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[发明专利]压电薄膜元件及压电换能器-CN202211018174.1在审
发明人：森下纯平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N30/85 文献下载
摘要：正方晶1的(001)面在电极层的表面的法线方向DN上取向。正方晶2的(001)面相对于正方晶1的(001)面倾斜。正方晶1的(001)面的间隔为c1。正方晶2的(001)面的间隔为c2。正方晶2的(100)面的间隔为a2。c1/a1大于c2/a2。
压电薄膜元件换能器

[发明专利]用于青杨雌性幼苗快速鉴定的特异性分子标记PCMI-F001-CN201810687122.0有效
发明人：亢介玉;卢江杰;何金宇;李春阳 -专利权人：杭州师范大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于青杨雌性幼苗快速鉴定的特异性分子标记PCMI‑F001，涉及经济林木分子鉴定技术领域。本分子标记PCMI‑F001的上游引物PCMI‑F001‑F核苷酸序列如SEQ ID No：1所示，下游引物PCMI‑F001‑R核苷酸序列如SEQ ID No：2所示；所述标记在雌性个体中扩增所得特异性条带核苷酸序列如本发明的特异性分子标记引物(PCMI‑F001‑F/R)可对青杨雌雄性别进行快速的分子鉴定，方法简单、准确、高灵敏度，是其他现有鉴别方法不能达到的。
用于青杨雌性幼苗快速鉴定特异性分子标记 pcmi f001

[发明专利]一种同时高产柚苷酶和橙皮苷酶的黑曲霉菌WZ001及其应用-CN200610051963.X有效
发明人：汪钊 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种可同时高产柚苷酶和橙皮苷酶、并能实现工业化生产的黑曲霉菌WZ001(Aspergillus niger WZ001)及其应用。所述黑曲霉菌WZ001保藏于中国典型培养物保藏中心，保藏编号CCTCCNo.206047，保藏日期2006年5月15日，提议的分类命名为黑曲霉菌WZ001。本发明所述的黑曲霉菌WZ001产酶量高，采用液态发酵培养时，柚苷酶与橙皮苷酶产酶量均可达到14000U/g发酵原料以上；采用固态发酵培养时，柚苷酶与橙皮苷酶产酶量均可达到6000U/g发酵原料以上。
一种同时高产柚苷酶橙皮曲霉 wz001 及其应用

[发明专利]一种类硫酸盐还原菌YWC001及其应用-CN202211693407.8在审
发明人：杨桂娣;吴永晨;屈璨;王开腾 -专利权人：福建农林大学
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明提供一种类硫酸盐还原菌YWC001及其应用，所述类硫酸盐还原菌为克雷伯氏菌(Klebsiella grimontii)YWC001，其保藏号为CGMCCNO.24817；本发明的克雷伯氏菌YWC001(Klebsiella grimontii YWC001)可以将有效态铅镉离子转化为生物难以利用的硫化铅和硫化镉沉淀，显著钝化其生物有效性，从而降低其对生物生长的毒性，控制生物对铅镉离子的吸收，达到对铅镉复合污染环境治理目的
种类硫酸盐还原 ywc001 及其应用

[发明专利]一种氧化镓外延生长的方法和氧化镓晶体管-CN202211723350.1在审
发明人：徐光伟;韩照;吴昊中;赵晓龙;龙世兵 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化镓外延生长的方法和氧化镓晶体管，涉及半导体技术领域，方法包括以下步骤：在(001)晶面氧化镓衬底层上表面制作连续的斜切角；在有连续的斜切角的(001)晶面氧化镓衬底层上生长外延膜，所述外延膜为氧化镓衬底层的同质外延，(001)晶面氧化镓衬底层的斜切角≥0.5°。本方案中斜切角的设置使在(001)晶面氧化镓衬底上得到低粗糙度、高质量的同质外延。
一种氧化外延生长方法晶体管

[发明专利]一种含有卡氏芽孢杆菌和聚谷氨酸的水溶型海藻肥及其生产方法和应用-CN202211259111.5在审
发明人：孙志强;李文华;黄晓亚;常城;于海军;郑素莲;李佼倩;赵云福;邹雨平;曹守花;田大伟;王蕾;林程琳 -专利权人：烟台绿云生物科技有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C05G3/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有卡氏芽孢杆菌(Bacillus cabrialesii)和聚谷氨酸的水溶肥及其制备方法和应用，所述水溶型海藻肥中包括卡氏芽孢杆菌LYHD‑001菌剂；所述卡氏芽孢杆菌LYHD‑001菌株的保藏编号为CCTCCNO:M2021209，保藏日期为2021年3月8日，保藏地址为中国、武汉、武汉大学，分类命名为Bacillus cabrialesii LYHD‑001。本发明利用所述卡氏芽孢杆菌LYHD‑001制备卡氏芽孢杆菌LYHD‑001菌剂，以及含有卡氏芽孢杆菌剂和聚谷氨酸的水溶型海藻肥的方法，该方法经过优化，发酵时间短，工艺流程稳定可控，产品分子量小易吸收，肥效显著
一种含有芽孢杆菌谷氨酸水溶型海藻及其生产方法应用

