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[外观设计]轮胎（AIN33）-CN201730075311.9有效
发明人：何跃;关呈臣;李中浩;陈宇;董丽霞;邱琳 -专利权人：风神轮胎股份有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： 12-15 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称轮胎（AIN33）。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于车辆行驶的轮胎。3．本外观设计产品的设计要点形状、图案及其结合。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
轮胎 ain33

[实用新型]氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构-CN200920272392.1无效
发明人：储开慧;许金通;包西昌;李向阳;戴江;陈长清 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本专利公开了一种AIN晶体上的欧姆接触电极结构，AIN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AIN层。通过先在本征型AIN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AIN材料上的欧姆接触。AIN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。真空紫外器件的研制，将能为我国的太空探测提供技术支撑。
氮化晶体欧姆接触电极结构

[发明专利]响应于高级智能网（AIN）触发来提供因特网协议多媒体子系统（IMS）服务的方法、系统和计算机程序产品-CN200780021779.3有效
发明人： A·班图库尔 -专利权人：泰克莱克公司
申请日： 2007-04-13 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H04L12/66 文献下载
摘要：本文所述主题涉及一种响应于高级智能网(AIN)触发来提供因特网协议多媒体子系统(IMS)服务的方法、系统和计算机程序产品。根据一个方面，提供了一种响应于AIN触发来提供IMS服务的方法。该方法包括检测与注册了IMS的非IMS设备有关的AIN触发的激发。识别将要响应于AIN触发而提供的IMS服务。提供IMS服务。
响应高级智能 ain 触发提供因特网协议多媒体子系统 ims 服务方法系统

[发明专利]一种利用等离子体增强原子层沉积制备压电AIN薄膜的方法-CN202111484161.9在审
发明人：陆桥宏;何东旺;曹俊 -专利权人：江苏籽硕科技有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C30B28/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用等离子体增强原子层沉积制备压电AIN薄膜的方法，涉及压电薄膜制备技术领域，先对基片表面清洁和烘干，之后放入磁控溅射机内，进行真空热处理，待基片的温度降至室温后，向真空腔体内通入的氩气，使用射频磁控溅射方法沉积AIN多晶薄膜，将压电AIN薄膜放入原子层沉积装置的反应腔体中，并通入气态硅烷，该气态硅烷与压电AIN薄膜反应，向反应腔内通入氧气等离子体，并与气态硅烷和压电AIN薄膜反应获得产物的外露基团反应，以此生成氧化硅，具备了通过采用等离子体增强原子层沉积制备压电AIN薄膜，可以进一步的去除薄膜中的杂质，从而获得更低的电阻率和更高的薄膜致密度，提高了工作效率的效果。
一种利用等离子体增强原子沉积制备压电 ain 薄膜方法

[实用新型]一种光电位置传感器-CN202320186118.2有效
发明人：李京波;张梦龙;黄颖;柯茜 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电位置传感器，包括：衬底；AIN层，设置在衬底的上方；n‑GaN层，设置在AIN层的上方；本征GaN层，设置在n‑GaN层的上方；p‑InGaN层，设置在本征GaN层的上方；两个第一电极；设置在AIN层的上方且分别位于n‑GaN层的两侧；两个第二电极；设置在AIN层的上方且分别位于n‑GaN层的两侧，两个第一电极和两个第二电极形成矩形结构。本申请在衬底表面设置一层AIN层能够作为缓冲层避免材料的氧化，从而保证材料的稳定性。
一种光电位置传感器

