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[发明专利]垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法-CN202310288997.4在审
发明人：庄喆;桑艺萌;刘斌;陶涛 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法，其结构包括可用于GaN生长的衬底材料上依次外延MOSFET和LED结构，并通过半导体工艺流程制备出MOSFET和LED所需的栅介质层和金属电极层本发明在可用于GaN生长材料上表面一次外延MOSFET结构和LED结构，MOSFET的漏电极与LED器件的p电极共用，使MOSFET结构与LED结构串联，通过MOSFET栅极调控通过MOSFET中的电流，即流过LED的电流，达到MOSFET调控LED发光的目的，形成垂直型MOSFET‑LED集成芯片。
垂直 mosfet led 单片集成芯片制备方法

[实用新型]一种电池管理器的充电限流系统-CN202222003069.2有效
发明人：包刘杰;邹丽香;王军英;杨妍 -专利权人：巨翼（苏州）新动力有限公司
申请日： 2022-07-31 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电池管理器的充电限流系统，包括MOSFET驱动电路和可调电压模块，MOSFET驱动电路包括放电MOSFET管、充电MOSFET管和闭环调节器，充电MOSFET管与放电MOSFET管相串联，可调电压模块与充电MOSFET管相连，闭环调节器与可调电压模块相连，可调电压模块通过闭环调节器输出可调电压给充电MOSFET管，控制充电MOSFET管的充电电流大小。本实用新型通过在原MOSFET驱动电路上新增一个可调电压模块，即可实现充电限流功能，具有不额外增加体积，简单可靠等优点。
一种电池管理器充电限流系统

[发明专利]一种汽车PWM输出电路-CN202010755074.1在审
发明人：张慧松;马江涛;刘渊;霍舒豪;张德兆;王肖;李晓飞;张放 -专利权人：重庆智行者信息科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H03K7/08 文献下载
摘要：本发明公开一种汽车PWM输出电路，包括与DC‑DC电源模块的输出端连接的高速开关电路模块，高速开关电路模块包括N‑MOSFET以及与N‑MOSFET连接的P‑MOSFET，N‑MOSFET门极与PWM输出控制器的控制输出端连接，N‑MOSFET源极接地，N‑MOSFET漏极接P‑MOSFET门极，并与DC‑DC电源模块的第一输出分支电路连接，P‑MOSFET的源极接DC‑DC电源模块的第二输出分支电路，P‑MOSFET漏极接到本发明利用N‑MOSFET以及与P‑MOSFET的特性，能实现低成本高频率范围及高电压应对各种负载的PWM输出。
一种汽车 pwm 输出电路

[发明专利]一种开关电源的软启动装置及方法-CN201810076210.7有效
发明人：苟昌华;王武军 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明涉及服务器技术领域，提供一种开关电源的软启动装置及方法，软启动装置包括控制芯片、MOSFET A和MOSFET B；控制芯片的管脚1与MOSFET A栅极连接，管脚2与MOSFET B的栅极连接，MOSFET A和MOSFET B的漏极均与直流电源的正极端连接，MOSFET A和MOSFET B的源极均与后端电容C2连接，直流电源的正负极端上并联有滤波电容C1；控制芯片用于启动MOSFET A，并根据电压检测电路侦测的电压值开启MOSFET B，并生成Power good信号，从而在板卡启动或者热插拔过程中，既不会带来较大瞬间冲击电流，又有效保证MOSFET安全工作。
一种开关电源启动装置方法

[发明专利]半导体场效应晶体管的测试方法及测试结构-CN201010229225.6有效
发明人：邵芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体场效应晶体管MOSFET的测试结构，由测试平台通过从MOSFET引出的焊垫对MOSFET进行测试，该结构包括：MOSFET和金属引线，还包括：两个源极pad：分别通过金属引线连接至MOSFET的两个源极；一个漏极pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极；一个栅极pad，通过金属引线连接至MOSFET的栅极；一个电压感应pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极。本发明还提供了一种MOSFET的测试方法，所述测试结构及测试方法提高了MOSFET测试准确性。
半导体场效应晶体管测试方法结构