[发明专利]一种获取镍基单晶各向异性材料参数的反演方法-CN201810978953.3有效
发明人：宋迎东;李林骏;胡绪腾 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G16C20/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种获取镍基单晶各向异性材料参数的反演方法，包括以下步骤：通过光滑试件获取镍基单晶材料[001]向工程应力‑工程应变曲线，并将其转化为[001]向真应力‑真应变曲线；建立[001]向双线性本构模型；建立三种缺口试件的有限元模型；选用广义Hill材料模型，定义各方向材料参数都为[001]向的参数；进行计算，完成后导出端面处的载荷‑位移曲线，与前述步骤计算命令流；建立ansys批处理程序，将批处理程序、载荷‑位移曲线、计算命令流导入isight软件；在isight软件中优化，获得非[001]向材料参数。
一种获取镍基单晶各向异性材料参数反演方法

[发明专利]一种暴露{001}晶面TiO₂纳米片负载Ag_x-Au_1-x光催化剂的制备方法-CN201811021911.7在审
发明人：安会琴;王慧珍;李敏;黄静媛;王炜 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： B01J23/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种暴露{001}晶面TiO₂纳米片负载Ag_x‑Au_1‑x光催化剂的制备方法。具体过程如下：首先采用溶剂热法制备暴露{001}晶面TiO₂纳米片，之后以合成的暴露{001}晶面TiO₂纳米片为载体，硝酸银溶液和氯金酸溶液为先驱体，通过汞灯光照将Ag‑Au合金负载到暴露{001}晶面TiO₂纳米片上，得到最终产物暴露{001}晶面TiO₂纳米片负载Ag_x‑Au_1‑x2{001}晶面优势改善其光催化活性的同时，进一步通过贵金属Ag‑Au合金修饰赋予TiO₂优异可见光响应及电子空穴分离特性，有效提升TiO
晶面纳米片暴露催化剂制备可见光催化活性光催化活性可见光响应氯金酸溶液硝酸银溶液催化材料电子空穴分离特性汞灯光照合金负载最终产物贵金属溶剂热先驱体基光修饰合金合成赋予

[发明专利]压电薄膜、压电薄膜元件和压电转换器-CN202110314397.1在审
发明人：森下纯平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：一种压电薄膜，其包含具有钙钛矿结构的氧化物，压电薄膜包含上述氧化物的正方晶1和上述氧化物的正方晶2，正方晶1的(001)面在压电薄膜的表面的法线方向上取向，正方晶2的(001)面在压电薄膜的表面的法线方向上取向，正方晶1的(001)面的间隔为c1，正方晶1的(100)面的间隔为a1，正方晶2的(001)面的间隔为c2，正方晶2的(100)面的间隔为a2，c2/a2大于c1/a1，正方晶1的(001)面的衍射X射线的峰强度为I1，正方晶2的(001)面的衍射X射线的峰强度为I2，I2/
压电薄膜元件转换器

[发明专利]一株乳双歧杆菌BR001及其发酵方法与改善过敏的应用-CN202211193880.X在审
发明人：马乐辉;李云旭;刘瑞峰;李华文;韩清波 -专利权人：天津小薇生物科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一株乳双歧杆菌BR001及其发酵方法与改善过敏的应用，属于微生物的技术领域。乳双歧杆菌(Bifidobacteriumlactis)BR001，其在中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心的保藏编号为CGMCCNo.23665，保藏日期为2021年10月25日，保藏机构地址：本发明还提供了一种乳双歧杆菌BR001在制备改善过敏的产品中的应用。本发明提供的乳双歧杆菌BR001的生产成本大大降低，更利于在其他领域的推广。本发明的乳双歧杆菌BR001的发酵批次差异减小，提高了菌株活力一致性，增加了产品质量的稳定性。本发明的乳双歧杆菌BR001可用于缓解过敏症状。
一株乳双歧杆菌 br001 及其发酵方法改善过敏应用