[发明专利]轮胎-CN202180015076.X有效
发明人：堀内研治 -专利权人：横滨橡胶株式会社
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B60C11/12 文献下载
摘要：在指定了相对于车辆的装配方向的轮胎中，车辆内侧的接地区域中的槽面积比率Rin和车辆外侧的接地区域中的槽面积比率Rout满足Rin＞Rout的关系，车辆内侧的中间区域Min的平均陆部面积Ain和车辆外侧的中间区域Mout的平均陆部面积Aout满足Ain＜Aout的关系，车辆内侧的中间区域Min的块状花纹数Nin和车辆外侧的中间区域Mout的块状花纹数Nout满足Nin≥1.5×Nout的关系，车辆内侧的中间区域Min的刀槽花纹总长度Sin和车辆外侧的中间区域Mout的刀槽花纹总长度Sout满足Sin＞Sout的关系，在车辆内侧的中间区域Min形成的刀槽花纹(32、33)在刀槽花纹长度的70％以上的范围具有三维结构
轮胎

[实用新型]多维智能控制细胞生物反应器全集成式RTD温度测量电路-CN201721470710.6有效
发明人：胡松林;陈玮;郝颖;项进鸿 -专利权人：杭州洪扬生物工程有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G01K7/21 文献下载
摘要：利用AD7124‑4的4个模拟引脚AIN0、AIN1、AIN2和AIN34实现3线测量，AIN2和AIN3检测Pt100上的电压，由EVAL‑SDP‑CB1Z板上的ADSP‑BF527与AD7124‑4
线性稳压芯片全集成细胞生物反应器温度测量电路智能控制多维模数转换芯片本实用新型测温传感器高精度测量测量电路模拟引脚反应器校准低功耗低噪声线测量线性化检测处理器构建线测应用优化

[发明专利]基于柔性生物传感器的新型物联网排痰机及其控制系统-CN201410480235.5在审
发明人：柳召宾;周正辉;赵智博;冒红 -专利权人：无锡恒宇医疗器械有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： A61H23/00 文献下载
摘要：本发明包括肺啰音电路及指纹识别系统，导联心电电路的AIN1端连接ARM的AIN1端，肺啰音电路的AIN2端连接ARM的AIN2端；指纹识别电路的MISO﹑MOSI﹑SCS﹑SPICLK端分别连接ARM的
基于柔性生物传感器新型联网排痰机及其控制系统

[实用新型]单片机复位引脚驱动LED数码管电路结构-CN202022573420.2有效
发明人：张凯旋 -专利权人：深圳市艾能微科技有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：数码管部分和单片机部分，电源部分与单片机部分电连接，单片机部分与数码管部分电连接，单片机部分包括单片机U2、滤波电容C3、滤波电容C4和限流电阻R1，单片机U2设有VDD引脚、RA7引脚、PA5/RST引脚、PB3/AIN8引脚、PB2/AIN7引脚、INT0/AIN5/PB0引脚、AIN0/PA0引脚、AIN2/PA2引脚、AIN4/PA4引脚、VSS引脚。
单片机复位引脚驱动 led 数码管电路结构

[发明专利]一种AIN纳米粉体材料的制备方法-CN201510698035.1在审
发明人：李阳;王天雷;陈奎;龙文进;张越嫦;刘福荣;罗旭豪;邹文俊 -专利权人：五邑大学
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种AIN纳米粉体材料的制备方法，包括反应前驱体粉末的制备，升温过程，降温过程，滤洗及反应过程，干燥过程几个步骤，本发明在传统直接氮化法制备AIN粉末的工艺基础之上，创新性地以Mg和NH4Cl同时做辅助添加剂，在较低温度850℃下，对铝粉进行氮化，利用Mg和NH4Cl双重的辅助氮化功能，制备出结构良好的反应产物-蓬松多孔状的AIN粉体材料。通过后续酸洗工艺去除残余铝粉，真空干燥来得到纯度高、细粒度的AIN纳米材料。
一种 ain 纳米材料制备方法

