专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]近红外反射膜及使用其的近红外反射玻璃-CN201380011536.7有效
  • 中岛彰久 - 柯尼卡美能达株式会社
  • 2013-02-25 - 2017-03-08 - G02B5/28
  • 所述近红外反射膜具有支承体和配置于所述支承体上的交替层叠有高折射率层和低折射率层的电介质多层膜,其中,任意所述高折射率层及与该高折射率层邻接的所述低折射率层满足1.1≥(dH×nH)/(dL×nL)﹥1或者1﹥(dH×nH)/(dL×nL)≥0.9(式中,dH表示高折射率层的厚度,nH表示高折射率层的折射率,dL表示低折射率层的厚度,nL表示低折射率层的折射率,dH×nH表示高折射率层的光学厚度,dL×nL,所述电介质多层膜具有电介质膜组组合,所述电介质膜组组合包含第一电介质膜组和第二电介质膜组,所述第一电介质膜组包含高折射率层(折射率n1H、厚度d1H)及低折射率层(折射率n1L、厚度d1L)各自至少3层,所述第二电介质膜组包含与所述第一电介质膜组的与支承体相反的面相接的高折射率层(折射率n2H、厚度d2H)及低折射率层(折射率n2L、厚度d2L)各自至少3层,此时,所述电介质膜组组合满足1.10≥d2H/d1H﹥1并且1.10≥d2L/d1L1
  • 红外反射使用玻璃
  • [发明专利]具有双S形图案的涤锦珊瑚绒织物的加工方法-CN201010277239.5无效
  • 沈建新 - 江苏兴达利集团有限公司
  • 2010-09-09 - 2011-02-02 - D04B21/02
  • 本发明公开了一种具有双S形图案的涤锦珊瑚绒织物的加工方法,织造步骤中:1)梳栉L1L2、L5、L6上面针满穿;2)梳栉L3穿X1针,穿X针,穿X2针,穿X针,…,穿Xk针;3)梳栉L4空穿Y1针,穿X针,空穿Y2针,穿X针,…,空穿Yk针;梳栉的垫纱数码:L3:N-(N+1)-N-(N+1)/(N-1)-N-(N-1)-N/(N-2)-(N-1)-(N-2)-(N-1)/…/1-2-1-2/0-1-0-1/1-2-1-2/…/(N-2)-(N-1)-(N-2)-(N-1)/(N-1)-N-(N-1)-NL4:0-1-0-1/1-2-1-2/…/(N-2)-(N-1)-(N-2)-(N-1)/(N-1)-N-(N-1)-N/N-(N+1)-N-(N+1)/(N-1)-N-(N-1)-N/(N-2)-(N-1)-(N-2)-(N-1)/…/1-2-1-2;L1L6:采用0-1/0-1L2、L5
  • 具有图案珊瑚织物加工方法
  • [发明专利]发光装置-CN201680088481.3有效
  • 门谷章之;福士一郎 - 株式会社岛津制作所
  • 2016-08-26 - 2020-12-25 - G02B6/42
  • 本发明具备:发光元件(11、12、…、1n);光扩散元件(40),其将来自每一个发光元件(11、12、…、1n)的出射光(L11、L12、…、L1n)扩散,并输出扩散光(L21、L22、…、L2n);以及光耦合元件(50),其接收扩散光(L21、L22、…、L2n),并输出将扩散光(L21、L22、…、L2n)耦合后的输出光(L3),光扩散元件(40)将出射光(L11、L12、…、L1n)扩散到包含光耦合元件(50
  • 发光装置
  • [发明专利]电压平衡校正电路-CN201680027932.2在审
  • 宫崎真鹤;福井规生 - FDK株式会社
  • 2016-02-12 - 2018-02-16 - H02J7/00
  • 本发明所涉及的电压平衡校正电路包括与串联连接的多个蓄电单元(B1~Bn)一一对应的多个电压校正电路(11~1n)、以及基于多个蓄电单元(B1~Bn)的电压控制多个电压校正电路(11~1n)的控制电路(10),多个电压校正电路(11~1n)包含与对应的蓄电单元(B1~Bn)并联连接的第1线圈(L11~L1n)、根据控制电路(10)的控制接通、断开第1线圈(L11~L1n)到该蓄电单元(B1~Bn)的连接的场效应晶体管(Q1~Qn)、以及与第1线圈(L11~L1n)磁耦合的第2线圈(L21~L2n),多个电压校正电路(11~1n)中,第2线圈(L21~L2n)并联连接。
  • 电压平衡校正电路

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