[发明专利]一种催化剂及制备方法以及催化甲醇制备环氧乙烷的方法-CN202211672738.3在审
发明人：王兵;崔雪峰;谭世倞;郑怡;刘建一;李欣潼 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B01J23/02 文献下载
摘要：本公开提出了一种催化剂，包括：钛酸锶(001)晶面，以及覆盖在钛酸锶(001)晶面上的锐钛矿型二氧化钛(001)单晶薄膜。其中，钛酸锶(001)晶面和锐钛矿型二氧化钛(001)单晶薄膜之间存在晶格差异，具备原子电荷转移的活性。本公开还提出了其制备方法，包括：在第一温度条件下，以二氧化钛粉末作为靶材料，在超高真空和氧气的氛围下，使用脉冲激光沉积技术向钛酸锶(001)晶面溅射镀膜，在氧气环境中保温第一时长范围。
一种催化剂制备方法以及催化甲醇环氧乙烷

[发明专利]溶剂挥发法制备石墨相氮化碳/{001}面暴露锐钛矿相二氧化钛纳米复合材料-CN201310092734.2无效
发明人：王靖宇;韩喜江;谷留安 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：溶剂挥发法制备石墨相氮化碳/{001}面暴露锐钛矿相二氧化钛纳米复合材料，它涉及有机聚合物/无机半导体纳米复合材料的制备。本发明是为了解决现有{001}面暴露锐钛矿相二氧化钛光催化剂光响应范围窄和量子效率低的问题。制备方法如下：一、制备石墨相氮化碳；二、制得{001}面暴露锐钛矿相二氧化钛纳米片；三、制备固体物质；四、制得石墨相氮化碳/{001}面暴露锐钛矿相二氧化钛纳米复合材料。本发明所得石墨相氮化碳/{001}面暴露锐钛矿相二氧化钛纳米复合材料不仅紫外光催化活性高，还具备优良的可见光催化能力。本发明用于制备石墨相氮化碳/{001}面暴露锐钛矿相二氧化钛纳米复合材料。
溶剂挥发法制石墨氮化 001 暴露锐钛矿相二氧化纳米复合材料

[实用新型]数字音频广播调谐器-CN200520079035.5无效
发明人：许会玲 -专利权人：陕西凌华电子有限公司
申请日： 2005-07-05 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H04B1/26 文献下载
摘要：一种数字音频广播调谐器，其带通滤波器的输入端接信号，输出端接高放电路的输入端，高放电路的输出端接不平衡－平衡转换器的输入端，不平衡－平衡转换器的输出端接IC－STA001的信号输入端，本振回路的输出端接IC－STA001的控制端，声表滤波器的输入端接IC－STA001的第一次混频信号输出端，声表滤波器的输出端接IC－STA001的混频信号输入端，此外，IC－STA001上还设有I2C总线控制输入端口和中频调制信号输出端口本实用新型能把通过卫星接收天线接收到的L波段的信号经过IC－STA001内部两次混频后输出中频为1.836MHz的信号。具有很好的选择性和信噪比。经测试音质清晰、无杂音。
数字音频广播调谐器

[发明专利]鼠李糖杆菌饮液及其制备方法-CN201910996761.X在审
发明人：华力;蔚晨歌 -专利权人：上海英库商务咨询有限公司
申请日： 2019-10-19 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： A23L2/38 文献下载
摘要：本发明公开了鼠李糖杆菌饮液及其制备方法，属于功能饮品技术领域，所述鼠李糖杆菌饮液由以下重量份的原料制备而成：鼠李糖杆菌HN001菌粉2.645‑7.935份，中链甘油三酯MCT 222.355‑667.065本发明以中链甘油三酯MCT包裹鼠李糖杆菌HN001，可以保护鼠李糖杆菌HN001不被胃液杀死，确保鼠李糖杆菌HN001顺利穿过胃液，达到肠道，从而提高鼠李糖杆菌HN001的存活率和在肠道的定殖率，调节肠道菌群
鼠李糖杆菌中链甘油三酯肠道胃液饮液生理保健功能机体免疫力肠道菌群功能饮品原料制备棕榈仁油存活率椰子油重量份龋齿毒素菌粉腹泻预防制备抗癌杀死穿过治疗

[发明专利]一种无偏角Si（001）衬底InP材料的金属有机化学气相沉积方法-CN202111468703.3在审
发明人：王俊;肖春阳;李家琛;王海静;贾艳星;黄永清;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种无偏角Si(001)衬底InP材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法，A)将无偏角Si(001)衬底清洗后，在氢气环境下进行表面退火处理；B)采用MOCVD方法在退火后的无偏角Si(001)衬底上依次生长GaAs成核层、中温GaAs层和高温GaAs层；C)采用MOCVD方法在所述高温GaAs层上依次生长InP成核层和高温InP层。本发明在氢气环境下进行高温退火，能够使无偏角Si(001)表面的单层原子台阶转换为双层原子台阶，避免后续生长出现的反相畴缺陷。本发明工艺简单且成本较低，能够在CMOS工艺兼容的无偏角Si(001)衬底上实现高质量无反相畴InP外延层的大规模化生产。
一种偏角 si 001 衬底 inp 材料金属有机化学沉积方法