[发明专利]喷嘴、喷嘴布置结构和液体分配系统-CN201880026227.X在审
发明人：亚尔莫·莱赫托宁;塞波·尼西尔 -专利权人：梅塔巴科技公司
申请日： 2018-02-20 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： B05B7/06 文献下载
摘要：本发明涉及喷嘴，该喷嘴包括：用于水或其他液体的液体入口通道(LIN)，该液体入口通道具有用于使液体从液体入口通道出去的出口嘴部(LINM)；加压空气入口通道(AIN)，该加压空气入口通道具有用于使加压空气从加压空气入口通道(AIN)出去的出口嘴部(AINM)。在本发明中，液体入口通道(LIN)和加压空气入口通道(AIN)被定位成使得加压空气入口通道(AIN)至少部分地围绕液体入口通道(LIN)，以由离开的液体和离开的加压空气产生雾。
加压空气入口液体入口通道加压空气喷嘴出口嘴

[发明专利]一种超薄GaN量子阱深紫外激光器制备方法及深紫外激光器-CN202111409834.4在审
发明人：单茂诚;张毅;张会雪;赵永明;陈长清;李晓航 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种超薄GaN量子阱深紫外激光器制备方法，所述方法包括步骤：准备MOCVD反应室及蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上沉积第一厚度的AIN缓冲层；在所述AIN缓冲层上生长第二厚度的AIN模板；在所述AIN模板上形成预设周期的量子阱结构；在所述量子阱结构上生长第三厚度的AIN帽层；从所述蓝宝石衬底的背面抛光减薄至预设厚度；在所述蓝宝石衬底上形成隐形凹槽；沿所述隐形凹槽方向在所述蓝宝石衬底上形成光泵浦激光条。
一种超薄 gan 量子深紫激光器制备方法

[发明专利]高热导率氮化铝陶瓷的制造方法-CN95117462.2无效
发明人：周和平;吴音;缪卫国;刘耀诚;任福民 -专利权人：清华大学
申请日： 1995-11-17 - 公布日： 1996-09-11 - 主分类号： C04B35/582 文献下载
摘要：本发明涉及一种高热导率氮化铝陶瓷的制造方法，该方法以氮化铝粉体为原料，加入混合助烧结剂Dy2O3、CaO、B2O3等，混均成为AIN混合料，然后在混合料中加入粘结剂、分散剂、增塑剂等以后，用干压法或流延法将混合料制成AIN坯体，最后将排胶后的AIN素坯置于石墨加热炉中，通以流动N2气保护，在1550℃～1800℃下烧结，保温2～6小时，即可获得高致密度AIN陶瓷。
高热氮化陶瓷制造方法

[发明专利]一种新型荧光材料及其制备方法-CN200910031920.9无效
发明人：邹志刚;姚瑶;雷思东;李朝升 -专利权人：南京大学
申请日： 2009-07-03 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：一种新型荧光材料及其制备方法，以AIn(WO₄)₂型近紫外光或蓝光激发材料为荧光材料的基质材料，A代表碱金属，基质材料中掺杂掺杂稀土离子Re和或敏化离子Bi³⁺，生成的荧光材料包括AIn(WO₄)₂:Re、AIn(WO₄)₂:Bi³⁺、AIn(WO₄)₂:Re，Bi³⁺。
一种新型荧光材料及其制备方法

[发明专利]一种AIN压电薄膜水听器芯片单元、芯片以及水听器-CN202111140669.7在审
发明人：杨华;王晓波;张浩 -专利权人：青岛国数信息科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G01H3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种AIN压电薄膜水听器芯片单元、芯片以及水听器。其中，AIN压电薄膜水听器芯片单元，包括由下向上依次设置的SOI基片、AIN压电层以及电极层；其中，电极层包括正电极和负电极；正电极设置于电极层的中心区域，且呈圆形；负电极设置于电极层的外侧边缘区域，且呈环形本发明通过改进AIN压电薄膜水听器芯片单元中正负电极的排布方式，利于提高水听器芯片单元的正负电荷采集效率，进而增加了正电极与负电极之间的电势差，从而提高了AIN压电薄膜水听器芯片的灵敏度，进一步保证了水听器的灵敏度
一种 ain 压电薄膜水听器芯片单元以及

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