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[发明专利]存储装置-CN202010122088.X在审
发明人：藤野赖信 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：实施方式的存储装置具备：第1电阻变化存储元件，能够根据写入电流设定第1低电阻状态或第1高电阻状态；第1晶体管，具有第1栅极、第1源极及第1漏极，在第1写入期间，流动与流动到所述第1电阻变化存储元件的电流共通的电流写入期间之后保持施加于所述第1栅极的第1电压；以及第2晶体管，具有第2栅极、第2源极及第2漏极，在所述第1写入期间之后的第2写入期间，将由所述电压保持部保持的所述第1电压施加于所述第2栅极，而使电流流动到所述第1电阻变化存储元件
存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202110925997.1在审
发明人：星野健 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：所述存储物质由通过基于通电的加热而能够切换高电阻状态的电阻率和低电阻状态的电阻率的第2物质形成。在所述存储物质的薄膜的侧面具备由热传导率比所述存储物质低的物质形成的侧壁。热传导率与单相金属相比低2个数量级，电阻率为50mΩ·cm以下，具有正的温度依赖性。
半导体存储装置

[发明专利]具有3D阵列的非易失性存储器及其方法-CN201510415257.8有效
发明人： G.萨马奇萨;J.埃尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：优选地，以低电流和高电阻状态操作R/W元件。这些电阻状态的电阻还依赖于R/W元件的尺寸，并且由工艺技术预先确定。与R/W元件(430)串联的薄片(400)电极及其形成方法提供了用于调整R/W存储器元件(430)的电阻的另一自由度。这允许R/W存储器元件(430)具有增加得多的电阻并因此以减小得多的电流操作。以单元尺寸很小的增加来形成薄片电极(400)。
具有阵列非易失性存储器及其方法

[发明专利]一种环形压敏电阻的微裂纹的检测装置和检测方法-CN201110306209.7有效
发明人：张振勇;邓佩佳 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明属于环形压敏电阻检测技术领域，具体公开了一种环形压敏电阻的微裂纹的检测装置和检测方法。本发明装置包括三极谐振模块、信号发生模块、信号采集模块、以及信号显示模块。本发明方法是通过在环形压敏电阻上构建三个LC振荡回路，然后在三个LC振荡回路上分时加载一脉冲过电压信号，使环形压敏电阻进入到压敏动作工作状态，再分别采集三个LC振荡回路的压敏动作工作状态的工作电流波形，最后进行叠加并输出显示，根据叠加后的波形判定环形压敏电阻是否存在微裂纹缺陷。本发明不仅仅测试时间短，而且准确率高，一种经济、快速、实用的测量装置和方法。
一种环形压敏电阻裂纹检测装置方法

[实用新型]一种水上动力滑板的人体检测系统-CN201920555737.8有效
发明人：彭雄辉;杜永计 -专利权人：深圳市蔚蓝方舟科技有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： B63B32/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种水上动力滑板的人体检测系统，包括：收发红外信号并输出状态信息的红外模块、以及接收所述红外模块所输出信息的主控板，所述主控板包括：MCU模块以及红外检测电路，所述红外检测电路包括串并联RC电路，所述RC电路包括：接地的第一电阻、与所述第一电阻并联设置的电容、以及与所述第一电阻及电容串联设置的第二电阻。本实用新型通过增加RC电路对VOUT信号进行滤波，增加VOUT信号的稳定性，并在红外检测电路中增加第一电阻，避免红外检测电路在输出信号时出现高阻态状态，使MCU模块对信号的检测更加精确，避免误判。
一种水上动力滑板人体检测系统

[实用新型]密封式电源雷电防护箱-CN200520092294.1无效
发明人：尹学军;朱献国 -专利权人：尹学军;朱献国
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H02H3/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防雷器，密封式电源雷电防护箱，断路保护器和压敏电阻串联后关联在线路与地之间，总回路中串联计数器，各压敏电阻分别和远传干接点相连。本实用新型采用多级元件，正常情况下，压敏电阻处于高阻状态，当电网出现瞬时脉冲电压时，压敏电阻立即在纳秒级时间内导通，呈现低阻扰状态，将该脉冲电压短路到大地泄放，并把雷电引起的过电压限制在用电设备的允许承受的耐压范围内，保护用户所有设备，压敏电阻导通瞬间，断路保护器瞬间开路，对雷电防护器进行保护，具有响应速度快，电流容通量大，运行安全可靠等特点。
密封电源雷电防护

