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- [发明专利]一种缓蚀成分材料芯片高通量制备技术-CN202210677645.3在审
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马菱薇;张达威;任晨浩;王金科;李晓刚
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北京科技大学
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2022-06-16
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2022-11-01
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G01N1/28
- 本发明公开了一种缓蚀成分材料芯片高通量制备技术。本发明首先利用芯片点样仪制备高通量腐蚀样品,只需将缓蚀剂和腐蚀性物质喷点在金属样品上,即可快速、高效、准确地评价缓蚀剂配方的性能,满足不同物质、不同浓度、不同腐蚀时长等腐蚀试验条件;之后利用激光共聚焦显微镜识别并量化高通量腐蚀样品中每个测量点的腐蚀程度上述方法制备的高通量腐蚀样品可以承载10~1000个测量点,这些测量点可以反映不同缓蚀剂配方和腐蚀时长的腐蚀效果。这种高通量制备腐蚀样品及表征腐蚀性能的方法具有制备速度快、测试方式简单且数据量大、测试周期短、测试人为干扰小等优点,在缓蚀剂筛选和配方优化、腐蚀控制等领域具有广阔的应用前景。
- 一种成分材料芯片通量制备技术
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