，减少在复杂的硅化过程中诱生的结构缺陷，在较低的高掺杂浓度下，形成稳定、有效、均匀的NixSiy和碳团簇层硅化物，完成欧姆接触的制备过程。
一种电阻率 sic 欧姆接触制造方法

[发明专利]一种NiPt15合金的肖特基二极管及其制备方法-CN202110287682.9在审
发明人：何静博;尚春林;侯斌;齐易晨;胡长青 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种NiPt15合金的肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括在衬底上依次制备外延层、P+环，肖特基势垒层、铝合金层和正极导电层，在衬底的下表面上制备负极导电层，该制备方法使用LPCVD设备完成NiPt15合金，可获得较高真空度，使得合金过程气体压力可控，有效优化合金工艺过程。由于采用NiPt15合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层，生成的金属硅化物包括镍硅和铂硅成分可以形成良好的肖特基接触，铂金属的加入可以提高镍硅薄膜的热稳定性，大幅优化肖特基二极管的电参数特性。相较于镍金属合金有很大优势。
一种 nipt15 合金肖特基二极管及其制备方法