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[发明专利]在沟槽中包括电介质结构的半导体器件-CN201310313096.2有效
发明人： H-P.费尔斯尔;F.希尔勒;F.J.尼德诺施泰德;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了在沟槽中包括电介质结构的半导体器件。一种半导体器件包括从第一表面延伸到半导体本体的漂移区中的沟槽。所述半导体器件还包括沟槽中的栅电极和邻接沟槽的侧壁的本体区。所述半导体器件还包括沟槽中的电介质结构。所述电介质结构包括沟槽的较低部分中的高k电介质。所述高k电介质包括比SiO2的介电常数高的介电常数。所述高k电介质在垂直于第一表面的垂直方向上的延伸被限制在沟槽的底侧和其中本体区的底侧邻接沟槽的侧壁的水平之间。
沟槽包括电介质结构半导体器件

[发明专利]用于增强型GaN半导体器件的复合高K金属栅极堆叠体-CN201380079075.7在审
发明人： H·W·田;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;R·S·周;S·H·宋;S·K·加德纳 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：描述了具有复合高k金属栅极堆叠体的增强型氮化镓(GaN)半导体器件及其制造方法。在示例中，一种半导体器件包括设置在衬底上方的氮化镓(GaN)沟道区。栅极堆叠体设置在所述GaN沟道区上。所述栅极堆叠体包括直接设置在所述GaN沟道区与栅电极之间的复合栅极电介质层。所述复合栅极电介质层包括高带隙Ⅲ族-N层、第一高K电介质氧化物层、以及第二高K电介质氧化物层，所述第二高K电介质氧化物层与所述第一高K电介质氧化物层相比具有较高的介电常数。
用于增强 gan 半导体器件复合金属栅极堆叠

[发明专利]处理高k电介质以实现CET缩放的方法-CN200880100700.0无效
发明人： R·I·赫德;斯里坎斯·B·萨马弗达姆 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2008-06-16 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种制造半导体器件(10)的方法，包括制造具有覆盖栅电极(22)的栅电介质(17)。半导体器件(10)被制造在半导体层(12)上。在半导体层上沉积包括锆酸铪的高k电介质(16)。在包括氢和氮的环境中在650摄氏度与850摄氏度之间的温度下对高k电介质进行退火。在高k电介质上形成栅电极(22)。高k电介质工在栅电极(17)中使用。
处理电介质实现 cet 缩放方法

[发明专利]基于纳米复合电介质材料的性能预测方法、装置及设备-CN202211672890.1在审
发明人：姚海滨;蒋涛;刘西营;朱晨;宋大为;刘宗杰;王成全;徐国强;宋维庭;李斌;亓孝武 -专利权人：国网山东省电力公司济宁供电公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于纳米复合电介质材料的性能预测方法、装置及设备。包括：获取已知纳米复合电介质材料的储能密度、介电常数和击穿强度；对已知纳米复合电介质材料进行指纹识别，获取每种纳米复合电介质材料对应指纹特征；以已知纳米复合电介质材料的指纹特征为输入，以储能密度、介电常数和击穿强度为输出，构建性能预测模型；将未知纳米复合电介质材料的指纹特征输入构建好的所述性能预测模型，预测得到未知纳米复合电介质材料的储能密度、介电常数和击穿强度；根据储能密度、介电常数和击穿强度确定未知纳米复合电介质材料的性能该方法不但预测效率高，而且预测精度高。
基于纳米复合电介质材料性能预测方法装置设备

[实用新型]高透型低辐射镀膜玻璃-CN201120065476.5有效
发明人：蔡焱森;路海泉 -专利权人：杭州春水镀膜玻璃有限公司
申请日： 2011-03-13 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高透型低辐射镀膜玻璃，在玻璃基片(1)的表面从下至上依次设置电介质层I(2)、镍铬合金层I(3)、银层(4)、镍铬合金层II(5)和电介质层II(6)；所述电介质层I(2)与玻璃基片(1)的表面相连；电介质层I(2)和电介质层II(6)均为氧化锌的锡酸盐层。该高透型低辐射镀膜玻璃具有光线透过率高、抗氧化性能好、膜层牢固度好等特点。
高透型低辐射镀膜玻璃

