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[发明专利]一种LDMOSFET器件及其制备方法-CN202211030584.8在审
发明人：刘杰;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种LDMOSFET器件及其制备方法，LDMOSFET器件包括：LDMOSFET器件包括：N型衬底层、绝缘层、P型阱区、源极区、P型基区、漏极区、漂移区、钝化层、源极电极、漏极电极、栅极电极以及栅极扩展区；通过在栅极电极和漏极电极之间设置栅极扩展区，可以在漂移区上方形成一条从漏极区到源极区的低电阻的高浓度电子通道，减小了LDMOSFET器件的导通电阻，并将P型基区与N型衬底层之间的距离小于绝缘层的厚度，如此来疏散电势线，使得在漂移区内部的电场均匀分布，避免了漏极区附近的电场集中，从而提升了器件的击穿电压，使得在提升器件击穿电压的同时，减少了器件的导通电阻，解决了现有的LDMOSFET器件在击穿电压与导通电阻方面不能做到平衡的问题
一种 ldmosfet 器件及其制备方法

[发明专利]LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件-CN202210388660.6有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;王帅鹏;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件。所述LDMOSFET器件的制作方法包括：在衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上粘接硅片，对粘接的硅片进行刻蚀处理，去除硅片两侧边缘的硅材料；在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区；在漂移区的上方形成第二氧化层本发明通过第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层构成LDMOSFET器件的三场板结构，不仅可以降低器件的表面电场，还可以降低器件的内部电场，在确保低导通电阻的前提下，提高LDMOSFET器件的击穿电压。
ldmosfet 器件制作方法

[发明专利]一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路-CN202210159453.3有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有外延层；所述外延层上方依次设有第一重掺杂N+离子、P型硅、N型硅及第二重掺杂N+离子；所述P型硅中设有轻掺杂所述LDMOSFET不需要高能量离子注入，具有工艺简单，成本低的特点。
一种 ldmosfet 制备方法芯片电路

[发明专利]一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路-CN202210159442.5在审
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层上方设有外延层；所述外延层上方设有高压N型阱；所述高压N型阱上方依次设有第一N型漂移区所述LDMOSFET不仅有效的缩小了器件的尺寸，还大大提升了器件的性能。
一种 ldmosfet 制备方法芯片电路

[发明专利]一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路-CN202210159448.2在审
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层上方设有外延层；所述外延层上方设有N型阱；所述N型阱上方依次设有第一P型体区、N型漂移区和第二所述LDMOSFET不仅有效的缩小了器件的尺寸，还大大提升了器件的性能。
一种 ldmosfet 制备方法芯片电路

[发明专利]LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件-CN202310061014.3有效
发明人：余山;陈燕宁;付振;刘芳;赵扬;朱松超;刘春颖;邵亚利;沈美根;鹿祥宾;李君建 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。LDMOSFET器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙本发明通过空气侧墙将场板隔离结构中的氧化物与漂移区的硅从侧面隔离开，彻底消除隔离结构侧面、上角处和下角处的二氧化硅与硅之间的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；具有空气侧墙的场板隔离结构可以更好的降低表面电场
ldmosfet 器件制造方法

[发明专利]一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路-CN202210124399.9有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，为了实现上述目的，本发明实施例提供一种LDMOSFET，包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层上方设有外延层；所述外延层上方设有高压P型阱和高压该LDMOSFET不仅有效的缩小了器件的尺寸，还大大提升了器件的性能。
一种 ldmosfet 制备方法芯片电路

[发明专利]LDMOSFET器件、制作方法及芯片-CN202210270476.1有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOSFET器件、制作方法及芯片，属于芯片领域。所述LDMOSFET器件包括：半导体衬底、栅极、源极区、漏极区、体区以及漂移区，所述体区以及漂移区形成在所述半导体衬底内，所述栅极形成在半导体衬底的上方，且一端与所述体区相连，另一端位于所述漂移区上方，该LDMOSFET器件将漏极区设置在半导体衬底的上方，不占漂移区的部分区域，不影响漂移区击穿电压的提升效果，不增加导通电阻。
ldmosfet 器件制作方法芯片