[发明专利]具有带有低电流结构的读/写元件的3D阵列的非易失性存储器及其方法-CN201180060500.9有效
发明人： G.萨马奇萨;J.埃尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：优选地，以低电流和高电阻状态操作R/W元件。这些电阻状态的电阻还依赖于R/W元件的尺寸，并且由工艺技术预先确定。与R/W元件（430）串联的薄片（400）电极及其形成方法提供了用于调整R/W存储器元件（430）的电阻的另一自由度。这允许R/W存储器元件（430）具有增加得多的电阻并因此以减小得多的电流操作。以单元尺寸很小的增加来形成薄片电极（400）。
具有带有电流结构元件阵列非易失性存储器及其方法

[发明专利]半导体存储装置及半导体装置-CN201210375954.1有效
发明人：名仓满;粟屋信义;石原数也;世古明义 -专利权人：夏普株式会社;尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置，能够使向可变电阻元件的电压施加极性不同的2种写入工作后的各验证工作分别低功耗且高速地执行。写入电路（22）构成为能分别执行设定工作和重置工作，设定工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻低电阻化，重置工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻高电阻化，读出电路（21）构成为能够分别执行第1读出工作和第2读出工作，第1读出工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态，第2读出工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态。
半导体存储装置

[发明专利]存储器架构与其操作方法-CN201310597458.5有效
发明人：李明修;李峰旻;林昱佑 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器架构与其操作方法，操作方法应用于包括一晶体管与一电阻式存储器元件的一电阻式存储单元。该操作方法包括：于一编程操作时，一编程电流通过该晶体管与该电阻式存储器元件，以使得该电阻式存储器元件的一电阻状态由一第一电阻状态改变成一第二电阻状态；以及于一擦除操作时，一擦除电流从该晶体管的一阱区流向该电阻式存储器元件但该擦除电流不流经该晶体管，以使得该电阻式存储器元件的该电阻状态由该第二电阻状态改变成该第一电阻状态。
存储器架构与其操作方法

[发明专利]单刀单掷射频开关及其构成的单刀双掷射频开关和单刀多掷射频开关-CN201510481744.4有效
发明人：赵奂;何山暐 -专利权人：康希通信科技（上海）有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种单刀单掷射频开关，包括半导体开关器件其第一端通过第一电容连接该单刀单掷射频开关第一端并通过第一电阻连接第一状态控制信号输入端；其第二端通过第二电阻连接第二状态控制信号输入端；其第三端通过第四电阻接地并连接第一二极管正极，第一二极管负极连接第二二极管负极并通过第六电阻接电源电压，第二二极管正极通过第五电阻接地；其第四端通过第二电容连接该单刀单掷射频开关第二端并通过第三电阻连接第三状态控制信号输入端；第一电感跨接于第一电容本发明的单刀单掷射频开关具有更高隔离度，产生更少高次谐波。
单刀射频开关及其构成

[发明专利]带有异常状态保护器高功率因数电子灯-CN93101076.4无效
发明人：周云正 -专利权人：浙江照明电器总公司
申请日： 1993-01-16 - 公布日： 2000-03-15 - 主分类号： H05B41/295 文献下载
摘要：带有异常状态保护器高功率因数电子灯，属气体放电光源，包括灯管、壳体和电子镇流器。主要技术特征是交流电源输入端并联压敏电阻器ＭＹＧ；逆变电路的直流电源输入端串联有正温度系数热敏电阻器ＰＴＣ１，构成功能齐全的异常状态保护器。二极管Ｄ５串接在整流电路和电源滤波电容器之间，具有高的功率因数，使电源电流波形畸变极小。热敏电阻器ＰＴＣ２串联在灯管的两个阴极之间，实现预热启辉。
带有异常状态保护功率因数电子