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN200810125977.0有效
发明人：金容熙;维杰伊·纳拉亚南;瓦姆西·K·帕鲁查里;米歇尔·L·斯蒂恩;巴里·林德;埃杜阿德·A·卡蒂尔;卜惠明;布鲁斯·B·多丽丝 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-06-16 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：在半导体衬底上形成含有第一高k电介质部分的NFET和含有第二高k栅极电介质部分的PFET。在NFET的栅极上形成栅极侧壁氮化物，而PFET的侧壁则保持没有栅极侧壁氮化物。高温处理之后，第一和第二电介质部分含有非化学计量的缺氧高k电介质材料。在氧气环境下对所述半导体结构进行退火，在该过程中，氧通过氧化物间隔壁扩散到所述第二高k电介质部分内。PFET包括具有更高程度化学计量的高k电介质材料，NFET包括较低程度化学计量的高k电介质材料。本发明优化了PFET和NFET的阈值电压。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]多层印制线路板的制造方法-CN201110031156.2有效
发明人：苅谷隆;持田晶良 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 2004-12-06 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：一种多层印制线路板的制造方法，该制造方法包括：准备芯基板的步骤；制作由金属层、高电介质层和金属层层叠而成的陶瓷制高电介质片的步骤；隔着层间绝缘层将陶瓷制高电介质片贴附在芯基板上的步骤；进行高电介质片的图形形成
多层印制线路板制造方法

[发明专利]一种抗静电的宽带高透射减反射膜-CN201910412625.1有效
发明人：金波;艾曼灵;吴江波;顾培夫;李冰霞 -专利权人：杭州科汀光学技术有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G02B1/116 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗静电的宽带高透射减反射膜，包括基底以及设置在所述基底上的多层膜；所述的多层膜包括一层透明导电膜以及高折射率电介质膜、中间折射率电介质膜、次低折射率电介质膜和低折射率电介质膜，或者，所述的多层膜包括一层透明导电膜以及高折射率电介质膜、中间折射率电介质膜和低折射率电介质膜；所述的透明导电膜为半导体薄膜，为氧化铟膜、氧化锡膜，氧化锌膜或铟锡氧化物膜等。
一种抗静电宽带透射减反射膜

[实用新型]一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃-CN201220092295.6有效
发明人：王桂荣;陈德成;陈飞;陈飞;杨真理;李蕾 -专利权人：武汉长利玻璃(汉南)有限公司
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种镀膜玻璃，尤其是一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃，其包括基片玻璃，所述基片玻璃为浮法玻璃，其不同之处为：自基片玻璃向外依次设置有第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层、第三电介质层、第四电介质层，第一电介质层为Si3N4电介质层，第二电介质层为ZnAlOX，第一保护层、第二保护层均为NiCrOX，第三电介质层为TiOX，第四电介质层为Si3N4介质层，第一电介质层的膜层厚度为22nm～28nm，第二电介质层的膜层厚度为13nm～17nm。本实用新型提供一种质量可靠，具有加强型效果的可异地加工加强型高透单银低辐射镀膜玻璃，其透过率在79%以上。
一种异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃

[发明专利]用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜-CN201210057487.8有效
发明人：黄仁安;张启新;杨仁盛;林大为;罗仕豪;叶志扬;林慧雯;高荣辉;涂元添;林焕哲;彭治棠;郑培仁;杨宝如;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种制造集成电路的方法，包括：提供半导体衬底并且在该半导体衬底的上方形成栅极电介质(例如，高-k电介质)。在半导体衬底和栅极电介质的上方形成金属栅极结构，并且在该金属栅极结构的上方形成薄电介质膜。该薄电介质膜包含与金属栅极的金属相结合的氮氧化物。该方法还包括：在金属栅极结构的各个侧面上提供层间电介质(ILD)。本发明还提供了一种用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜。
用于金属栅极器件对准绝缘

[实用新型]高透可钢双银LOW-E玻璃、中空玻璃及夹层玻璃-CN202221552108.8有效
发明人：欧阳斌;刘自乾;李佐鹏 -专利权人：湖南旗滨节能玻璃有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高透可钢双银LOW‑E玻璃、中空玻璃及夹层玻璃，其中，高透可钢双银LOW‑E玻璃包括层叠设置的玻璃基片层和镀膜层，所述镀膜层包括依次层叠设置的两层复合层和第三电介质层，所述复合层包括依次层叠设置的第一电介质层、第二电介质层、低辐射功能层、阻挡保护层和晶床介质层；所述第一电介质层为SiNx层，所述第二电介质层为ZnAlOx层，靠近所述玻璃基片层的复合层中，所述第一电介质层的厚度为10nm～20nm，靠近所述第三电介质层的复合层中，所述第一电介质层的厚度为65nm～70nm。在本实用新型通过将高透可钢双银LOW‑E玻璃的第二电介质层设置为ZnAlOx层，ZnAlOx充分氧化后，对光的吸收率更低，从而达到增加LOW‑E玻璃透过率的效果。
高透可钢双银 low 玻璃中空玻璃夹层玻璃