[发明专利]一种快速主动抑制SiC MOSFET串扰的驱动电路及控制方法-CN202110727363.5在审
发明人：田超;秦东东;吴元元 -专利权人：北京机械设备研究所
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速主动抑制SiC MOSFET串扰的驱动电路及控制方法，属于电力电子驱动技术领域，解决了现有技术在串扰抑制过程中会减缓关断速度和增加关断损耗以及抑制串扰的可靠性较低的问题。电路包括与上管SiC MOSFET连接的第一串扰抑制电路和与下管SiC MOSFET连接的第二串扰抑制电路；所述第一串扰抑制电路，用于根据接收的驱动下管SiC MOSFET的第二PWM控制信号进行通断，以调整上管SiC MOSFET处于关断状态,下管SiC MOSFET开通时，上管SiC MOSFET的门极电压，抑制上管SiC MOSFET的开通；所述第二串扰抑制电路，用于根据接收的驱动上管SiC MOSFET的第一PWM控制信号进行通断，以调整下管SiC MOSFET处于关断状态,上管SiC MOSFET开通时，下管SiC MOSFET的门极电压，抑制下管SiC MOSFET的开通。
一种快速主动抑制 sic mosfet 驱动电路控制方法

[发明专利]一种具备抑制SiC MOSFET串扰的电机装置及控制方法-CN202110727418.2在审
发明人：田超;吴元元;王婧;李婧;梁晓龙 -专利权人：北京机械设备研究所
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种具备抑制SiC MOSFET串扰的电机装置及控制方法，属于电机控制技术领域，解决了现有技术电机在串扰抑制过程中会减缓关断速度和增加关断损耗以及抑制串扰的可靠性较低的问题。包括电机，一端与上管SiC MOSFET源极和下管SiC MOSFET漏极连接，另一端分别经第六电容与上管SiC MOSFET的漏级连接，经第七电容与下管SiC MOSFET源级连接；所述第一串扰抑制电路，用于根据反转控制信号进行通断，以调整上管SiC MOSFET处于关断状态,下管SiC MOSFET开通时，上管SiC MOSFET的门极电压，抑制上管SiC MOSFET的开通；所述第二串扰抑制电路，用于根据接收的正转控制信号进行通断，以调整下管SiC MOSFET处于关断状态,上管SiC MOSFET开通时，下管SiC MOSFET的门极电压，抑制下管SiC MOSFET的开通。
一种具备抑制 sic mosfet 电机装置控制方法

[实用新型]一种基于低压新能源低速电动车的低成本电流采样电路-CN201820567660.1有效
发明人：石文光;项春亮 -专利权人：深圳博用科技有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H02P27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于低压新能源低速电动车的低成本电流采样电路，包括动力电源、三相全桥模块、电流采样模块；所述三相全桥模块包括第一MOSFET组、第二MOSFET组、第三MOSFET组；所述电流采样模块包括运算放大器；第一MOSFET组、第二MOSFET组、第三MOSFET组均与所述电机电源并联连接，将所述电机电源的直流电转换成三相交流电；第一MOSFET组、第二MOSFET组、第三MOSFET组均包括采样MOSFET管；所述采样MOSFET管的一端与所述运算放大器的反向输入端相连接；所述采样MOSFET管的另一端与所述运算放大器的正向输入端相连。通过直接采集MOSFET管两端的电压实现电流采集，省去采样电阻的成本，也扩大了功率应用的范围。
运算放大器采样电流采样电路电流采样模块电机电源三相全桥电动车低成本新能源交流电本实用新型正向输入端直流电转换并联连接采样电阻电流采集动力电源反向输入功率应用采集

[实用新型]差分电路及芯片-CN201720850782.7有效
发明人：于玮玮;林鸿鹏;王永流 -专利权人：华大半导体有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种差分电路，包括第一组金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和第二组金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，其中第一组MOSFET中的每个MOSFET的源极与第二组MOSFET中的每个相应MOSFET的源极通过电导体相连接以形成差分单元，使得第一组MOSFET和第二组MOSFET形成差分对，其中第一组MOSFET和第二组MOSFET中的每个MOSFET都具有保护环，所述保护环与相应MOSFET的衬底接触，并且每个差分单元中的两个MOSFET的保护环通过所述电导体彼此连接。
电路芯片

[实用新型]电动工具及其供电电路-CN202121128172.9有效
发明人：刘力丹;雷飞;刘晓东;刘海春 -专利权人：上海器外文化科技有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种电动工具及其供电电路，所述供电电路包括线性稳压器、第一MOSFET、第二MOSFET和第一电阻；所述线性稳压器的VIN端连接至电池正极，所述线性稳压器的GND端接地，所述线性稳压器的VOUT端连接至所述第一MOSFET的源极，所述线性稳压器的VOUT端输出第一预设电压；所述第一MOSFET的源极通过所述第一电阻连接至所述第二MOSFET的漏极，所述第一MOSFET的栅极连接于所述第一电阻和所述第二MOSFET的漏极之间，所述第一MOSFET的漏极输出第二预设电压，所述第二MOSFET的源极接地，所述第二MOSFET的栅极接收供电控制信号，所述供电控制信号用于控制所述第二MOSFET的导通和截止。由此，可以根据供电控制信号控制第二MOSFET和第一MOSFET的通断状态，实现供电的智能调控。
电动工具及其供电电路