[实用新型]带有异常状态保护器高功率因数电子灯-CN93202012.7无效
发明人：周云正 -专利权人：浙江照明电器总公司
申请日： 1993-01-16 - 公布日： 1994-02-09 - 主分类号： H01J61/00 文献下载
摘要：带有异常状态保护器高功率因数电子灯，属气体放电光源，包括灯管、壳体和电子镇流器。主要技术特征是交流电源输入端并联压敏电阻器MYG；逆变电路的直流电源输入端串联有正温度系数热敏电阻器PTCI，构成功能齐全的异常状态保护器。二极管D5串接在整流电路和电源滤波电容器之间，具有高的功率因数，使电源电流波形畸变极小。热敏电阻器PTC2串联在灯管的两个阴极之间，实现预热启辉。
带有异常状态保护功率因数电子

[发明专利]一种风机叶片合模面状态监测方法、系统、装置及介质-CN202310721023.0在审
发明人：祖平文;张向军;赵元军;许帅;聂海军;杨文涛;张理珍;宋玉;王龙 -专利权人：华电电力科学研究院有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： F03D17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种风机叶片合模面状态监测方法、系统、装置及介质，涉及风电技术领域，为了及时的监测风机叶片合模面的状态，在合模面上敷设了梯状电阻网，且梯状电阻网由若干个电阻构成，如果风机叶片合模面的状态正常，则当前梯状电阻网内的所有电阻均并联，所以为了监测风机叶片合模面的状态是否正常，需要确定各电阻中当前并联的电阻的当前总阻值，并通过判断并联后的当前总阻值是否满足预设条件来判断风机叶片合模面的状态是否正常，本方案通过测量梯状电阻网上各电阻中当前并联的电阻的当前总阻值即可对风机叶片合模面的状态进行及时且准确的判断，实现了对风机叶片合模面的状态的实时监测。
一种风机叶片合模面状态监测方法系统装置介质

[发明专利]非易失性存储装置和对非易失性存储装置的写入方法-CN201180002021.1有效
发明人：加藤佳一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：该非易失性存储装置具备电阻变化型元件(106)和向电阻变化型元件(106)写入信息的写入电路(101)，电阻变化型元件(106)具有以下特性，即：在施加第1电压(Vh或Vl)的脉冲后，从第1电阻状态(LR状态或HR状态)向第2电阻状态(HR状态或LR状态)变化，在施加极性与第1电压不同的第2电压(Vl或Vh)的脉冲后，从第2电阻状态向第1电阻状态变化。写入电路(101)在使电阻变化型元件(106)从第1电阻状态向第2电阻状态变化时，对于电阻变化型元件(106)，至少将第1电压(Vh或Vl)的脉冲、电压的绝对值比第2电压小且极性与第2电压相等的第3电压
非易失性存储装置写入方法

[发明专利]一种根据泄漏电流高次谐波特性判断ZnO压敏电阻片老化状态的方法-CN201610128710.1在审
发明人：胡军;何金良;邬锦波;陈水明 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种根据泄漏电流高次谐波特性判断ZnO压敏电阻片老化状态的方法，对运行中的高压避雷器或低压系统的冲击保护装置(SPD)内的ZnO压敏电阻阀片的泄漏电流进行监测；对单位时间内泄漏电流进行采样并记录其波形数据；对采集到的泄漏电流波形进行傅里叶变换，得到泄漏电流中基波电流幅值、各奇次谐波电流的幅值；计算得到各奇次谐波电流与基波电流幅值的比值，作为压敏电阻老化状态的判断依据。其有益效果是：针对氧化锌压敏电阻阀片安全稳定运行中的重点部分即老化状态判定方法，根据对氧化锌压敏电阻泄漏电流的谐波分析，可以直接地看到谐波特性的变化来判断老化过程，并据此判断阀片的剩余寿命。
一种根据泄漏电流谐波特性判断 zno 压敏电阻老化状态方法