[实用新型]高透型双银低辐射镀膜玻璃-CN201120507377.8有效
发明人：林嘉宏 -专利权人：林嘉宏
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： E04C2/54 文献下载
摘要：高透型双银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃，在所述玻璃上从下向上依次镀制第一基层电介质层、第二基层电介质层、第一阻挡层、第一功能层、第二阻挡层、第一中间电介质层、第二中间电介质层、第三中间电介质层、第三阻挡层、第二功能层、第四阻挡层，以及顶层电介质层。所述第一基层电介质层为钛的氧化物。所述第二基层电介质层、第一中间电介质层、第三中间电介质层为Si3N4。所述第一阻挡层、第三阻挡层采用NiCr。所述第二阻挡层和所述第四阻挡层采用铝锌氧化物。所述第二中间电介质层为锌锡氧化物。本实用新型的膜层稳定、耐高温能力强、钢前钢后颜色漂移改善、低辐射率、机械性能高、抗氧化性好、高粘附力的优点。
高透型双银低辐射镀膜玻璃

[发明专利]基于电介质上的逆电润湿的能量收集系统-CN201910284709.1在审
发明人：申基荣;柳贤一;富瓦德·艾哈迈德;全兑焌;金善民 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社;仁荷大学校产学协力团
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H02N3/00 文献下载
摘要：一种基于电介质上的逆电润湿的能量收集系统，包括：电介质材料层，其由电介质材料模制成板状并包括上端和下端；和电极层，包括耦接到电介质材料层下表面的多个电极。具体而言，电介质材料层的上端位于比下端高的位置，并且允许液滴从上端流到下端，并且电介质材料层在电介质材料层中产生电介质极化并且在电介质材料层的上端和下端之间连续改变液滴的流速。
基于电介质润湿能量收集系统

[实用新型]可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃-CN201320413365.8有效
发明人：林嘉宏 -专利权人：台玻天津玻璃有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述膜层自玻璃基片向外依次包括：基层电介质组合层、第一阻挡层、铜层、第二阻挡层、第一隔层电介质组合层、第一电介质平铺层、第一银层、第一电介质保护层、第二隔层电介质组合层、第二电介质平铺层、第二银层、第二电介质保护层、第三隔层电介质组合层、第三电介质平铺层、第三银层、第三阻挡层、顶层电介质组合层。本实用新型采用一层铜和三层银相结合的独特膜系结构，相对四银低辐射镀膜玻璃而言具有价格低廉、辐射低、可见光透过率高、外观不呈现干扰色、选择系数高、节能效果佳、极好的耐候性，可进行后续加工。
后续加工银四层低辐射镀膜玻璃

[发明专利]信号传送绝缘设备以及功率半导体模块-CN201580052629.3有效
发明人：菅健一;钓本崇夫;盐田裕基;诸熊健一;折田昭一;为谷典孝;井上贵公;鱼田紫织 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：使信号传送绝缘设备具备：第1线圈；第2线圈，与第1线圈对置，与第1线圈构成变压器；第1绝缘膜，在对置的第1线圈和第2线圈之间，由第1电介质构成；第2绝缘膜，包围第1线圈，由电阻率比第1电介质低的第2电介质构成；以及第3绝缘膜，包围第2线圈，由电阻率比第1电介质低的第3电介质构成，或者使信号传送绝缘设备具备：第1线圈；第2线圈，与第1线圈对置，与第1线圈构成变压器；第1绝缘膜，在对置的第1线圈和第2线圈之间，由第1电介质构成；第2绝缘膜，包围第1线圈，由介电常数比第1电介质高的第2电介质构成；以及第3绝缘膜，包围第2线圈，由介电常数比第1电介质高的第3电介质构成。
信号传送绝缘设备以及功率半导体模块