[实用新型]一种全桥功率MOSFET模块叠层结构-CN202220317532.8有效
发明人：李亮亮 -专利权人：成都赛力康电气有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及电气控制技术领域，公开了一种全桥功率MOSFET模块叠层结构，包括：连接杆、MOSFET模块及为MOSFET模块降温的冷却盒，连接杆穿过多个MOSFET模块的基板与底座固定连接，形成叠层结构；冷却盒设置在相邻MOSFET模块之间。本实用新型使用已有的MOSFET模块进行不同数量的叠置，改变了叠层结构MOSFET模块的输出功率，可以满足不同适配功率的场景，同时配备冷却盒对MOSFET模块冷却降温，以保证叠层MOSFET模块整体正常工作运行
一种功率 mosfet 模块结构

[发明专利]用于控制MOSFET转换速率的方法及其设备-CN201610262623.5有效
发明人： S.阿尔普 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： F02P19/02 文献下载
摘要：本发明涉及控制MOSFET转换速率的方法，MOSFET连接到用于将电流供应到电负载的电池(600)。方法包括的步骤是：提供MOSFET的状态转变；监测MOSFET的漏极‑源极电压；提供通过MOSFET的栅极的可变电流，且如果MOSFET的漏极‑源极电压满足作为电池电压VBAT的函数的预定状态，则提供通过MOSFET的栅极的恒定电流。
用于控制 mosfet 转换速率方法及其设备

[发明专利]一种CT探测器加热条驱动电路-CN202010951149.3在审
发明人：方泽莉;周彬奇;朱炯;黄振强 -专利权人：明峰医疗系统股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种CT探测器加热条驱动电路，涉及CT探测器技术领域，包括MCU、与MCU连接的MOSFET驱动芯片、与MOSFET驱动芯片连接的MOSFET器件、以及与MOSFET器件连接的加热条电路；MCU输出控制信号控制MOSFET驱动芯片输出高电平或低电平，从而控制MOSFET导通或关闭，最终控制加热条的加热或停止加热；MOSFET驱动芯片带有快速关断电路和光耦隔离电路。本发明驱动电路不需要给MOSFET驱动电路本身增加额外的电源，同时MOSFET驱动芯片内部集成了快速关断电路，不需要额外增加器件去实现MOSFET的关断，因此可以在节省空间的同时，大幅降低成本，维护简单；且本发明采用具有快速关断电路的MOSFET驱动芯片，减少MOSFET的关断时间，保证加热功率，从而可保证探测器温度稳定。
一种 ct 探测器加热驱动电路

[发明专利]一种抑制桥臂串扰的逆变器及方法-CN202010679306.X在审
发明人：刘云 -专利权人：威马智慧出行科技（上海）有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：该逆变器包括：桥式逆变电路，包括上桥臂MOSFET和下桥臂MOSFET，每相桥臂的上桥臂MOSFET和下桥臂MOSFET择一导通；钳位开关管，设于各桥臂MOSFET的栅极和源极之间，适于导通以消除对应桥臂MOSFET的栅源电压；以及处理器，通信连接各桥臂MOSFET及各钳位开关管，并配置为：监测各桥臂MOSFET的开关状态；以及响应于任一桥臂MOSFET的导通，开通该相桥臂的另一桥臂MOSFET对应的钳位开关管以保持另一桥臂MOSFET关断。本发明能够消除MOSFET的栅极密勒效应，以克服由桥臂串扰引发的桥臂误动作的问题。
一种抑制桥臂串扰逆变器方法

[发明专利]用于以太网供电的受电设备-CN201810541621.9有效
发明人：曹金灿;丁永欢 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：所述整流电路包括第一控制电路和第二控制电路；所述第一控制电路用于控制与以太网端口的第一触点组相连的第一MOSFET和所述第二MOSFET，在PoE检测阶段不导通所述第一MOSFET和所述第二MOSFET，在PoE供电阶段导通所述第一MOSFET和所述第二MOSFET中的至少一个。所述第二控制电路用于控制与以太网端口的第二触点组相连的第三MOSFET和第四MOSFET，在PoE供电阶段导通所述第三MOSFET和所述第四MOSFET中的至少一个，在检测阶段不导通所述第三MOSFET和所述第四MOSFET。
用于以太网供电设备