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- [发明专利]氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法-CN201180019641.6有效
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笔田麻佑子;山田英司
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夏普株式会社
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2011-02-17
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2013-01-02
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H01L33/32
- 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法，氮化物半导体发光元件（100）在氮化物半导体活性层（107）上依次包括：第一p型氮化物半导体层（108）、第二p型氮化物半导体层（109）、第三p型氮化物半导体层（110），第一p型氮化物半导体层（108）及第二p型氮化物半导体层（109）分别含有Al，第一p型氮化物半导体层（108）的平均Al组分与第二p型氮化物半导体层（109）的平均Al组分相同，第三p型氮化物半导体层（110）的带隙小于第二p型氮化物半导体层（109）的带隙，第二p型氮化物半导体层（109）的p型杂质浓度及第三p型氮化物半导体层（110）的p型杂质浓度分别低于第一p型氮化物半导体层（108）的p型杂质浓度。
- 氮化物半导体发光元件制造方法
- [发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202180005475.8有效
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神田裕介;宫岛贤一
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新唐科技日本株式会社
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2021-05-24
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2023-04-28
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H01L29/778
- 半导体装置100具有：不含有Al的III族氮化物的沟道层103；含有Al的III族氮化物的阻挡层104，设在沟道层103之上；凹槽106；以及欧姆电极108，设在凹槽106内，与二维电子气层105欧姆连接；与衬底101表面正交的第1方向上的阻挡层104的Al成分率分布在第1位置109具有极大点；在第1方向上，具有：阻挡层104的第1倾斜面110，包含第1位置109，与欧姆电极108相接；以及阻挡层104的第2倾斜面111，在第1倾斜面110的下方与第1倾斜面110交叉，与欧姆电极108相接；第2倾斜面111相对于衬底101表面的角度小于第1倾斜面110相对于衬底101表面的角度，第1方向上的第1交叉线
- 半导体装置制造方法
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