[发明专利]LDMOSFET器件、制作方法及芯片-CN202210375521.X有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOSFET器件、制作方法及芯片，属于芯片技术领域。所述LDMOSFET器件包括：半导体衬底、栅极、源极区、漏极区、体区以及漂移区；体区以及漂移区形成在半导体衬底内，栅极形成在半导体衬底的上方且一端与体区相连，另一端位于漂移区上方；栅极与半导体衬底上方覆盖有介质层该LDMOSFET器件将漏极区设置在半导体衬底的上方，不占漂移区的部分区域，不影响漂移区击穿电压的提升效果，不增加导通电阻。
ldmosfet 器件制作方法芯片

[发明专利]空气介质场板隔离的LDMOSFET器件及制造方法-CN202310060867.5有效
发明人：余山;陈燕宁;付振;刘芳;赵扬;朱松超;刘春颖;邵亚利;沈美根;鹿祥宾;李君建 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括半导体衬底、漂移区、体区、阱区、源极、漏极以及栅极，还包括：场板以及场板隔离结构，场板隔离结构包括空气介质腔和氧化层，空气介质腔形成于漂移区内，氧化层用于封闭空气介质腔，场板形成于氧化层的表面本发明采用封闭的空气介质腔作为场板隔离介质层，相对于采用二氧化硅场板隔离介质层，本发明的空气介质腔中的空气与漂移区的硅直接接触，彻底消除SiO₂‑Si的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；并且，空气的介电常数远小于二氧化硅的介电常数
空气介质隔离 ldmosfet 器件制造方法

[发明专利]一种LDMOSFET、制备方法及芯片、电路-CN202210132826.8在审
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片、电路。所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层和衬底上方设有高压N型阱和第一高压P型阱；所述高压N型阱上方设有第二高压P型阱；所述第二高压P型阱上方依次设有第一P型漂移区、N型体区及第二P所述LDMOSFET通过提高载流子的迁移率，大大提升了自身的驱动能力和驱动速度。
一种 ldmosfet 制备方法芯片电路

[发明专利]半导体器件-CN200810009409.4有效
发明人：樱井智;后藤聪;藤冈彻 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-02-01 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMOSFET将用作半导体芯片的放大部分。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN200610004208.6有效
发明人：菊地修一;大川重明;中谷清史;高桥利幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-01-28 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在本发明的半导体装置中，在衬底(2)上堆积外延层(3)，在被分离区域(4)区分的区域形成有LDMOSFET1。根据该结构，在配线层(18)下方，分离区域(4)附近的电场被缓和，LDMOSFET1的耐压特性提高。
半导体装置

[发明专利]固态继电器-CN98102682.6无效
发明人：铃村正彦;高野仁路;铃木裕二;岸田贵司;早崎嘉城;白井良史;吉田岳司;宫本靖典 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 1998-06-30 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种由一对LDMOSFET串联组成的固态继电器具有最小的输出电容。每一LDMOSFET都是SOI(绝缘体上硅)的结构，它由设在支撑板上的硅衬底、硅衬底上的埋入氧化层以及埋入氧化层上的硅层组成。
固态继电器

[发明专利]半导体器件-CN201410422025.0有效
发明人：松井孝二郎;阪本雄彦;梅津和之;宇野友彰 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：在半导体衬底(SB)的主面的LDMOSFET形成区域(LR)形成有相互并联连接而构成功率MISFET的多个单位MISFET元件。形成于LDMOSFET形成区域(LR)的多个单位MISFET元件的栅电极(GE)彼此之间经由极布线(M1G、M2G、M3G)而相互电连接，所述极布线分别形成在由同种金属材料构成的多个布线层的全部布线层上
半导体器件

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